本实用新型专利技术提供一种LED2、4寸芯片兼容性沉积SiO2电极平台，涉及半导体制造领域。包括腔体、铝电极圆柱和芯片载放平台，所述铝电极圆柱在腔体底部，所述芯片载放平台水平放置于铝电极圆柱上。通过对芯片载放平台上设置的4寸芯片放置槽设重新布局，并在4寸芯片放置槽内设置2寸芯片放置槽，解决了芯片兼容性和设备利用率的问题，使得不同规格的芯片可以同时制程，在2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽两侧设有取片点，解决芯片取放位置不合理的问题，可根据个人操作习惯顺利将芯片从电极平台上取出。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种LED2、4寸芯片兼容性沉积S12电极平台。
技术介绍
在现代LED芯片生产制造过程中，芯片在外延生长后经外延前清洗、MESA光刻及光刻后去除光刻胶，然后需进行掩膜Si02沉积，后序再经一些列化学、黄光、综合制程工序处理到ITO前清洗、ITO蒸镀、ITO光刻、ITO蚀刻去胶、ITO熔合处理后需再次进行沉积Si02，而Si02沉积需要使用特殊的设备一PECVD，而电极平台就是沉积Si02必要组件。目前国内外大部分沉积S12电极平台设计时没考虑芯片兼容性和设备利用率，在实际生产过程中，芯片放置槽种类单一且芯片放置槽布局不合理。导致在生产过程中，不同规格芯片不便于同时制程。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本技术提供了一种LED2、4寸芯片兼容性沉积S1^极平台，使得不同规格芯片可以同时制程。( 二)技术方案为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现:一种LED2、4寸芯片兼容性沉积S1^极平台，包括腔体、铝电极圆柱和芯片载放平台，其特征在于，所述芯片载放平台上设置有多个4寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽内设有多个2寸芯片放置槽，所述铝电极圆柱在腔体底部，所述芯片载放平台水平放置于铝电极圆柱上。优选的，所述销电极圆柱高度为40mm。优选的，所述4寸芯片放置槽和2寸芯片放置槽的直径两端均设有取片点，所述取片点的圆弧直径为6_，所述取片点深度为0.45_。优选的，所述4寸芯片放置槽直径为101mm，深度为0.35mm。优选的，所述4寸芯片放置槽有13个。优选的，所述2寸芯片放置槽直径为51mm，深度为0.4mm。优选的，所述2寸芯片放置槽有51个。优选的，所述腔体内壁直径为530_。(三)有益效果本技术提供了一种LED2、4寸芯片兼容性沉积Si02电极平台，通过对芯片载放平台上设置的4寸芯片放置槽设重新布局，并在4寸芯片放置槽内设置2寸芯片放置槽，解决了芯片兼容性和设备利用率的问题，使得不同规格的芯片可以同时制程，在2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽两侧设有取片点，解决芯片取放位置不合理的问题，可根据个人操作习惯顺利将芯片从电极平台上取出。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例改进后2、4寸芯片放置槽结构示意图；图2为本技术实施例改进后4寸芯片放置槽结构示意图；图3为本技术实施例改进后2寸芯片放置槽结构示意图；图4为本技术实施例改进后2、4寸芯片放置槽局部结构示意图；图5为本技术实施例改进前4寸芯片放置槽结构示意图；图中，1-腔体、2-4寸芯片放置槽、3-2寸芯片放置槽。【具体实施方式】为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例1:结合图2，以4寸芯片为例进一步阐述:本技术实施例提供一种LED2、4寸芯片兼容性沉积Si02i极平台，包括腔体、铝电极圆柱和芯片载放平台，所述腔体内壁直径为530_，所述铝电极圆柱在腔体底部，所述铝电极圆柱高度为40mm，所述芯片载放平台水平放置于铝电极圆柱上，所述芯片载放平台上有4寸芯片放置槽和2寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽内设置有2寸芯片放置槽，生产过程中，2寸芯片和4寸芯片可以同时制程。