氧化铟锌锡溅镀靶材及其导电膜制造技术

一种氧化铟锌锡溅镀靶材，其是由In、Zn、Sn及O所构成的烧结体。该烧结体是由In2O3结晶相与Zn3In2O6结晶相所构成；其中，以In、Zn及Sn为100at％计，In含量是介于77at％至90at％间，且Zn/In是大于0.05。本发明专利技术也提供一种由前述氧化铟锌锡溅镀靶材所镀制而得的氧化铟锌锡导电膜。本发明专利技术控制该氧化铟锌锡溅镀靶材的烧结体内具有足够的Zn含量(Zn/In大于0.05)，以使其烧结体内是由In2O3结晶相与Zn3In2O6结晶相所构成，从而透过能提高镀膜韧性与延展性的Zn3In2O6结晶相，使经该氧化铟锌锡溅镀靶材所镀制而得的导电膜具有可挠性，以供可挠性电子装置相关技术产业所应用。装置相关技术产业所应用。装置相关技术产业所应用。

【技术实现步骤摘要】
氧化铟锌锡溅镀靶材及其导电膜


[0001]本专利技术是涉及一种溅镀靶材，特别是涉及一种氧化铟锌锡溅镀靶材及其导电膜。

技术介绍

[0002]氧化铟锡(indium tin oxide；简称ITO)是由In
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Sn
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O所组成的透明导电性氧化物(transparent conductive oxide；简称TCO)。一般商用的氧化铟锡(ITO)薄膜基于其在130nm的膜厚下具备有低电阻率(resistivity；1.89
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cm)以及高穿透率(波长于550nm条件下约为93.9％)等优异的特性，因而广泛地应用于显示器、太阳能电池、发光二极管(LED)与有机发光二极管(OLED)等电子装置相关产业，以作为前述各种电子装置的透明电极来使用。ITO薄膜在前述相关产业中所惯用的成膜技术手段，多半是采用溅镀法(sputtering)来完成。然而，基于ITO薄膜的结晶温度只约150℃至200℃间，一旦应用于前述各种电子装置的制作过程中所处的制程环境温度大于ITO薄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化铟锌锡溅镀靶材，其特征在于：是由In、Zn、Sn及O所构成的烧结体：该烧结体是由In2O3结晶相与Zn3In2O6结晶相所构成；其中，以In、Zn及Sn为100at％计，In含量是介于77at％至90at％间，且Zn/In是大于0.05。2.根据权利要求1所述的氧化铟锌锡溅镀靶材，其特征在于：Zn含量是介于6.5at％至19at％间。3.根据权利要求1所述的氧化铟锌锡溅镀靶材，其特征在于：In/Sn是大于20。4.根据权利要求1所述的氧化铟锌锡溅镀靶材，其特征在于：该Zn3In2O6结晶相占该烧结体的1.5％至7％。5.根据权利要求4所述的氧化铟锌锡溅镀靶材，其特征在于：该烧结体的相对密度大于99％，且该烧结体的体电阻率小于18
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cm。6.根据权利要求4所述的氧化铟锌锡溅镀靶材，其特征在于：该Zn3In2O6结晶相占该烧结体的2％至5％，且该烧结体的体电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈胜育，刘砚鸣，谢承谚，简毓苍，黄圣涵，
申请(专利权)人：光洋应用材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：