本发明专利技术是一种半导体装置及半导体装置的制造技术，其能够提高半导体装置的良率，该半导体装置中，将半导体芯片３密封在构成半导体装置的树脂密封体１的内部，且使该半导体芯片３处于相对于树脂密封体１的上下表面倾斜的状态。在支撑着搭载此半导体芯片３的芯片焊垫２ａ的吊线２ｃ中，在搭载着半导体芯片３的面的相反侧、即第５面Ｓ５上，形成有小的凹部５。此凹部５是成为使芯片焊垫２ａ倾斜时的起点的部分。此凹部５的２个侧面５ｂ、５ｃ中，靠近芯片焊垫２ａ侧的侧面５ｃ，比靠近树脂密封体１外周侧的侧面５ｂ更倾斜。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置及半导体装置的制造技术，尤其涉及一种构成为使半导 体芯片在倾斜状态下被密封在树脂密封体内部的半导体装置技术。
技术介绍
关于构成例如磁力传感器或加速度传感器等物理量传感器的半导体装置，存在如下 半导体装置为了检出测三维空间内的方位或加速度，在传感器中的半导体芯片处于倾 斜的状态下，将该半导体芯片密封在树脂密封体的内部。关于此种半导体装置，例如在日本专利特开2006—100348号公报(参照专利文献1) 中有所揭示，其具有如下结构在引线框架的载置部上搭载了半导体芯片后，在将上述 引线框架设置在模塑模具上的工序中，将载置部设定为倾斜的。日本专利特开2006—100348号公报
技术实现思路
但是，本专利技术者在经过对于以倾斜状态收纳半导体芯片而构成的半导体装置进行研 究之后，发现了以下问题。本专利技术者所研究的半导体装置中，在支撑着搭载半导体芯片的翼片(tab)的翼片吊 线内面，利用模压(coining)等方法而形成凹部。此凹部是成为使翼片倾斜时的起点的部分。此处，若此凹部过深，则难以使用于模压的成形模具与翼片吊线分离，从而导致生 产能力降低，因此，凹部不能过于深。但是，若凹部较浅，则翼片吊线内面的凹部位置 上的模塑树脂部分会变得过薄，在进行去除凸起(于'7 ， '7 -)时上述模塑树脂部分 被除去，使翼片吊线的一部分露出，结果，导致在其后进行电镀处理时，在上述露出的 翼片吊线部分附着有金属电镀，此与设计初衷相违背。这样，会产生电镀附着不良(外 观不良)，或者因该金属电镀层而造成模塑树脂产生龟裂，从而导致半导体装置的良率 降低。因此，本专利技术的目的在于提供一种能够提高半导体装置良率的技术。 本专利技术的上述以及其他目的与新颖特征，可以根据本说明书的记述及附图而明确。 如下所示，简单说明本案揭示的专利技术中具有代表性的概要。也就是说，本专利技术具备在相对于树脂密封体的安装面倾斜的状态下被密封在树脂密 封体内部的半导体芯片，且在支撑着搭载上述半导体芯片的芯片搭载部的支撑引线上， 在上述安装面侧形成有凹部，而且上述凹部的2个侧面中，位于上述芯片搭载部侧的侧 面比上述凹部的另一侧面更倾斜。以下，对于由本案揭示的专利技术中的代表性特征可获得的效果，进行简单说明。艮P，上述支撑引线上形成的上述凹部的2个侧面中，位于上述芯片搭载部侧的侧面，比上述凹部的另一侧面更倾斜，以此，可以提高半导体装置的良率。附图说明图1是本专利技术一实施形态的半导体装置的上表面的整体平面图。图2是图1的半导体装置的下表面的整体平面图。图3是沿图1的Y1 — Y1线的剖面图。图4是图3的半导体装置的主要部分放大剖面图。图5是图4所示的区域A的放大剖面图。图6是图1的半导体装置的下表面的主要部分放大平面图。图7是本专利技术者所研究的半导体装置的吊线在弯曲工序前的凹部部分的放大侧视图。图8是在图7所示的吊线的弯曲工序之后、密封了半导体芯片之后的半导体装置的 主要部分放大剖面图。图9是图8所示的区域D的放大剖面图。图10是图8的半导体装置的树脂密封体的第1面的主要部分放大平面图。