本实用新型专利技术公开了一种原子层沉积镀膜装置，其包括，腔体，所述腔体包括分离设置的上部腔体和下部腔体，还包括反应源进气机构、反应物排气机构和真空气缸载片机构。装置中各部分结构采取模块化设计，可以针对被镀膜基片的大小和镀膜要求独立调整各结构，以保证装置中各部件装配连接位置不变，在调整时可以不用改变装置的整体腔体结构，降低了生产成本；同时反应源进气结构和反应物排气结构的具体设置可以使基片位置气体分布均匀，气体能够均匀到达和离开基片；上部腔体和下部腔体的密封槽设置保证了闭合后的腔体密封性，有效防止了上部腔体在运动过程中将杂质带入腔体中。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种镀膜装置，具体地说涉及一种原子层沉积镀膜装置。
技术介绍
原子层沉积(Atomic layer deposit1n，简称ALD)是一种将物质以单原子膜形式逐层依次的镀在基片表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处，但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入镀膜装置并在沉积基片上化学吸附并反应而形成沉积膜层。当前躯体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体，如氮气，对原子层沉积镀膜装置进行清洗，镀膜装置的内部形状对反应气物分布及流动特性起到较大的限制作用，会直接影响基片上沉积膜层的厚度均应性和致密性。另外，原子层沉积在基片镀膜的时候，会在镀膜装置内部残留粉状或应力崩裂的片状金属氧化物，从而生成颗粒污染源，影响基片的镀膜质量。
技术实现思路
为此，本技术所要解决的技术问题在于现有原子层沉积镀膜装置内部形状对反应气体分布和流动性限制较大，影响了沉积膜层的厚度，并且镀膜装置内部易残留金属氧化物、生成颗粒污染，从而提出一种气体分布流动性更合理且颗粒污染得到改善的原子层沉积镀膜装置。为解决上述技术问题，本技术的技术方案为:本技术提供一种原子层沉积镀膜装置，其包括，腔体，所述腔体包括分离设置的上部腔体和下部腔体；反应源进气机构，设置于所述下部腔体底部的一侧，与所述下部腔体相连通；反应物排气机构，设置于所述下部腔体底部，所述反应源进气机构的对侧，与所述下部腔体相连通；真空气缸载片机构，设置于所述上部腔体顶部，用于在反应前后装载基片。 作为优选，所述上部腔体内部顶面设置有基片贴合沉槽，用于精密贴覆基片，使基片镀膜面与所述上部腔体内部顶面在同一平面。作为优选，所述反应源进气机构由平衡气体支路、反应气体支路和清洗气体支路组成，所述平衡气体支路、反应气体支路和清洗气体支路末端与所述下部腔体之间设置有缓冲区。作为优选，所述缓冲区内设置有若干分流柱结构。作为优选，所述反应物排气机构由沿所述反应物排气机构长度方向上的中线对称设置的双排气管路组成。作为优选，所述真空气缸载片机构包括设置于所述上部腔体四角的上下腔体移动气缸组和设置于所述上下腔体移动气缸组内侧的片架移动真空气缸组。作为优选，所述上下腔体移动气缸组通过设置在所述上部腔体的上板真空气缸安装孔和设置在所述下部腔体的下板真空气缸安装孔安装于所述上部腔体和下部腔体上；所述片架移动真空气缸组通过上板基片架真空气缸安装孔安装于所述上部腔体。作为优选，所述应物排气机构中双排气管路各支路可独立地连接流量控制阀。作为优选，所述反应源进气机构和所述反应物排气机构在安装于所述下部腔体之前进行抛光处理，抛光后所述反应源进气机构和所述反应物排气机构上的安装结合面光洁度不小于6级。作为优选，所述上部腔体与所述下部腔体扣合的边缘分别设置有上板密封槽和下板密封槽；所述原子层沉积镀膜装置为铝合金或钛合金材质。本技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:(I)本技术提供的原子层沉积镀膜装置，其包括，腔体，所述腔体包括分离设置的上部腔体和下部腔体；反应源进气机构、反应物排气机构，和真空气缸载片机构。各部分结构采取模块化设计，可以针对被镀膜基片的大小和镀膜要求独立调整各结构，以保证装置中各部件装配连接位置不变，在调整时可以不用改变装置的整体腔体结构，降低了生产成本。(2)本技术提供的原子层沉积镀膜装置，所述上部腔体内部顶面设置有基片贴合沉槽，用于精密贴覆基片，这种设置使得基片镀膜面与所述上部腔体内部顶面在同一平面，保证了基片位置气体均匀分布。(3)本技术提供的原子层沉积镀膜装置，所述反应源进气机构包括三个进气支路，三个进气支路的末端到基片位置设计一个缓冲区域，缓冲区域内设计分流柱结构，这使得每个周期内各气体能均匀达到基片位置。(4)本技术提供的原子层沉积镀膜装置，所述反应物排气机构采用对称双支路设计，各支路可独立连接流量控制阀，分别控制真空栗抽速，保证了基片位置气体均匀分布。(5)本技术提供的原子层沉积镀膜装置，采用真空气缸载片机构负责反应前后的基片装载。真空气缸无转动螺杆，较伺服电机成本低，易维护，特别适用于在原子层沉积的反应环境下使用。(6)本技术提供的原子层沉积镀膜装置，所述上部腔体与所述下部腔体扣合的边缘分别设置有上板密封槽和下板密封槽，保证了闭合后的腔体密封性，有效防止了上部腔体在运动过程中将杂质带入腔体中。【具体实施方式】为了使本技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据本技术的具体实施例并结合附图，对本技术作进一步详细的说明，其中图1是本技术所述的原子层沉积镀膜装置的结构示意图；图2是本技术所述的原子层沉积镀膜装置的俯视图；图3是本技术所述的原子层沉积镀膜装置的侧视图；图4是本技术所述的原子层沉积镀膜装置中上部腔体的结构示意图；图5是本技术所述的原子层沉积镀膜装置中下部腔体的结构示意图；图6是所述下部腔体的侧视图；图7是本技术所述的原子层沉积镀膜装置中反应源进气机构的结构示意图；图8是所述反应源进气机构的内部结构示意图；图9是本技术所述的原子层沉积镀膜装置中反应物排气机构的结构示意图。图中附图标记表示为:1_上部腔体；2_下部腔体；3_反应源进气机构；4_反应物排气机构；5_上下腔体移动气缸组；6_片架移动真空气缸组；7当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种原子层沉积镀膜装置，其特征在于，包括，腔体，所述腔体包括分离设置的上部腔体和下部腔体；反应源进气机构，设置于所述下部腔体底部的一侧，与所述下部腔体相连通；反应物排气机构，设置于所述下部腔体底部，所述反应源进气机构的对侧，与所述下部腔体相连通；真空气缸载片机构，设置于所述上部腔体顶部，用于在反应前后装载基片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴其松，
申请(专利权)人：深圳市星火辉煌系统工程有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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