靶材以及该靶材所制造的薄膜制造技术

本发明专利技术主要提供一种靶材，其元素组成ⅠＢ↓［ｘ］－ⅢＡ↓［ｙ］－ⅥＡ↓［ｚ］；其中，ⅠＢ选自于以下群组中的至少一种：Ｃｕ及Ａｇ；ⅢＡ选自于以下群组中的至少一种：Ｉｎ及Ｇａ；ⅥＡ选自于以下群组中的至少一种：Ｓ、Ｓｅ及Ｔｅ；ｘ、ｙ、ｚ分别为ⅠＢ、ⅢＡ、ⅥＡ含量的原子百分比，且０≤ｘ＜１、０≤ｙ＜１、０＜ｚ＜１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１；该靶材的制作方法包含：形成预合金：将一靶材元素与靶材元素组成中一种以上的其它元素合成预合金；造粉：将预合金制成粉末；混粉：将所述粉末直接混合或再与其它元素或预合金粉末混合；烧结：混合粉末经烧结后形成靶材。本发明专利技术还提供一种用于太阳能电池的薄膜，其是使用上述的靶材溅镀制成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要是关于一种靶材，尤其是指一种具有IB-IIIA-VIA元素组成的靶材，其可应用于溅镀制造太阳能电池的薄膜。
技术介绍
在石化燃料逐渐缺乏的时代，加上全球气候变迁以及空气污染等问题日益严重，替代性能源的应用愈来愈受到人们重视，而其中太阳能电池(solar cell)因具有可提供低廉且源源不绝电力的潜力而受到注目。目前的产品中， 太阳能电池粗略可分为(1) 芯片型(wafer type)太阳能电池包含单晶(single crystal)硅及多晶 (polycrystalline)珪；以及(2) 薄膜型(thin film type)太阳能电池。虽然硅芯片型太阳能电池为目前市场主流，但因其为间接能隙(indirect energygap)，因此需要较厚的硅材料做为吸收层(absorber);而薄膜型太阳能 电池中具有IB-IIIA-VIA元素组成(如CuInGaSe2， CIGS)的材料为直接能隙 (direct energy gap),且光的吸收效率很高，加上可藉由In/Ga成分的比例来 调整能隙的大小，因此仅需很薄一层材料即可产生高光电转换效率，故可 大幅节省材料，降低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种靶材，其元素组成为ⅠＢ↓［ｘ］－ⅢＡ↓［ｙ］－ⅥＡ↓［ｚ］；其中，ⅠＢ选自于以下群组中的至少一种：Ｃｕ及Ａｇ；ⅢＡ选自于以下群组中的至少一种：Ｉｎ及Ｇａ；ⅥＡ选自于以下群组中的至少一种：Ｓ、Ｓｅ及Ｔｅ；ｘ为ⅠＢ含量的原子百分比、ｙ为ⅢＡ含量的原子百分比、ｚ为ⅥＡ含量的原子百分比，且满足０≤ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１。

【技术特征摘要】
1. 一种靶材，其元素组成为IBx-IIIAy-VIAz；其中，IB选自于以下群组中的至少一种Cu及Ag；IIIA选自于以下群组中的至少一种In及Ga；VIA选自于以下群组中的至少一种S、Se及Te；x为IB含量的原子百分比、y为IIIA含量的原子百分比、z为VIA含量的原子百分比，且满足0≤x＜1、0＜y＜1、0＜z＜1，x+y+z＝1。2. 如权利要求1所述的靶材，其中的x为0, IIIA为In-Ga, VIA为Se。3. 如权利要求1所述的靶材，其中的IB为Cu、 Ag或Cu-Ag， IIIA为 In-Ga， VIA为Se。4. 如权利要求1所述的靶材，其中的IB为Cu、 Ag或Cu-Ag， IIIA为 Ga， VIA为Se。5. 如权利要求1所述的靶材，其中的IB为Cu、 Ag或Cu-Ag， IIIA为 In, VIA为Se。6. 如权利要求1所述的靶材，其中的x为0， IIIA为In， VIA为Se。7. 如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李仲仁，赵勤孝，毛庆中，
申请(专利权)人：光洋应用材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]