掩模的布局方法、半导体器件及其制造方法技术

提供一种掩模的布局方法，以及利用根据题述掩模的布局方法所产生的掩模的半导体器件及其制造方法。该半导体器件可包括：微透镜主图案，位于衬底上；以及微透镜虚设图案，处在所述微透镜主图案的一侧。利用题述掩模的布局方法产生的掩模可以形成多个微透镜虚设图案。根据题述掩模的布局方法的实施例，可通过形成基底虚设图案并且从该基底虚设图案去除边缘区域产生微透镜虚设图案。可将微透镜虚设图案产生为具有大体圆形形状。在一个实施例中，该大体圆形形状为八边形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
通常，半导体器件具有多层结构，其中该多层结构的每一层一般都是通过沉积工艺或溅射工艺形成的，然后通过平版印刷工艺(lithography process) 图案化。但是，由于形成在半导体器件的衬底上的图案的尺寸和密度不同，可能 会产生各种问题。为了解决上述问题，正在研发连同主图案一起形成虚设图 案(dummypattern)的方法。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种掩模的布局方法和使用根据题述掩模布局方法所形成的掩模的半导体器件及其制造方法。掩模的布局方法的实施例提供微透镜虚设图案。 根据题述掩模的布局方法的实施例，可以确保图案均匀性。 根据本专利技术实施例的掩模的布局方法能够提高图案密度。 此外，根据本专利技术实施例的掩模布局方法能够简化设计和制造工艺。 根据实施例的半导体器件包括微透镜主图案，位于衬底上；以及微透镜虚设图案，位于所述衬底上，邻近所述微透镜主图案的一侧。此外，根据实施例的半导体器件的制造方法包括在衬底上形成微透镜主图案；以及在所述衬底上所述微透镜主图案的一侧形成微透镜虚设图案。 更进一步，根据实施例的掩模的布局方法包括在主芯片区域形成微透镜主图案；以及在未形成所述微透镜主图案的区域形成微透镜虚设图案。附图说明图1为根据实施例的半导体器件的平面图。图2为根据实施例沿图1中的I-I'线所取的半导体器件的横截面视图。 图3A至图3C为用于描述根据实施例的掩模的布局方法的示意图。具体实施例方式此后，将参考附图说明根据本专利技术实施例的掩模的布局方法、半导体器 件及其制造方法。在实施例的描述中，可以理解的是，当一层(或膜)被称为位于另一层 或衬底上时，其可以直接位于另一层或衬底上，或者也可能存在中间层。 此外，也可以理解，当一层被称为位于另一层下时，其可以直接位于另 一层下，或者也可能存在一个或多个中间层。此外，可以理解的是，当一层 被称为位于两层之间时，其可以为这两层之间唯一的层，或者也可能存 在一个或多个中间层。参见图1至图2，根据实施例的半导体器件可包括微透镜主图案(未示出)，形成在半导体器件的衬底100上；以及微透镜虚设图案102，形成 在该微透镜主图案的一侧。根据实施例，微透镜虚设图案102设置在未形成有微透镜主图案的区域 内，从而可以提高主图案区域与虚设图案区域之间的图案均匀性(pattern uniformity)。此外，根据实施例，微透镜虚设图案102可以形成为大体圆形形状。这 种大体圆形形状可以用来改善主图案区域与虚设图案区域之间的图案均匀 性。在一个实施例中，微透镜虚设图案102的大体圆形形状可以是八边形的 结构。虽然图中示出的微透镜虚设图案102具有八边形形状，但是其仅用于举 例说明的目的。该微透镜虚设图案102可以形成为各种形状。下面，将参考图1和图2描述根据实施例的半导体器件的制造方法。 可根据设计来设置具有各种结构(未示出)的衬底100，并可在衬底100 上形成金属图案104。该金属图案104可以是最上面的金属图案，但是实施 例不限制于此。接下来，可以在具有金属图案104的衬底100上形成层间介电层105。