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提供了一种制造半导体器件的方法。第一隔离物形成在包括限定有源区的隔离层的半导体衬底上。除去第一隔离物的一部分以暴露部分有源区。蚀刻暴露的有源区以形成第一凹陷。除去第一隔离物。隧道氧化物层和导电层形成在包括凹陷的表面上。第二隔离物形成在包括导...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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