【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种。
技术介绍
随着超大规模集成电路ULSI (Ultra Large Scale Integration)的飞速发展,集成电路工艺制作工艺变得越来越复杂和精细。为了提高集成度，降低制造成本，芯片单位面积内的元件数量不断增加，平面布线已难以满足元件高密度分布的要求，只能采用采用多 层布线技术利用芯片的垂直空间，进一步提高器件的集成度。但是多层布线技术的应用会造成硅片表面的起伏不平，对图形制作极其不利。为此，要在大直径硅片上实现多层布线结构，首先就要实现每一层都具有很高的全局平整度，即要求对多层布线互连结构中的导体、 层间介质层、金属、娃氧化物、氮化物等进行平坦化(Planarization)处理。目前，化学机械研磨(CMP, Chemical Mechanical Polishing)是达成全局平坦化的最佳方法，尤其在半导体工艺进入亚微米领域后，化学机械研磨已成为一种不可或缺的制作工艺技术。化学机械研磨(CMP)是通过晶片与研磨头之间的相对运动来平坦化晶片待研磨表面的。例如公开号为“US2006003671A1”美国专利中...
【技术保护点】
一种化学机械研磨装置，包括：研磨盘；位于所述研磨盘上用于对晶圆待研磨表面进行研磨的研磨垫以及在研磨时用于夹持所述晶圆的研磨头；其特征在于，还包括位于所述研磨盘外侧并环绕所述研磨盘的高度可调的控制圈，所述控制圈用于在研磨时，在所述研磨垫之上和控制圈内保留一定量的研磨液。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈枫，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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