一种提高LED芯片亮度的ITO层制备方法技术

本发明专利技术涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种提高LED芯片亮度的ITO层制备方法，包括如下步骤：将基片和ITO靶材置入蒸镀机；S2：设置蒸镀机抽真空至压强低于5.0E

【技术实现步骤摘要】
一种提高LED芯片亮度的ITO层制备方法


[0001]本专利技术涉及LED芯片
，具体涉及一种提高LED芯片亮度的ITO层制备方法。

技术介绍

[0002]LED(Light Emitting Diode)即发光二极管，是一种电能转化为光能的固态半导体器件。作为新型的发光器件，LED具有高光效、节能、使用寿命长、响应时间短、环保等优点，因此被称为最有潜力的新一代光源。
[0003]LED芯片主要包括依次层叠的衬底、N层、量子阱层、P层和ITO层；在LED芯片通电后，N层的电子和P层的空穴在量子阱层中结合而发出光线。ITO层在LED芯片中起到扩散电流的作用，避免电流集中流过量子阱层而降低LED芯片的发光量。ITO层通常有两个性能指标：电阻率和透光率。更低电阻率意味着LED芯片更低的工作电压而实现LED芯片更高的发光量。更高的透光率意味着ITO层阻挡更少的光线而提高了LED芯片的发光量。
[0004]参考公开号为CN112510132A的中国专利公开的一种双层ITO膜的LED芯片结构及其制作方法，其通过对ITO层的通氧的高温快速退火，提高了ITO层的导电性(也就是降低了电阻率)和高光透过性。但该方案对ITO层导电性和透光率的提高幅度并没有达到本领域技术人员的预期。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种提高LED芯片亮度的ITO层制备方法，降低ITO层的电阻率，提高ITO层的透光率。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的一种技术方案为：一种提高LED芯片亮度的ITO层制备方法，包括如下步骤：
[0007]S1：制备LED的基片和ITO靶材；将基片和ITO靶材置入蒸镀机；
[0008]S2：设置蒸镀机抽真空至压强低于5.0E
‑
4pa，设置蒸镀机温度80
‑
100度，设置蒸镀机的镀锅转速9
‑
11RPM；
[0009]设置蒸镀机的镀率，使基板上蒸镀出的ITO层；得到的基片和ITO层合称Wafer1；
[0010]S3：将Wafer1置入退火炉，在对Wafer1退火处理的同时，向退火炉通入氧气；完成LED芯片的ITO层的制备。
[0011]本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供的提高LED芯片亮度的ITO层制备方法中，蒸镀机的压强、温度以及镀率的设置使ITO在蒸镀过程中与空气的氧气充分氧化，形成致密性更优良的ITO层；使得ITO层的电阻率降低而透光性提高。
[0012]在ITO层退火的过程中，向退火炉通入氧气，能使ITO层中的氧原子与退火炉中的氧气结合，促进ITO层中的SnO反应成SnO2，使得ITO层的电阻率降低而透光性提高。
[0013]本专利技术采用的一种技术方案为：一种提高LED芯片亮度的ITO层，，为权利要求1
‑
8的步骤所制得的ITO层。
具体实施方式
[0014]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式予以说明。
[0015]本专利技术提供的一种提高LED芯片亮度的ITO层制备方法，包括如下步骤：
[0016]S1：制备LED的基片和ITO靶材；将基片和ITO靶材置入蒸镀机；
[0017]S2：设置蒸镀机抽真空至压强低于5.0E
‑
4pa，设置蒸镀机温度80
‑
100度，设置蒸镀机的镀锅转速9
‑
11RPM；
[0018]设置蒸镀机的镀率，使基板上蒸镀出的ITO层；得到的基片和ITO层合称Wafer1；
[0019]S3：将Wafer1置入退火炉，在对Wafer1退火处理的同时，向退火炉通入氧气；完成LED芯片的ITO层的制备。
[0020]由上描述可知，本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供的提高LED芯片亮度的ITO层制备方法中，蒸镀机的压强、温度以及镀率的设置使ITO在蒸镀过程中与空气的氧气充分氧化，形成致密性更优良的ITO层；使得ITO层的电阻率降低而透光性提高。
[0021]在ITO层退火的过程中，向退火炉通入氧气，能使ITO层中的氧原子与退火炉中的氧气结合，促进ITO层中的SnO反应成SnO2，使得ITO层的电阻率降低而透光性提高。
[0022]进一步地，所述S1的“制备LED的基片”具体为：
[0023]将衬底置入MOCVD的反应腔，在衬底上依次生长N层、量子阱层和P层；得到基片。
[0024]由上描述可知，上述设置提供一种简单高效的获得LED的基片的方法。
