氧化铟锌锡溅镀靶材及其导电膜制造技术

一种氧化铟锌锡溅镀靶材，其是由In、Zn、Sn及O所构成的烧结体。该烧结体是由In2O3结晶相与Zn3In2O6结晶相所构成；其中，以In、Zn及Sn为100at％计，In含量是介于77at％至90at％间，且Zn/In是大于0.05。本发明专利技术也提供一种由前述氧化铟锌锡溅镀靶材所镀制而得的氧化铟锌锡导电膜。本发明专利技术控制该氧化铟锌锡溅镀靶材的烧结体内具有足够的Zn含量(Zn/In大于0.05)，以使其烧结体内是由In2O3结晶相与Zn3In2O6结晶相所构成，从而透过能提高镀膜韧性与延展性的Zn3In2O6结晶相，使经该氧化铟锌锡溅镀靶材所镀制而得的导电膜具有可挠性，以供可挠性电子装置相关技术产业所应用。装置相关技术产业所应用。装置相关技术产业所应用。

【技术实现步骤摘要】
氧化铟锌锡溅镀靶材及其导电膜


[0001]本专利技术是涉及一种溅镀靶材，特别是涉及一种氧化铟锌锡溅镀靶材及其导电膜。

技术介绍

[0002]氧化铟锡(indium tin oxide；简称ITO)是由In
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Sn
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O所组成的透明导电性氧化物(transparent conductive oxide；简称TCO)。一般商用的氧化铟锡(ITO)薄膜基于其在130nm的膜厚下具备有低电阻率(resistivity；1.89
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cm)以及高穿透率(波长于550nm条件下约为93.9％)等优异的特性，因而广泛地应用于显示器、太阳能电池、发光二极管(LED)与有机发光二极管(OLED)等电子装置相关产业，以作为前述各种电子装置的透明电极来使用。ITO薄膜在前述相关产业中所惯用的成膜技术手段，多半是采用溅镀法(sputtering)来完成。然而，基于ITO薄膜的结晶温度只约150℃至200℃间，一旦应用于前述各种电子装置的制作过程中所处的制程环境温度大于ITO薄膜的结晶温度时，则ITO薄膜便转变成结晶结构，因而不利于应用在可挠性电子装置相关技术产业。
[0003]此外，随着消费性电子产品快速的发展，现代人使用手机和电脑屏幕时间过长，而导致诸多眼睛的疾病，因此研究具备能过滤蓝光的显示装置，也成为显示器领域中的重点。
[0004]中国台湾第I437115证书号专利技术专利案(以下称前案1)公开一种溅镀靶材，其是由氧化铟(In2O3)粉末、氧化锡(SnO2)粉末与氧化锌(ZnO)粉末所构成的一烧结体(sintered body)；前案1所载
技术实现思路
提到，当Zn原子含量大于Sn原子含量时，经溅镀法所形成的氧化物金属薄膜在非结晶状态时的电阻率介于3.9
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cm至4.9
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cm间，兼具优良的蚀刻特性及透光率，可用于取代ITO薄膜。虽然经前案1的溅镀靶材所溅镀而得的氧化物金属薄膜能兼具优良的蚀刻特性及透光率；然而，对于其金属氧化物薄膜的可挠性及过滤蓝光的特性并未提出任何测试结果。
[0005]经上述说明可知，改良用于溅镀TCO薄膜的氧化铟锌锡溅镀靶材的组成，以令其靶材经溅镀法所制得的TCO薄膜除了能满足业界对电阻率的需求外，更能满足可挠性电子装置及显示装置对过滤蓝光的特性等相关技术产业的需求，是本案相关技术人员有待突破的课题。

