铟锡氧化物薄膜、其制法及包含其的光吸收元件制造技术

本发明专利技术涉及铟锡氧化物薄膜、其制法及包含其的光吸收元件，具体地，本发明专利技术提供的铟锡氧化物薄膜的制法包含步骤(a)：提供一铟锡氧化物靶材；及步骤(b)：在一混合气体中溅镀该铟锡氧化物靶材，以获得该铟锡氧化物薄膜；该混合气体包含氩气及一添加气体，该添加气体包含氢气、甲烷或乙烯，且该添加气体的气体分压比例为10％至50％；该铟锡氧化物薄膜包含铟、锡以及氧，且以该铟锡氧化物薄膜中的铟和锡的原子总数为基准，铟的含量为80at％至95at％，锡的含量为5at％至20at％。所述制法无需在严格制程条件下即可制得具有特定光穿透率及吸收率且良好品质的薄膜，进而可应用于薄膜电晶体液晶显示器或触控荧幕中。晶显示器或触控荧幕中。

【技术实现步骤摘要】
铟锡氧化物薄膜、其制法及包含其的光吸收元件


[0001]本专利技术关于一种薄膜、其制法及包含其的元件，尤指一种铟锡氧化物薄膜、其制法及包含其的光吸收元件。

技术介绍

[0002]薄膜电晶体液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display， TFT
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LCD)是指影像中的每一个像素皆有对应的电晶体能进行独立控制，从而能够达到反应速度快以及改善影像品质等效果，因此已成为影像显示器中的主流产品。简单来说，薄膜电晶体液晶显示器可视为两片玻璃基板中间夹着一层液晶，上层的玻璃基板含有彩色滤光片、下层的玻璃基板则有电晶体镶嵌于上，再搭配背光板提供光源，即可呈现出彩色影像。
[0003]薄膜电晶体液晶显示器的制作通常包含三个阶段制程，分别为薄膜制程(Array)、面板制程(Cell)以及模组制程(Module)。其中，薄膜制程是将薄膜电晶体形成于玻璃基板上，面板制程为将含有薄膜电晶体的玻璃基板与含有彩色滤光片的玻璃基板进行结合，并且在两片玻璃基板间灌入液晶，而模组制程则是接着将玻璃基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铟锡氧化物薄膜的制法，其包含以下步骤：步骤(a)：提供一铟锡氧化物靶材；以及步骤(b)：在含有一混合气体的溅镀环境中，溅镀该铟锡氧化物靶材，以形成该铟锡氧化物薄膜；其中，该混合气体包含氩气以及一添加气体，该添加气体包含氢气、甲烷或乙烯，且该添加气体相对于该混合气体的气体分压百分比为10％至50％；该铟锡氧化物薄膜包含铟、锡以及氧；以该铟锡氧化物薄膜中的铟和锡的原子总数为基准，铟的含量为80原子百分比至95原子百分比，锡的含量为5原子百分比至20原子百分比。2.如权利要求1所述的铟锡氧化物薄膜的制法，其中，该铟锡氧化物靶材包含铟、锡以及氧，且以该铟锡氧化物靶材中的铟和锡的原子总数为基准，铟的含量为80原子百分比至96原子百分比，锡的含量为1原子百分比至20原子百分比。3.如权利要求2所述的铟锡氧化物薄膜的制法，其中，该铟锡氧化物靶材更包含一第一成分，该第一成分包含镍、钛、锌、硅或锆；且以该铟锡氧化物靶材中的铟、锡和该第一成分的原子总数为基准，铟的含量为60原子百分比至91原子百分比，锡的含量为1原子百分比至20原子百分比，该第一成分的含量为大于0原子百分比且小于或等于20原子百分比；该铟锡氧化物薄膜更包含该第一成分。4.如权利要求3所述的铟锡氧化物薄膜的制法，其中，以该铟锡氧化物薄膜中的铟、锡和该第一成分的原子总数为基准，...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪英展，黄圣涵，
申请(专利权)人：光洋应用材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：