基板承载固定装置及薄膜沉积设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术为一种基板承载固定装置及薄膜沉积设备，主要包括一挡件、一盖环及一承载盘，其中挡件用以承载盖环。挡件的环形底部连接侧壁及环形凸部，并于环形凸部的径向内侧形成一开口。承载盘用以承载一基板，其中承载盘位于盖环的下方，并可进入挡件的开口内。盖环包括一主体部及一遮挡部，其中主体部为环状体，并有部分的主体部覆盖挡件的开口。遮挡部连接主体部的径向外侧，并朝挡件的环形底部的方向凸起，其中盖环的遮挡部与挡件的侧壁之间的间距介于3至10毫米之间，可避免制程气体或靶材原子经由盖环及挡件之间的间隙传递到挡件的外部。件的外部。件的外部。

【技术实现步骤摘要】
基板承载固定装置及薄膜沉积设备


[0001]本技术有关于一种基板承载固定装置，用以将基板固定在承载盘上，并可减少制程气体或靶材原子污染腔体。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)及原子层沉积(ALD)皆是常用的薄膜沉积设备，并普遍被使用在集成电路、发光二极管及显示器等制程中。
[0003]沉积的设备主要包括一腔体及一承载盘，其中承载盘位于腔体内，并用以承载至少一基板。以物理气相沉积为例，腔体内需要设置一靶材，其中靶材面对承载盘上的基板。在进行物理气相沉积时，会通过固定装置将基板固定在承载盘上，并将惰性气体及/或反应气体输送至腔体内，分别对靶材及承载盘施加偏压，其中承载盘还会加热承载的基板。腔体内的惰性气体会因为高压电场的作用，形成离子化的惰性气体。离子化的惰性气体会受到靶材上的偏压吸引而轰击靶材。从靶材溅出的靶材原子或分子会受到承载盘上的偏压吸引，并沉积在加热的基板的表面，以在基板的表面形成薄膜。
[0004]此外在进行物理气相沉积制程时，承载盘可相对于靶材位移，并改变承载盘承载的基板与靶材之间的距离，以调整沉积制程的参数。

技术实现思路

[0005]如先前技术所述，习用的薄膜沉积设备虽然可以通过调整承载盘与靶材之间的距离，改变沉积制程的参数。然而习用的薄膜沉积设备的承载盘与靶材之间的距离可调整幅度很小，当承载盘朝靶材的方向位移时，可能会造成制程气体及/或靶材原子及/或靶材分子传递至腔体，并在腔体的内表面形成薄膜沉积，进而对腔体造成污染。为此本技术提出一种新颖的基板承载固定装置及应用该基板承载固定装置的薄膜沉积设备，可增加承载盘与靶材之间距离的可调整幅度，并可减少制程气体及/或靶材原子及/或靶材分子进入腔体。
[0006]本技术的一目的，在于提出一种基板承载固定装置及薄膜沉积设备，主要包括一承载盘、一盖环及一挡件，其中承载盘用以承载至少一基板。挡件用以承载盖环，当承载盘带动承载的基板朝盖环的方向靠近时盖环会接触基板，以将基板固定在承载盘上，并于挡件、盖环、承载盘及/或腔体之间形成一反应空间。
[0007]本技术的盖环的侧边与挡件之间的间距小于10毫米，以提高盖环及挡件对腔体的遮挡效果，可避免反应空间内的反应气体、靶材原子及/或靶材分子接触盖环及/或挡件外部的腔体，以减少腔体内表面上的薄膜沉积。
[0008]此外承载盘可带动承载的基板及盖环继续往靶材的方向靠近，使得盖环离开挡件，以进一步缩短基板与靶材之间的距离。由于本技术的盖环与挡件之间的间距较小，即便盖环离开挡件，盖环及挡件仍可提供良好的遮挡效果，可避免反应空间内的反应气体、靶材原子及/或靶材分子传递至盖环及/或挡件外侧的腔体。
[0009]本技术的一目的，在于提出一种基板承载固定装置及薄膜沉积设备，其中盖环包括一第一盖环及一第二盖环，且第一盖环的半径大于第二盖环，并用以承载第二盖环。当承载盘与盖环接触时，只有第二盖环会接触承载盘上的基板，而承载盘则用以承载第一盖环。通过第一盖环及第二盖环的设计可减少盖环施加在基板上的压力，并降低基板被盖环压碎的机率。
[0010]为了达到上述的目的，本技术提出一种基板承载固定装置，包括：一挡件，包括一侧壁、一环形底部及一环形凸部，其中环形底部连接侧壁及环形凸部，并于环形凸部的一径向内侧形成一开口；一盖环，用以放置在挡件上，并包括：一主体部，主体部为一环状体，其中部分主体部位于挡件的开口的延伸位置；一遮挡部，连接主体部的一径向外侧，并包括一第一凸起部朝挡件的环形底部的方向凸起，或朝远离挡件的环形底部的方向凸起，其中遮挡部与挡件的侧壁之间的间距介于3至10毫米之间；及一承载盘，包括一承载面用以承载一基板，其中承载盘位于盖环的下方，当承载盘带动基板朝盖环位移时，盖环的主体部会接触基板。
[0011]本技术提供一种薄膜沉积设备，包括：一腔体，包括一容置空间；一基板承载固定装置，位于容置空间内，包括：一挡件，包括一侧壁、一环形底部及一环形凸部，其中侧壁连接腔体，而环形底部连接侧壁及环形凸部，并于环形凸部的一径向内侧形成一开口；一盖环，用以放置在挡件上，并包括：一主体部，主体部为一环状体，其中部分主体部位于挡件的开口的延伸位置；一遮挡部，连接主体部的一径向外侧，并包括一第一凸起部朝挡件的环形底部的方向凸起，其中遮挡部与挡件的侧壁之间的间距介于3至10毫米之间；及一承载盘，包括一承载面用以承载一基板，其中承载盘位于盖环的下方，当承载盘带动基板朝盖环位移时，盖环的主体部会接触基板。
[0012]所述的基板承载固定装置及薄膜沉积设备，其中遮挡部包括一第二凸起部，朝远离挡件的环形底部的方向凸起。
[0013]所述的基板承载固定装置及薄膜沉积设备，其中盖环及承载盘分别设置一对应的对位单元，并通过对位单元对位盖环及承载盘。
[0014]所述的基板承载固定装置及薄膜沉积设备，其中盖环包括一第一盖环及一第二盖环，第一盖环的周长大于第二盖环，并用以承载第二盖环，当承载盘朝盖环位移时，承载盘用以承载第一盖环，而第二盖环会接触基板，第一盖环及第二盖环分别设置一对应的对位单元，并通过对位单元对位第二盖环及第一盖环。
[0015]所述的基板承载固定装置及薄膜沉积设备，包括一环形构件连接承载盘，环形构件位于承载盘的承载面的周围，其中环形构件及盖环分别设置一对应的对位单元，并通过对位单元对位环形构件及盖环。
[0016]所述的薄膜沉积设备，包括一靶材设置在腔体内，并面对承载盘及基板，承载盘位于挡件的开口内，并带动盖环离开挡件，以缩短承载盘上的基板与靶材之间的距离。
[0017]本技术的有益效果是：提供一种基板承载固定装置，用以将基板固定在承载盘上，并可减少制程气体或靶材原子污染腔体。
附图说明
[0018]图1为本技术基板承载固定装置一实施例的剖面示意图。
[0019]图2为本技术薄膜沉积设备操作在进出料状态一实施例的剖面示意图。
[0020]图3为本技术薄膜沉积设备操作在沉积状态一实施例的剖面示意图。
[0021]图4为本技术薄膜沉积设备操作在沉积状态又一实施例的剖面示意图。
[0022]图5为本技术基板承载固定装置又一实施例的剖面示意图。
[0023]图6为本技术基板承载固定装置又一实施例的剖面示意图。
[0024]图7为本技术基板承载固定装置又一实施例的剖面示意图。
[0025]附图标记说明：10
‑
基板承载固定装置；100
‑
薄膜沉积设备；11
‑
承载盘；111
‑ꢀ
承载面；113
‑
凹部；115
‑
环形构件；12
‑
基板；13
‑
挡件；131
‑
侧壁；132
‑
开口； 133
‑
环形底部；135
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板承载固定装置，其特征在于，包括：一挡件，包括一侧壁、一环形底部及一环形凸部，其中该环形底部连接该侧壁及该环形凸部，并于该环形凸部的一径向内侧形成一开口；一盖环，用以放置在该挡件上，并包括：一主体部，该主体部为一环状体，其中部分该主体部位于该挡件的该开口的延伸位置；一遮挡部，连接该主体部的一径向外侧，并包括一第一凸起部朝该挡件的该环形底部的方向凸起，其中该遮挡部与该挡件的该侧壁之间的间距介于3至10毫米，且该遮挡部不接触该挡件的该侧壁；及一承载盘，包括一承载面用以承载一基板，其中该承载盘位于该盖环的下方，当该承载盘带动该基板朝该盖环位移时，该盖环的该主体部会接触该基板，其中该盖环及该承载盘分别设置一对应的对位单元，并通过该对位单元对位该盖环及该承载盘。2.根据权利要求1所述的基板承载固定装置，其特征在于，其中该遮挡部包括一第二凸起部，朝远离该挡件的该环形底部的方向凸起。3.根据权利要求1所述的基板承载固定装置，其特征在于，其中该盖环包括一第一盖环及一第二盖环，该第一盖环的周长大于该第二盖环，并用以承载该第二盖环，当该承载盘朝该盖环位移时，该承载盘用以承载该第一盖环，而该第二盖环会接触该基板，该第一盖环及该第二盖环分别设置一对应的对位单元，并通过该对位单元对位该第二盖环及该第一盖环。4.根据权利要求1所述的基板承载固定装置，其特征在于，包括一环形构件连接该承载盘，该环形构件位于该承载盘的该承载面的周围，其中该环形构件及该盖环分别设置一对应的对位单元，并通过该对位单元对位该环形构件及该盖环。5.一种基板承载固定装置，其特征在于，包括：一挡件，包括一侧壁、一环形底部及一环形凸部，其中该环形底部连接该侧壁及该环形凸部，并于该环形凸部的一径向内侧形成一开口；一盖环，用以放置在该挡件上，并包括：一主体部，该主体部为一环状体，其中部分该主体部位于该挡件的该开口的延伸位置；一遮挡部，连接该主体部的一径向外侧，并包括一凸起部朝远离该挡件的该环形底部的方向凸起，其中该...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，
申请(专利权)人：鑫天虹厦门科技有限公司，
类型：新型
国别省市：