图11是本专利技术的一实施形态的半导体装置的制造流程图。图12是芯片搭载工序之后的引线框架的单位区域的平面图。图13是沿图12的Y1 —Yl线的放大剖面图。图14是图13所示的区域H的放大侧视图。图15是悍线接合工序之后的引线框架的单位区域的平面图。图16是沿图15的Y1 — Y1线的放大剖面图。图17是将引线框架设置在模具上之后的引线框架及模塑模具的单位区域的剖面图。图18是图17所示的区域J的放大剖面图。图19是模塑工序之后的单位区域的半导体装置的剖面图。图20是本专利技术的一实施形态的半导体装置的制造工序中使用的引线框架的制造流 程图。1树脂密封体2引线框架2a芯片焊垫(芯片搭载部)2b倾斜调整引线2c吊线(支撑引线)2d引线2dl电镀层2e框体部半导体芯片4接合焊线凹部5a底面5b、 5c、 5d侧面8a第l模具8b第2模具8bl模槽Sl第l面S2第2面S3第3面S4第4面S5第5面S6 第6面具体实施例方式以下实施形态中，为了便于说明，分割为多个部分或者实施形态来进行说明，但是，除了有特别说明以外， 一般情况下，这些多个部分或者实施形态彼此之间并非毫无关系， 而是其中的一方是另一方的一部分或者全部的变形例、详细内容、补充说明等。另外，在以下的实施形态中，当提及要素的数等(包括个数、数值、量、范围等)时，除了有特别说明、以及理论上明确限定为特定数等情况以外， 一般情况下并不限定为特定数， 既可以是特定数以上也可以是特定数以下。此外，在以下的实施形态中，关于其构成要 素(也包括要素步骤等)，除了有特别说明、以及理论上明确为必须等情况以外，并不 一定是必须的。同样，在以下的实施形态中，当提及构成要素等的形状、位置关系等时， 除了有特别说明、以及理论上明确并非如此等情况以外，包含实质上近似或类似于其形 状等的情况。此描述对于上述数值及范围也相同。另外，在用于说明本实施形态的所有 图式中，对于具有相同功能的部件标注相同的符号，并尽可能地省略其重复说明。以下， 根据附图详细说明本专利技术的实施形态。图1是本实施形态的半导体装置的上表面的整体平面图，图2是图1的半导体装置 的下表面的整体平面图，图3是沿图1的Y1 — Y1线的剖面图，图4是图3的半导体装 置的主要部分放大剖面图，图5是图4所示的区域A的放大剖面图，图6是图1的半导 体装置的下表面的主要部分放大平面图。另外，图1中，为了便于观察附图，采用了可 透视看到半导体装置内部的方式。本实施形态的半导体装置例如采用QFN (Quad Flat Non leaded Package,四侧无引 脚扁平封装)方式构成。构成此半导体装置封装的树脂密封体1，是例如由环氧系树脂 而形成为平面四边形的薄板状，其具有沿厚度方向而相互位于相反侧的第1面SI (安装 面)以及第2面S2。此外，树脂密封体1的第1面S1相当于半导体装置的下表面(安 装面)，而树脂密封体1的第2面S2则相当于半导体装置的上表面。在此树脂密封体l的内部，密封着2个芯片焊垫(芯片搭载部)2a、倾斜调整引线 2b的一部分、吊线(支撑引线)2c的一部分、多根引线2d的一部分、2个半导体芯片 3、以及多根接合焊线(以下简称为焊线)4。各芯片焊垫2a,具有沿厚度方向而相互位于相反侧的第3面S3以及第4面S4。另 外，各芯片焊垫2a相对于树脂密封体l的第l面Sl及第2面S2倾斜。也就是说，各 芯片焊垫2a，是以自树脂密封体1中央向外周逐渐变低的方式，在倾斜状态下形成的。在各芯片焊垫2a互相面对的这一侧的一边上， 一体地形成有上述倾斜调整引线2b。 此倾斜调整引线2b，是有助于芯片焊垫2a的倾斜设定的部分，并且向与芯片焊垫2a的 第3面S3及第4面S4交差的方向(第3面S3侧)弯折。