制造半导体器件的方法技术

提供了一种制造半导体器件的方法。第一隔离物形成在包括限定有源区的隔离层的半导体衬底上。除去第一隔离物的一部分以暴露部分有源区。蚀刻暴露的有源区以形成第一凹陷。除去第一隔离物。隧道氧化物层和导电层形成在包括凹陷的表面上。第二隔离物形成在包括导电层的表面上。除去第二隔离物的一部分以暴露部分导电层。蚀刻暴露的导电层以形成第二凹陷。除去第二隔离物。然后在导电层上形成介电层和控制栅。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及半导体器件，更具体而言，涉及一种制造半导体 器件的方法，其中可以改善该器件的可靠性并且可以通过增加耦合率 来减少干扰现象。
技术介绍
在半导体器件，尤其是快闪存储器件中，随着技术的发展，器件 变得高度集成，浮动栅的高度和面积随之逐渐减少。由于耦合率减少， 快闪存储单元的程序效率降低。而且，邻近单元之间出现的干扰现象 增加。因此，字线之间的程序电压分布增加。
技术实现思路
因此，本专利技术解决上述问题，并且公开一种制造半导体器件的方 法，该方法在不釆用^^模工艺的情况下增加有源区的宽度，均匀地增 加浮动栅的面积，并且通过利用隔离物形成凹陷来减少邻近浮动栅之 间的干扰现象。根据本专利技术的一个方面，提供了一种。第 一隔离物形成在包括限定有源区的隔离层的半导体衬底上。除去第一 隔离物的一部分以暴露部分有源区。蚀刻暴露的有源区以形成第一凹 陷。除去第一隔离物。隧道氧化层和导电层形成在包括凹陷的表面上。第二隔离物形成在包括导电层的表面上。除去第二隔离物的一部分以 暴露部分导电层。蚀刻暴露的导电层以形成第二凹陷。除去第二隔离 物。在导电层上形成介电层和控制栅。根据本专利技术的另一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在包括限定有源区的隔离层的半导体衬底上形成第一隔离物；除去部分所述第一隔离物以暴露部分所述有源区；蚀刻所述暴露的有源区以形成第一凹陷；除去所述第一隔离物；在包括 所述凹陷的表面上形成隧道氧化物层和导电层；在包括所述导电层的所述表面上形成第二隔离物；除去部分所述第二隔离物以暴露部分所述导电层；蚀刻所述暴露的导电层以形成第二凹陷；除去所述第二隔离物；和在所述导电层 上形成介电层和控制栅。

【技术特征摘要】
KR 2006-10-31 10-2006-01066011.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括在包括限定有源区的隔离层的半导体衬底上形成第一隔离物；除去部分所述第一隔离物以暴露部分所述有源区；蚀刻所述暴露的有源区以形成第一凹陷；除去所述第一隔离物；在包括所述凹陷的表面上形成隧道氧化物层和导电层；在包括所述导电层的所述表面上形成第二隔离物；除去部分所述第二隔离物以暴露部分所述导电层；蚀刻所述暴露的导电层以形成第二凹陷；除去所述第二隔离物；和在所述导电层上形成介电层和控制栅。2. 根据权利要求l的方法，其中所述第一隔离物形成为一定厚度， 在所述厚度下所述隔离层的形状保持完好且不完全填充由所述隔离层限定的空间。3. 根据权利要求l的方法，其中所述第一隔离物由氮化物层形成。4. 根据权利要求3的方法，其中当除去部分所述第一隔离物时，实施蚀刻氮化物层比蚀刻硅材料更快的蚀刻过程。5. 根据权利要求4的方法，其中利用CXFY、 02和Ar的混合气体来实施所述蚀刻过程。6. 根据权利要求l的方法，其中所述第一凹陷通过实施蚀刻珪材料比蚀刻氮化物层或氧化物层更快的蚀刻过程而形成。7. 根据权利要求6的方法，其中使用CU和HBr的混合气体来实施所述蚀刻过程。8. 根据权利要求l的方法，其中使用NH4和HF的混合溶液、或 H3P04溶液通过湿蚀刻除去所述第一隔离物。9. 根据权利要求l的方法，其中所述第二隔离物形成为一定厚度，在所述厚度下所述隔离层的形状保持完好且不完全填充由所述隔离层限定的空间。10. 根据权利要求l的方法，其中所述第二隔离物由氧化物层形成。11. 根据权利要求10的方法，其中所述第二凹陷通过实施蚀刻硅材料比蚀刻氮化物层或氧化物层更快的蚀刻过程而形成。12. 根据权利要求11的方法，其中利用Cl2和HBr的混合气体来实施所述蚀刻过程。13. 根据权利要求1的方法，其中所述第二隔离物通过蚀刻过程...

【专利技术属性】
技术研发人员：金载宪，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]