一种铝合金靶材及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种铝合金靶材及其制备方法，属于靶材制备领域。本发明专利技术提出将铝铜铸锭旋转锻打、轧制整形、热处理得到靶材胚料。将靶材胚料和铝合金背板进行V型齿槽加工，卡合后进行冷等静压处理和V型齿结合边缘凹面电子束焊接得到铝合金靶材。本发明专利技术运用冷等静压处理与电子束焊接相结合的方式保证结合率高于98％。V型齿啮合技术，增大结合面面积，大大提高结合率，同时降低人工成本，减少传统绑定能耗，提高了人员舒适性。冷等静压处理二次循环压制工艺，极大的保证了靶材结合强度以及一定程度上减少了杂质的渗入，保证了靶材完整性。本发明专利技术铝合金靶材适用于物理气相沉积中的应用。用。

【技术实现步骤摘要】
一种铝合金靶材及其制备方法


[0001]本专利技术属于靶材制备
，具体涉及一种铝合金靶材及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前物理气相沉积(PVD)技术是半导体芯片最关键的工艺之一，作为主要的原材料
‑
溅射金属靶材，应用最为广泛的包括高纯铝及铝合金靶材。靶材的晶粒尺寸、组织成分、晶粒取向都会极大地影响半导体的溅射成膜工艺，因此通过一种新的工艺方法制备出平均晶粒尺寸小于150um的靶材尤为重要。现有的靶材制备工艺及方法，通过单纯的轧制、铟绑定工艺很难控制晶粒大小，轧制变形会形成内应力，受热拱起，形变量不足，晶粒破碎不彻底导致晶粒无法细化。同时铟绑定工艺会导致靶坯与背板结合面温度升高，晶粒粗大且分布不均，无法满足晶粒细小且均匀分布的要求。如何寻求工艺与靶材晶粒之间的平衡点尤为重要。
[0003]CN104625389A公开了一种集成电路封装材料用铝合金溅射靶材的焊接方法，包括：在靶材焊接面上加工出一定形状尺寸的凸齿，在背板上加工出对应的凹槽，将靶材与背板进行装配组合后，放入包套进行真空封焊，然后采用热等静压的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铝合金靶材的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)将铝铜铸锭旋转锻打；(2)将步骤(1)得到的铝合金轧制整形；(3)将步骤(2)得到的铝合金热处理得到靶材胚料；(4)将步骤(3)得到的靶材胚料和铝合金背板进行V型齿槽加工；(5)将步骤(4)V型齿槽加工后得到的靶材胚料和铝合金背板卡合后进行冷等静压处理得到靶材；(6)将步骤(5)得到的靶材真空干燥后进行V型齿结合边缘凹面电子束焊接得到铝合金靶材。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述旋转锻打分两步锻打，道次变形量10～15％，锻打总变形量为60～70％。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述轧制整形的总变形量为20～40％。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述轧制整形后铝合金平面度小于0.5mm。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：芦海东，黄宇彬，童培云，朱刘，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：