[0025]进一步地，所述S1的“制备ITO靶材”具体为：配制ITO靶材，ITO靶材中Sn2O3与In2O3的分子数比为3％：97％
‑
7％：93％。
[0026]由上描述可知，以上述Sn2O3与In2O3比例形成ITO层性能更优良。
[0027]进一步地，所述S1还包括S1.1和S1.2；
[0028]S1.1：向蒸镀机通入氩气和氧气；
[0029]S1.2设置蒸镀机的离子枪60
‑
70A的工作电流和220V的工作电压，对ITO靶材进行120
‑
140S的熔融；
[0030]调整离子枪的工作电流至50
‑
60A，对ITO靶材进行40
‑
50S的熔融。
[0031]由上描述可知，向蒸镀机通入氧气进一步使ITO在蒸镀时获得充分的氧化。
[0032]所述离子枪的设置，对ITO靶材进行预熔，使ITO的镀率更均匀，ITO层的蒸镀质量更高。
[0033]进一步地，所述S1.1和S1.2具体为：设置蒸镀机抽真空至压强低于5.0E
‑
4pa，设置蒸镀机温度80
‑
100度，设置蒸镀机的镀锅转速9
‑
11RPM；
[0034]向蒸镀机通入70
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90sccm的氩气和5
‑
15sccm的氧气，持续25
‑
35S；
[0035]设置蒸镀机的离子枪60
‑
70A的工作电流和220V的工作电压，对ITO靶材进行120
‑
140S的熔融；
[0036]调整离子枪的工作电流至50
‑
60A，对ITO靶材进行40
‑
50S的熔融。
[0037]由上描述可知，上述设置提供一种简单高效的蒸镀ITO层的方法。
[0038]进一步地，所述S2还包括S2.1；
[0039]S2.1：将Wafer1冷却至20
‑
30度。
[0040]由上描述可知，在退火前先冷却Wafer1使ITO层的退火效果更优良。
[0041]进一步地，所述S3具体为：将Wafer1置入退火炉，对退火炉抽真空，设置退火炉的温度在50
‑
60S的时间内从室温匀速提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高LED芯片亮度的ITO层制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：制备LED的基片和ITO靶材；将基片和ITO靶材置入蒸镀机；S2：设置蒸镀机抽真空至压强低于5.0E
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4pa，设置蒸镀机温度80
‑
100度，设置蒸镀机的镀锅转速9
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11RPM；设置蒸镀机的镀率，使基板上蒸镀出的ITO层；得到的基片和ITO层合称Wafer1；S3：将Wafer1置入退火炉，在对Wafer1退火处理的同时，向退火炉通入氧气；完成LED芯片的ITO层的制备。2.根据权利要求1所述的提高LED芯片亮度的ITO层制备方法，其特征在于，所述S1的“制备LED的基片”具体为：将衬底置入MOCVD的反应腔，在衬底上依次生长N层、量子阱层和P层；得到基片。3.根据权利要求1所述的提高LED芯片亮度的ITO层制备方法，其特征在于，所述S1的“制备ITO靶材”具体为：配制ITO靶材，ITO靶材中Sn2O3与In2O3的分子数比为3％：97％
‑
7％：93％。4.根据权利要求1所述的提高LED芯片亮度的ITO层制备方法，其特征在于，所述S1还包括S1.1和S1.2；S1.1：向蒸镀机通入氩气和氧气；S1.2设置蒸镀机的离子枪60
‑
70A的工作电流和220V的工作电压，对ITO靶材进行120
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140S的熔融；调整离子枪的工作电流至50
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60A，对ITO靶材进行40
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50S的熔融。5.根据权利要求4所述的提高LED芯片亮度的ITO层制备方法，其特征在于，所述S1.1和S1.2具体为：设置蒸镀机抽真空至压强低于5.0E
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4pa，设置蒸镀机温度80
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【专利技术属性】
技术研发人员：李文浩，林武，王世博，郑恺，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：发明
国别省市：