可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台及其遮挡构件制造技术

本发明专利技术提供一种可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台，主要包括一腔体、一载台、一环形构件、一挡件及一盖环。载台及挡件位于腔体的容置空间内，其中环形构件连接载台。盖环设置在挡件的一环形凸缘，并包括至少一凸起部，其中凸起部位于盖环的内侧，并朝腔体的顶部凸起。盖环的凸起部用以遮挡载台的侧面，以减少沉积在载台侧面上的薄膜。盖环的凸起部亦有利于引导载台上方的气体，使得气体由载台的上方流向盖环的径向外侧，以提高载台及基板的边缘区域的气体流动的稳定性，并提高沉积在基板的边缘区域的薄膜均匀度。区域的薄膜均匀度。区域的薄膜均匀度。

【技术实现步骤摘要】
可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台及其遮挡构件


[0001]本专利技术有关于一种可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台，可改善载台及基板的边缘区域的气体流动性，以提高沉积在基板表面的薄膜均匀度。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)及物理气相沉积(PVD)皆是常用的薄膜沉积制程，并普遍被使用在集成电路及显示器的制程中。
[0003]物理气相沉积是利用物理机制进行薄膜沉积的技术，其中物理机制主要是指物质的相变化，例如利用高温加热靶材，使得靶材气化而后使其沉积在基板上，以在基板的表面形成薄膜。另外亦可通过高能粒子轰击靶材，使得靶材表面的原子离开靶材，离开靶材的原子会沉积在基板上，并在基板表面形成薄膜。
[0004]物理气相沉积的设备主要包括一腔室、一载台及一靶材，其中载台及靶材位于腔室内。载台用以承载至少一基板，而靶材则设置在腔室的内表面并面对基板。在进行物理气相沉积时，可将惰性气体及/或反应气体输送至腔室内，并分别对靶材及载台施加偏压。腔室内的惰性气体会因为高压电场的作用，形成离子化的惰性气体。离子化的惰性气体会受到靶材的偏压吸引而轰击靶材，从靶材溅出的靶材原子或分子会沉积在基板的表面，以在基板的表面形成薄膜。
[0005]具体而言，物理气相沉积的制程温度较低，在沉积的过程中可大幅减少有毒溶液的使用，并可减少水资源的浪费，因此较其他薄膜沉积制程环保，此外几乎所有的材料的薄膜都可以通过物理气相沉积制作。
[0006]然而物理气相沉积相较于其他沉积制程而言，亦存在阶梯覆盖率(Step coverage)不佳及薄膜厚度的均匀性较不易控制等问题。