由此倾斜调整引线2b的长度、 弯曲角度，来决定芯片焊垫2a以及半导体芯片3的倾斜角度。倾斜调整引线2b的前端 侧的一部分，从树脂密封体1的第1面S1露出。另外，各芯片焊垫2a的另一边上， 一体地连接着2根吊线2c。此吊线2c具有沿厚度方向而相互位于相反侧的第5面S5及第6面S6。此外，吊线2c的端部从树脂密封体1的第本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括： 芯片搭载部； 支撑引线，支撑所述芯片搭载部； 多根引线，配置于所述芯片搭载部的周围； 半导体芯片，搭载于所述芯片搭载部上；以及 树脂密封体，覆盖于所述芯片搭载部、所述半导体芯片、所述支撑引线的一部分以及所述各个多根引线的一部分， 所述树脂密封体具有沿厚度方向而相互位于相反侧的第１面及第２面， 所述芯片搭载部具有沿厚度方向而相互位于相反侧的第３面及第４面， 所述支撑引线具有沿厚度方向而相互位于相反侧的第５面及第６面， 所述半导体芯片搭载于所述芯片搭载部的所述第４面上， 所述半导体芯片及所述芯片搭载部相对于所述树脂密封体的第１面及第２面倾斜配置，且在位于所述芯片搭载部的第４面的相反侧的所述支撑引线的第５面上，形成有沿所述支撑引线的厚度方向凹下的凹部，并且 所述凹部中的所述支撑引线的第５面交差的２个侧面中，位于所述芯片搭载部侧的侧面，比所述凹部的另一个侧面更倾斜。
【技术特征摘要】
JP 2006-11-2 2006-2984331.一种半导体装置，其特征在于，包括芯片搭载部；支撑引线，支撑所述芯片搭载部；多根引线，配置于所述芯片搭载部的周围；半导体芯片，搭载于所述芯片搭载部上；以及树脂密封体，覆盖于所述芯片搭载部、所述半导体芯片、所述支撑引线的一部分以及所述各个多根引线的一部分，所述树脂密封体具有沿厚度方向而相互位于相反侧的第1面及第2面，所述芯片搭载部具有沿厚度方向而相互位于相反侧的第3面及第4面，所述支撑引线具有沿厚度方向而相互位于相反侧的第5面及第6面，所述半导体芯片搭载于所述芯片搭载部的所述第4面上，所述半导体芯片及所述芯片搭载部相对于所述树脂密封体的第1面及第2面倾斜配置，且在位于所述芯片搭载部的第4面的相反侧的所述支撑引线的第5面上，形成有沿所述支撑引线的厚度方向凹下的凹部，并且所述凹部中的所述支撑引线的第5面交差的2个侧面中，位于所述芯片搭载部侧的侧面，比所述凹部的另一个侧面更倾斜。2. 如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于所述半导体芯片上形成有传感器。3. 如权利要求l所述的半导体装置，其特征在于所述多根引线以及所述支撑引线中的一部分，从所述树脂密封体的所述第1面露出。4. 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括(a) 准备引线框架的工序；(b) 在所述引线框架的芯片搭载部，搭载半导体芯片的工序；(C)使所述半导体芯片的电路与所述引线框架的各个多根引线电性连接的工序；(d) 使用具有沿厚度方向而相互位于相反侧的第1面及第2面的树脂密封体， 对所述半导体芯片进行密封的工序；以及(e) 对于所述多根引线中从所述树脂密封体露出的部分实施电镀处理的工序，并且所述(a)工序中的引线框架中， 一体地具有所述芯片搭载部，具有沿厚度方向而相互位于相反侧的第3面及第4面； ...
【专利技术属性】
技术研发人员：田中茂树，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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