根据个人操作习惯，所述2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽直径两端均设有取片点，所述取片点为直径6mm的圆弧且深度为0.45mm，操作人员可根据习惯使用左手或者右手取放芯片；所述4寸芯片放置槽直径为101mm，深度为0.35mm，所述4寸芯片放置槽有13个，且10个为环形排列在腔体内侧；所述2寸芯片放置槽直径为51mm，深度为0.4mm，2寸芯片放置槽有51个。使用时，选取13块4寸芯片，在腔体内壁周围放置10块4寸芯片与4寸芯片放置槽内，剩余三块4寸芯片放置于剩余的成三角形分布的4寸芯片放置槽。实施例2:结合图3，以2寸芯片为例进一步阐述:本技术实施例提供一种LED2、4寸芯片兼容性沉积Si02i极平台，包括腔体、铝电极圆柱和芯片载放平台，所述腔体内壁直径为530_，所述铝电极圆柱在腔体底部，所述铝电极圆柱高度为40mm，所述芯片载放平台水平放置于铝电极圆柱上，所述芯片载放平台上有4寸芯片放置槽和2寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽内设置有2寸芯片放置槽，生产过程中，2寸芯片和4寸芯片可以同时制程。根据个人操作习惯，所述2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽直径两端均设有取片点，所述取片点为直径6mm的圆弧且深度为0.45mm，操作人员可根据习惯使用左手或者右手取放芯片；所述4寸芯片放置槽直径为101mm，深度为0.35mm，所述4寸芯片放置槽有13个，且10个为环形排列在腔体内侧；所述2寸芯片放置槽直径为51mm，深度为0.4mm，2寸芯片放置槽有51个。使用时，选取51块2寸芯片，在腔体内壁周围放置23块2寸芯片与2寸芯片放置槽，沿着以放置的2寸芯片向内放置16块2寸芯片与2寸芯片放置槽，剩余12块2寸芯片放置在剩余的2寸芯片放置槽内。实施例3:结合图1，以2寸芯片和4寸芯片为例进一步阐述:本技术实施例提供一种LED2、4寸芯片兼容性沉积Si02i极平台，包括腔体、铝电极圆柱和芯片载放平台，所述腔体内壁直径为530_，所述铝电极圆柱在腔体底部，所述铝电极圆柱高度为40mm，所述芯片载放平台水平放置于铝电极圆柱上，所述芯片载放平台上有4寸芯片放置槽和2寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽内设置有2寸芯片放置槽，生产过程中，2寸芯片和4寸芯片可以同时制程。根据个人操作习惯，所述2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽直径两端均设有取片点，所述取片点为直径6mm的圆弧且深度为0.45mm，操作人员可根据习惯使用左手或者右手取放芯片；所述4寸芯片放置槽直径为101mm，深度为0.35mm，所述4寸芯片放置槽有13个，且10个为环形排列在腔体内侧；所述2寸芯片放置槽直径为51mm，深度为0.4mm，2寸芯片放置槽有51个。使用时，可选取3块4寸芯片放置于成三角形分布的4寸芯片放置槽，选取39块2寸芯片放置于与已放置的4寸芯片放置槽不相重叠的2寸芯片放置槽内。综上，本技术实施例具有以下有益效果:本技术实施例提供了一种LED2、4寸芯片兼容性沉积Si02电极平台，通过对芯片载放平台上设置的4寸芯片放置槽设重新布局，并在4寸芯片放置槽内设置2寸芯片放置槽，解决了芯片兼容性和设备利用率的问题，使得不同规格的芯片可以同时制程，在2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽两侧设有取片点，解决芯片取放位置不合理的问题，可根据个人操作习惯顺利将芯片从电极平台上取出。需要说明本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种LED2、4寸芯片兼容性沉积SiO2电极平台，包括腔体、铝电极圆柱和芯片载放平台，其特征在于，所述芯片载放平台上设置有多个4寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽内设有多个2寸芯片放置槽，所述铝电极圆柱在腔体底部，所述芯片载放平台水平放置于铝电极圆柱上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁维才，高学生，王涛，王雷，
申请(专利权)人：合肥彩虹蓝光科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
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