技术实现思路

[0007]为了提高薄膜沉积的均匀度，并减少薄膜沉积机台产生微尘(particle)，本专利技术提出一种新颖的可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台，主要于腔体的容置空间内设置至少一挡件、一环形构件及一盖环，其中盖环包括一凸起部用以遮挡载台的部分侧面，并有利于在载台的边缘区域形成均匀的气体流场，以提高沉积在载台承载的基板表面的薄膜均匀度。
[0008]本专利技术的一目的，在于提供一种可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台，主要包括一腔体、一载台、一环形构件、一挡件及一盖环，其中载台、环形构件、挡件及盖环位于腔体的一容置空间内。挡件的一端连接腔体，而另一端则形成一环形凸缘。载台用以承载至少一基板，而环形构件亦设置在载台上，并位于载台承载的基板周围。
[0009]盖环放置在挡件的环形凸缘上，其中盖环的内缘或径向内侧具有一凸起部。当载台朝挡件的方向位移时，盖环会接触载台及/或环形构件，而盖环的凸起部则会遮挡载台的部分侧面，以减少沉积在载台的侧面上的薄膜。此外通过本专利技术所述的盖环的设置，更有利于在载台及基板的边缘区域形成均匀的气体流场，以在基板的表面形成厚度均匀的薄膜。
[0010]本专利技术的环形构件具有至少一凹槽，而盖环则用以覆盖部分的凹槽，而盖环的凸起部则朝远离环形构件的方向凸出。此外盖环的凸起部包括一外表面及一内表面，其中外表面相对于内表面倾斜。凸起部的外表面可与载台的承载面及/或基板形成一近似连续的表面，并可将载台及/或基板上方气体经由凸起部的外表面引导至盖环的外侧，以在载台及/或基板的边缘区域形成稳定及均匀的气体流场。
[0011]本专利技术的一目的，在于提供一种可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台，其中环形构件或载台包括至少一对位部，而盖环则包括至少一对位凸部。当载台及/或环形构件朝盖环的方向位移时，对位部及对位凸部会相互接触，并将盖环引导到载盘及/或环形构件的特定位置，以对位盖环及载台。
[0012]载台包括一加热单元及一导电部，其中导电部位于加热单元的上方，而环形构件则覆盖加热单元的侧面。环形构件不会完全覆盖导电部的侧面，使得部分导电部的侧面为裸露，以利于导电部在载台及/或基板的边缘区域形成电场。
[0013]当盖环连接载台及/或环形构件时，盖环的凸起部会遮挡导电部的侧面，但盖环的凸起部不会接触导电部的侧面，其中盖环与导电部之间具有一间距。通过在盖环上设置凸起部，可减少沉积在导电部的侧面上的薄膜，并有利于在载台及/或基板的边缘区域形成稳定的气体流场。
[0014]为了达到上述的目的，本专利技术提出一种可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台，包括：一腔体，包括一容置空间；至少一进气口，设置在腔体上，流体连接腔体的容置空间，并用以将一制程气体输送至容置空间；一载台，位于容置空间内，包括一承载面及一侧面，承载面用以承载至少一基板，而侧面则位于承载面的周围；一环形构件，连接载台，并覆盖载台的部分侧面；一挡件，位于腔体的容置空间内，其中挡件的一端具有一环形凸缘；一盖环，设置在挡件的环形凸缘上，盖环包括至少一凸起部，其中凸起部位于盖环的一径向内侧，并朝远离环形构件的方向凸起；及一升降装置，用以驱动载台相对于挡件位移，其中升降装置带动载台朝挡件位移，使得盖环的凸起部遮挡载台的侧面，并与载台的侧面之间具有一间距。
[0015]本专利技术提出一种可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台的遮挡构件，包括：一环形构件，用以连接一载台，其中载台用以承载至少一基板；一挡件，其中挡件的一端具有一环形凸缘；及一盖环，设置在挡件的环形凸缘上，位于环形构件的上方，盖环包括至少一凸起部，其中凸起部位于盖环的一径向内侧，并朝远离环形构件的方向凸起。
[0016]所述的可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台及其遮蔽构件，其中环形构件包括至少一凹槽朝向盖环，而盖环则用以遮盖环形构件的部分凹槽。
[0017]所述的可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台及其遮蔽构件，其中环形构件包括至少一对位部，而盖环则包括至少一对位凸出部，升降装置带动载台靠近挡件时，盖环的对位凸出部会接触并对位环形构件的对位部。
[0018]所述的可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台及其遮蔽构件，包括一靶材位于腔体的容置空间内，靶材面对载台的承载面或基板。
[0019]所述的可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台及其遮蔽构件，其中盖环的凸起部包括一内表面及一外表面，外表面相对于内表面倾斜。
[0020]所述的可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台及其遮蔽构件，其中盖环的凸起部的内表面具有一粗化构造。
[0021]所述的可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台及其遮蔽构件，其中载台包括一加热单元及一导电部，加热单元与导电部层迭设置，导电部较加热单元靠近载台的承载面，环形构件覆盖加热单元的一侧面，而部分或全部导电部的一侧面为裸露。
[0022]本专利技术的有益效果是：提供一种可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台，可改善载台及基板的边缘区域的气体流动性，以提高沉积在基板表面的薄膜均匀度。
附图说明
[0023]图1为本专利技术可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台一实施例的构造示意图。
[0024]图2为本专利技术可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台的遮挡构件一实施例的立体剖面示意图。
[0025]图3为本专利技术可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台的遮挡构件一实施例的剖面示意图。
[0026]图4为本专利技术可提高沉积均匀度的薄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台，其特征在于，包括：一腔体，包括一容置空间；至少一进气口，设置在该腔体上，流体连接该腔体的该容置空间，并用以将一制程气体输送至该容置空间；一载台，位于该容置空间内，包括一承载面及一侧面，该承载面用以承载至少一基板，而该侧面则位于该承载面的周围；一环形构件，连接该载台，并覆盖该载台的部分该侧面；一挡件，位于该腔体的该容置空间内，其中该挡件的一端具有一环形凸缘；一盖环，设置在该挡件的该环形凸缘上，该盖环包括至少一凸起部，其中该凸起部位于该盖环的一径向内侧，并朝远离该环形构件的方向凸起；及一升降装置，用以驱动该载台相对于该挡件位移，其中该升降装置带动该载台朝该挡件位移，使得该盖环的该凸起部遮挡该载台的该侧面，并与该载台的该侧面之间具有一间距。2.根据权利要求1所述的可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台，其特征在于，其中该环形构件包括至少一凹槽朝向该盖环，而该盖环则用以遮盖该环形构件的部分该凹槽。3.根据权利要求1所述的可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台，其特征在于，其中该环形构件包括至少一对位部，而该盖环则包括至少一对位凸出部，该升降装置带动该载台靠近该挡件时，该盖环的该对位凸出部会接触并对位该环形构件的该对位部。4.根据权利要求1所述的可提高沉积均匀度的薄膜沉积机台，其特征在于，包括一靶材位于该腔体的该容置空间内，该靶材面对该载台的该承载面或该基...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，
申请(专利权)人：鑫天虹厦门科技有限公司，
类型：发明
国别省市：