研磨头的制造方法及研磨装置制造方法及图纸

本发明专利技术是一种研磨头的制造方法，所述研磨头具备：背部衬垫，其被黏结在刚性体的下部，用以保持工件的背面；及，环状的模板，其在该背部衬垫的底面，用以保持前述工件的边缘部；并且，所述研磨头一边将前述工件的背面保持在前述背部衬垫的底面，一边使前述工件的表面在已贴附于平台上的研磨布上作滑动接触来进行研磨，所述研磨头的制造方法的特征在于，具有：背部衬垫黏结工序，其在不加热下且在减压下利用双面胶带来将前述背部衬垫黏结在前述刚性体的下部；及，模板黏结工序，其在该背部衬垫黏结工序后，在不加热下且在减压下利用双面胶带、或者利用反应固化型的无溶剂的液状或膏状的黏结剂来将前述模板黏结在前述背部衬垫。由此，提供一种研磨头的制造方法，所述研磨头能够研磨出平坦度高的工件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】研磨头的制造方法及研磨装置
本专利技术涉及一种研磨头的制造方法及具备该研磨头的研磨装置，所述研磨头用以保持工件。
技术介绍
在制造硅晶片(siliconewafer)等的半导体晶片的情况，改善晶片的表面粗度并且提高平坦度的研磨工序是一个重要的工序。随着近年来的器件(device)的高精度化，制作器件所采用的半导体晶片被要求以非常高的精度来进行平坦化。对于这种要求，采用化学机械研磨(CMP；ChemicalMechanicalPolishing)来作为使半导体晶片的表面平坦化的技术。作为用以研磨硅晶片等的工件的表面的装置，有每次研磨工件的其中一面的单面研磨装置、及同时研磨工件的双面的双面研磨装置。在使用一般的单面研磨装置来进行半导体晶片(以下，也有称为“晶片(wafer)”的情况)的化学机械研磨的情况，先前有一种经由蜡等黏结剂(黏着剂)来将晶片的其中一面贴附并保持于玻璃板等的上面的方法，该其中一面位于要进行研磨的一侧的面(被研磨面)的相反侧。另一方面，作为一种所谓的免蜡(waxfree)研磨(也称为无蜡(waxless)研磨)方式，有一种采用保持盘的方法，该保持盘具备由软质树脂制的发泡本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨头的制造方法，所述研磨头具备：背部衬垫，该背部衬垫被黏结在刚性体的下部，用以保持工件的背面；及，环状的模板，该环状的模板在该背部衬垫的底面，用以保持前述工件的边缘部；并且，所述研磨头一边将前述工件的背面保持在前述背部衬垫的底面，一边使前述工件的表面在已贴附于平台上的研磨布上作滑动接触来进行研磨，并且所述研磨头的制造方法的特征在于，其具有：背部衬垫黏结工序，该背部衬垫黏结工序在不加热下且在减压下利用双面胶带来将前述背部衬垫黏结在前述刚性体的下部；及，模板黏结工序，该模板黏结工序在该背部衬垫黏结工序后，在不加热下且在减压下利用双面胶带、或者利用反应固化型的无溶剂的液状或膏状的黏结剂来将前述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.06.04 JP 2013-1182451.一种研磨头的制造方法，所述研磨头具备：背部衬垫，该背部衬垫被黏结在刚性体的下部，用以保持工件的背面；及，环状的模板，该环状的模板在该背部衬垫的底面，用以保持前述工件的边缘部；并且，所述研磨头一边将前述工件的背面保持在前述背部衬垫的底面，一边使前述工件的表面在已贴附于平台上的研磨布上作滑动接触来进行研磨，并且所述研磨头的制造方法的特征在于，其具有：背部衬垫黏结工序，该背部衬垫黏结工序在不加热下且在减压下利用双面胶带来将前述背部衬垫黏结在前述刚性体的下部；及，模板黏结工序，该模板黏结工序在该背部衬垫黏结工序后，在不加热下且在减压下...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本浩昌，有贺康晴，佐佐木正直，松田隆宏，
申请(专利权)人：信越半导体股份有限公司，信越工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP