可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台及其遮挡构件制造技术

本发明专利技术提供一种可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台，主要包括一腔体、一载台、一环形构件、一挡件及一盖环。载台及挡件位于腔体的容置空间内，其中环形构件连接载台。盖环设置在挡件的一环形凸缘，并包括至少一凸起部，其中凸起部位于盖环的内侧，并朝腔体的顶部凸起。盖环的凸起部用以遮挡载台的侧面，以减少沉积在载台侧面上的薄膜。盖环的凸起部亦有利于引导载台上方的气体，使得气体由载台的上方流向盖环的径向外侧，以提高载台及基板的边缘区域的气体流动的稳定性，并提高沉积在基板的边缘区域的薄膜均匀度。区域的薄膜均匀度。区域的薄膜均匀度。

【技术实现步骤摘要】
可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台及其遮挡构件


[0001]本专利技术有关于一种可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台，可改善载台及基板的边缘区域的气体流动性，以提高沉积在基板表面的薄膜均匀度。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)及物理气相沉积(PVD)皆是常用的薄膜沉积制程，并普遍被使用在集成电路及显示器的制程中。
[0003]物理气相沉积是利用物理机制进行薄膜沉积的技术，其中物理机制主要是指物质的相变化，例如利用高温加热靶材，使得靶材气化而后使其沉积在基板上，以在基板的表面形成薄膜。另外亦可通过高能粒子轰击靶材，使得靶材表面的原子离开靶材，离开靶材的原子会沉积在基板上，并在基板表面形成薄膜。
[0004]物理气相沉积的设备主要包括一腔室、一载台及一靶材，其中载台及靶材位于腔室内。载台用以承载至少一基板，而靶材则设置在腔室的内表面并面对基板。在进行物理气相沉积时，可将惰性气体及/或反应气体输送至腔室内，并分别对靶材及载台施加偏压。腔室内的惰性气体会因为高压电场的作用，形成离子化的惰性气体。离子化的惰性气体会受到靶材的偏压吸引而轰本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台，其特征在于，包括：一腔体，包括一容置空间；至少一进气口，设置在该腔体上，流体连接该腔体的该容置空间，并用以将一制程气体输送至该容置空间；一载台，位于该容置空间内，包括一承载面及一侧面，该承载面用以承载至少一基板，而该侧面则位于该承载面的周围；一环形构件，连接该载台，并覆盖该载台的部分该侧面；一挡件，位于该腔体的该容置空间内，其中该挡件的一端具有一环形凸缘；一盖环，设置在该挡件的该环形凸缘上，该盖环包括至少一凸起部，其中该凸起部位于该盖环的一径向内侧，并朝远离该环形构件的方向凸起；及一升降装置，用以驱动该载台相对于该挡件位移，其中该升降装置带动该载台朝该挡件位移，使得该盖环的该凸起部遮挡该载台的该侧面，并与该载台的该侧面之间具有一间距。2.根据权利要求1所述的可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台，其特征在于，其中该环形构件包括至少一凹槽朝向该盖环，而该盖环则用以遮盖该环形构件的部分该凹槽。3.根据权利要求1所述的可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台，其特征在于，其中该环形构件包括至少一对位部，而该盖环则包括至少一对位凸出部，该升降装置带动该载台靠近该挡件时，该盖环的该对位凸出部会接触并对位该环形构件的该对位部。4.根据权利要求1所述的可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台，其特征在于，包括一靶材位于该腔体的该容置空间内，该靶材面对该载台的该承载面或该基...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，
申请(专利权)人：鑫天虹厦门科技有限公司，
类型：发明
国别省市：