利用无电膜沉积形成平坦化Cu互连层的设备制造技术

在包括窄和宽构造的衬底上形成平坦化导电材料。导电材料通过一系列沉积过程形成。第一沉积过程形成导电材料的第一层，其填充窄构造并且至少部分填充宽构造。第二沉积过程在第一层的空腔内形成导电材料的第二层。柔性材料可以减少衬底上第一层的厚度，同时将溶液递送到空腔中以在其中形成第二层。柔性材料可以是与充满所述溶液的可加压容器相连的多孔膜。柔性材料也可以是使用所述溶液润湿的多孔性材料。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及半导体制造领域，更具体涉及在限定于衬底中的构造(feature) 内形成具有平坦化表面的导电材料的设备，所述构造具有相差很大的不同尺寸。
技术介绍
图1提供部分制造的半导体器件100的横截面，包括衬底102和导电层104。衬底102通常是介电材料，并且可以包括各种尺寸的沟槽，如宽沟槽106和窄沟槽108。 除了沟槽，衬底102可以包括各种尺寸的其他类似构造，如通孔(未示出)。衬底102 中的这种构造通常通过众所周知的光刻法制造。导电层104通常是高导电金属如铜 (Cu)。进一步加工后，向下移除导电层104直到衬底102顶面的高度，使得在成品 半导体器件中，保留在沟槽106、108中的导电材料和其他相似构造被衬底102电隔离。导电层104通常通过使用包含待镀金属的电镀溶液进行电镀而形成。需要电镀是 因为它是在表面上沉积金属的快速方法。然而，电镀的一个缺陷是在较窄的构造如沟 槽108中常常形成空隙，并且这些空隙会导致成品半导体器件失效。某些添加剂在加入到电镀溶液中时，可以促进快速填充窄构造并防止空隙形成，然而，这些添加剂倾向于阻滞在一般平坦区域上的沉积速率，所述平坦区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造平坦化表面的设备，包括：用于固定晶片的晶片支撑体；连续环路形状的柔性多孔性材料，其被无电镀覆溶液润湿；接合机构，其能够使所述多孔性材料与所述晶片接触；和用于在所述多孔性材料和所述晶片之间引入包括振 动成分的相对横向运动的装置。

【技术特征摘要】
US 2003-3-27 10/402,6001.一种用于制造平坦化表面的设备，包括用于固定晶片的晶片支撑体；连续环路形状的柔性多孔性材料，其被无电镀覆溶液润...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗雷德C雷德克，约翰博伊德，
申请(专利权)人：兰姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]