技术实现思路

[0006]本专利技术的第一目的，在于提供一种有利于提升镀膜可挠性的氧化铟锌锡溅镀靶材。
[0007]本专利技术的氧化铟锌锡溅镀靶材，是由In、Zn、Sn及O所构成的烧结体。该烧结体是由In2O3结晶相与Zn3In2O6结晶相所构成；其中，以In、Zn及Sn为100at％计，In含量是介于77at％至90at％间，且Zn/In是大于0.05。
[0008]本专利技术的氧化铟锌锡溅镀靶材，Zn含量是介于6.5at％至19at％间。
[0009]本专利技术的氧化铟锌锡溅镀靶材，In/Sn是大于20。
[0010]本专利技术的氧化铟锌锡溅镀靶材，该Zn3In2O6结晶相占该烧结体的1.5％至7％。
[0011]本专利技术的氧化铟锌锡溅镀靶材，该烧结体的相对密度大于99％，且该烧结体的体电阻率小于18
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cm。
[0012]本专利技术的氧化铟锌锡溅镀靶材，该Zn3In2O6结晶相占该烧结体的2％至5％，且该烧结体的体电阻率小于14
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cm。
[0013]此外，专利技术的第二目的，在于提供一种可挠性佳且电阻率低的氧化铟锌锡导电膜。
[0014]本专利技术的氧化铟锌锡导电膜，是具有可挠性的薄膜，且该氧化铟锌锡导电膜具有小于10
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cm的电阻率。
[0015]本专利技术的氧化铟锌锡导电膜，该氧化铟锌锡导电膜的电阻率小于5
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cm。
[0016]本专利技术的氧化铟锌锡导电膜，对薄膜厚度介于90nm至130nm间的氧化铟锌锡导电膜施予曲率半径小于3mm的20万次循环凹折后所得的一电阻率变化，是介于1.0％至10％间。
[0017]本专利技术的氧化铟锌锡导电膜，该氧化铟锌锡导电膜于大于等于120nm的薄膜厚度且在介于415nm至455nm的波段间的平均穿透率是小于85％。
[0018]本专利技术的有益效果在于：控制该氧化铟锌锡溅镀靶材的烧结体内具有足够的Zn含量(Zn/In大于0.05)，以使其烧结体内是由In2O3结晶相与Zn3In2O6结晶相所构成，从而通过能提高镀膜韧性与延展性的Zn3In2O6结晶相，使经该氧化铟锌锡溅镀靶材所镀制而得的导电膜具有可挠性，以供可挠性电子装置相关技术产业所应用。
附图说明
[0019]本专利技术的其他的特征及功效，将于参照附图的实施方式中清楚地呈现，其中：
[0020]图1是一X光衍射(X
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ray diffraction，以下简称XRD)图，说明本专利技术的氧化铟锌锡溅镀靶材的一具体例2(E2)的晶体结构；
[0021]图2是一XRD图，说明本专利技术的氧化铟锌锡溅镀靶材的一具体例3(E3)的晶体结构；
[0022]图3是一XRD图，说明本专利技术的氧化铟锌锡溅镀靶材的一具体例4(E4)的晶体结构；
[0023]图4是一XRD图，说明本专利技术的氧化铟锌锡溅镀靶材的一比较例1(CE1)的晶体结构；
[0024]图5是一光学显微镜(optical microscope；以下简称OM)影像，说明经本专利技术该具体例3(E3)的溅镀靶材所镀制而得的导电膜在退火后经静态凹折后所得的OM影像；
[0025]图6是一OM影像图，说明经本专利技术的一比较例3(CE3)的溅镀靶材所镀制而得的导电膜在退火后经静态凹折后所得的OM影像；
[0026]图7是一电阻率变化(
△
R；％)对循环凹折次数曲线图，说明经本专利技术该具体例3(E3)的氧化铟锌锡溅镀靶材所镀制而得的导电膜的电阻率变化；及
[0027]图8是一穿透率对波长曲线图，说明经本专利技术所述具体例(E2、E3、E4)与比较例3(CE3)的溅镀靶材所镀制而得的导电膜在不同波长下的穿透率。
具体实施方式
[0028]本专利技术的氧化铟锌锡溅镀靶材的一实施例，是由In、Zn、Sn及O所构成的一烧结体。该烧结体是由一In2O3结晶相与一Zn3In2O6结晶相所构成；其中，以In、Zn及Sn为100at％计，In含量是介于77at％至90at％间，且Zn/In是大于0.05。
[0029]首先，此处须补充说明的是，经申请人长年来对TCO溅镀靶材的制程的研究与开发经验所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化铟锌锡溅镀靶材，其特征在于：是由In、Zn、Sn及O所构成的烧结体：该烧结体是由In2O3结晶相与Zn3In2O6结晶相所构成；其中，以In、Zn及Sn为100at％计，In含量是介于77at％至90at％间，且Zn/In是大于0.05。2.根据权利要求1所述的氧化铟锌锡溅镀靶材，其特征在于：Zn含量是介于6.5at％至19at％间。3.根据权利要求1所述的氧化铟锌锡溅镀靶材，其特征在于：In/Sn是大于20。4.根据权利要求1所述的氧化铟锌锡溅镀靶材，其特征在于：该Zn3In2O6结晶相占该烧结体的1.5％至7％。5.根据权利要求4所述的氧化铟锌锡溅镀靶材，其特征在于：该烧结体的相对密度大于99％，且该烧结体的体电阻率小于18
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cm。6.根据权利要求4所述的氧化铟锌锡溅镀靶材，其特征在于：该Zn3In2O6结晶相占该烧结体的2％至5％，且该烧结体的体电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈胜育，刘砚鸣，谢承谚，简毓苍，黄圣涵，
申请(专利权)人：光洋应用材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：