本发明专利技术公开了一种下电极装置和薄膜沉积设备，涉及半导体制造技术领域，能够更加精确地测量基片表面的温度。该下电极装置，包括装片台，所述装片台内部设置有通道，所述通道中设置有热电偶，所述热电偶在所述通道内延伸至所述装片台内部的测试点。一种薄膜沉积设备，包括腔室以及设置于所述腔室中的上电极装置和下电极装置，所述下电极装置为上述的下电极装置。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种下电极装置和薄膜沉积设备。
技术介绍
在半导体制造的过程中，通常需要在基片上进行薄膜沉积，在薄膜沉积工艺中，为了保证成膜厚度、薄膜的折射率等参数达到要求，对于基片表面的温度以及基片表面的温度均匀性的控制要求严格。然而，现有的薄膜沉积设备对于基片表面温度的检测精度较差。例如，如图1所不，等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n, PECVD)设备包括真空腔室I，真空腔室I中设置有上电极装置2和下电极装置3，其中下电极装置包括用于放置基片的装片台31和加热器32，装片台31的正面用于放置基片，加热器32设置于装片台31的背面，加热器32内部设置有加热丝和热电偶，加热丝的热量通过加热器32和装片台31传导至基片，对基片进行加热，热电偶用于检测温度。然而，由于热电偶检测到的是加热器32内部的温度，对于基片表面温度测量的精度较差。
技术实现思路
本专利技术提供一种下电极装置和薄膜沉积设备，能够更加精确地测量基片表面的温度。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案:一方面，提供了一种下电极装置，包括装片台，所述装片台内部设置有通道，所述通道中设置有热电偶，所述热电偶在所述通道内延伸至所述装片台内部的测试点。具体地，所述通道为多条；所述多条通道分别通向所述装片台内部的多个测试点；每条通道中均设置有一个所述热电偶。具体地，每个所述测试点与所述装片台中心处之间的距离不同。具体地,上述下电极装置,还包括:位于所述装片台背面一侧的加热器；所述加热器中设置有多个热电偶连接器，所述多个热电偶连接器从所述加热器靠近所述装片台的一侧贯穿至远离所述装片台的一侧；所述多条通道的通道口位于所述装片台的背面；所述多条通道分别设有连通至所述装片台背面的通道口，每个热电偶还包括延伸至所述通道口的热电偶连接端，所述多个热电偶连接端分别连接于所述多个热电偶连接器。具体地，所述多条通道在所述装片台背面具有同一个通道口 ；所述通道口处设置有第一固定件，所述通道口处的多个热电偶连接端穿过所述第一固定件并被所述第一固定件固定；所述加热器靠近所述装片台一侧的表面设置有出线口，所述多个热电偶连接器从所述出线口处延伸至所述加热器远离所述装片台的一侧；所述出线口处设置有第二固定件，所述出线口处的多个热电偶连接器穿过所述第二固定件并被所述第二固定件固定；所述出线口与所述通道口相对，所述通道口处多个热电偶连接端分别与所述出线口处的多个热电偶连接器相对设置。具体地，所述装片台的背面设置有定位销；所述加热器靠近所述装片台一侧的表面设置有与所述定位销对应的定位孔。具体地，所述定位销位于所述第一固定件的中心处；所述定位孔位于所述第二固定件的中心处。具体地，所述第二固定件将所述出线口密封。另一方面，提供一种薄膜沉积设备，包括腔室以及设置于所述腔室中的上电极装置和下电极装置，所述下电极装置为上述的下电极装置。具体地，所述薄膜沉积设备为等离子体增强化学气相沉积PECVD设备。本专利技术提供的下电极装置和薄膜沉积设备，通过在装片台的内部设置热电偶，使得可以直接测量装片台的温度，从而能够更加精确地测量装片台上基片表面的温度。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中一种PECVD设备的结构示意图；图2为本专利技术实施例中一种装片台的仰视图；图3为图2中装片台AA向的截面示意图；图4为图3中装片台B处的局部放大示意图；图5为本专利技术实施例中一种薄膜沉积设备的结构示意图；图6为图2中装片台的俯视图；图7为本专利技术实施例中一种下电极装置的结构示意图；图8为图7中下电极装置C处的局部放大示意图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图2、图3和图4所示，本专利技术实施例提供一种下电极装置，用于薄膜沉积设备，该下电极装置包括装片台31，装片台31内部设置有通道4，通道4中设置有热电偶5，热电偶5在通道4内延伸至装片台31内部的测试点6。 具体地，如图5所示，该薄膜沉积设备包括真空腔室I，真空腔室I中设置有上电极装置2和上述的下电极装置，该下电极装置包括装片台31，如图3所示，装片台31正面用于放置基片(图中未示出)，例如蓝宝石基片或硅片等。热电偶5在测试点6的一端用于检测该测试点6处的温度，热电偶5可以从装片台31背面连接至真空腔室I之外的机台(图中未示出)，机台根据在测试点6检测到的温度对装片台31的温度进行控制。在基片进行薄膜沉积工艺时，可以直接检测装片台31中测试点6处的温度。本实施例中的下电极装置，通过在装片台的内部设置热电偶，使得可以直接测量装片台的温度，从而能够更加精确地测量装片台上基片表面的温度。具体地，如图3和图4所示，上述通道4可以为多条；多条通道4分别通向装片台31内部的多个测试点6;每条通道4中均设置有一个热电偶5。具体地，如图6所示，每个测试点6与装片台31中心处之间的距离不同。由于装片台31上各个位置的温度可能会有差异，因此可以通过多个热电偶5分别测试不同位置处的测试点6，从而更加有针对性的对装片台31不同位置的温度进行控制。通常装片台31中心位置处的温度会偏高，而装片台31周围位置处的温度会偏低，因此使多个测试点6与装片台31中心处之间的距离不同，以分别测试相对装片台31中心不同距离的区域温度。具体地，如图7和图8所示，上述下电极装置，还包括:位于装片台31背面一侧的加热器32 ;加热器32中设置有多个热电偶连接器7，多个热电偶连接器7从加热器32靠近装片台31的一侧贯穿至远离装片台31的一侧；多条通道4分别设有连通至装片台31背面的通道口 41 ;每个热电偶5还包括延伸至通道口 41的热电偶连接端51，多个热电偶连接端51分别连接于多个热电偶连接器7。装片台31的正面用于放置基片，位于装片台31背面一当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种下电极装置，包括装片台，其特征在于，所述装片台内部设置有通道，所述通道中设置有热电偶，所述热电偶在所述通道内延伸至所述装片台内部的测试点。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王福来，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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