该层间介电层105可以具有单层结构或多层结构。接着，在某些实施例中，可以在层间介电层105上形成滤色层。滤色层 可以包括滤色镜主图案(未示出)和滤色镜虚设图案101。在具有滤色镜的 一个实施例中，滤色镜主图案可包括通过涂敷和图案化可染色光致抗蚀剂而 形成的红-绿-蓝(RGB)滤色镜主图案，以根据光的波长对光进行过滤。RGB滤色镜主图案包括红(R)滤色镜、绿(G)滤色镜以及蓝(B)滤 色镜，它们可以通过相对于红(R)滤色层、绿(G)滤色层以及蓝(B)滤 色层选择性地实施三次光刻工艺(photolithographyprocess)来形成。在形成红(R)滤色镜、绿(G)滤色镜以及蓝(B)滤色镜之后，可以 实施UV曝光工艺以提高滤色层表面的稳定性。接着，可以在包括滤色镜主图案和滤色镜虚设图案101的滤色层上形成 平坦化层103。在实施例中，平坦化层103可以形成在滤色镜主图案上，以制备用于微 透镜层的衬底，并调节焦距，其中该微透镜层形成于钝化层103上。在某些实施例中，可以实施热处理工艺以固化平坦化层103。在一个实 施例中，在约15(TC至30(TC的温度实施热处理工艺，以使得平坦化层103 固化和稳定。接着，可以在平坦化层103上形成微透镜主图案(未示出)和微透镜虚 设图案102。在一个实施例中，可以使用单独的掩模依次地形成微透镜主图 案和微透镜虚设图案102。在另一实施例中，可以同时形成微透镜主图案和 微透镜虚设图案102。根据本专利技术的实施例，微透镜虚设图案102被插入未形成微透镜主图案 的区域中，因此可以提高主图案区域与虚设图案区域之间的图案均匀性。此外，根据实施例，微透镜虚设图案102具有大体圆形形状，因此可以 提高主图案区域与虚设图案区域之间的图案均匀性。在特定实施例中，微透 镜虚设图案102的大体圆形形状可以包括八边形结构。当然，实施例不限于 八边形结构。以下将参考图3A至图3C描述根据本专利技术实施例的掩模的布局方法。在 使用例如布局软件工具进行布局设计期间，可以在主芯片区域(未示出)上 产生微透镜主图案(未示出)。接着，可以使用布局软件工具在未形成微透镜主图案的区域上形成微透镜虚设图案102。首先，参见图3A，根据一个实施例，可以在未形成微透镜主图案的区 域上形成具有多边形形状的基底虚设图案102a。该基底虚设图案102a可以 具有正多边形形状。在特定实施例中，基底虚设图案102a具有规则的正方 形形状，但是实施例不限于此。参见图3B，边缘区域102b可以限定在基底虚设图案102a的边缘处。 在一个实施例中，边缘区域102b可以具有直角等腰三角形形状，但是 实施例不限于此。在使用直角等腰三角形形状的特定实施例中，直角等腰三角形除了其斜 边之外的侧边的长度a与基底虚设图案102a的一个侧边的长度3a的1/3相 对应。接着，参见图3C，可以从基底虚设图案102a去除边缘区域102b，以形 成微透镜虚设图案102。可用任何已知的布局软件工具来完成该步骤。如上所述，根据实施例，可以使用具有规则正方形形状的基底虚设图案 来形成具有大体圆形形状的微透镜虚设图案，从而能以高速和提高的准确度 实现虛设图案的布局。此外，根据实施例，将微透镜虚设图案插入未形成微透镜主图案的区域 中，从而能提高主图案区域与虚设图案区域之间的图案均匀性。更进一步，根据实施例，可以通过简单地去除规则正方形形状的边缘区 域来产生微透镜虚设图案，从而可以减少虚设图案布局所需的数据负载(data load)。根据实施例，由于图案的均匀性，每个图案可以具有相同的CD (临界 尺寸)。此外，根据实施例，可以简化布局工艺和制造工艺。 在本说明书中提到的一个实施例、实施例、示例性实施例 等，都意味着结合实施例所描述的特定的特征、结构、或特性被包含在本发 明的至少一个实施例中。在本说明书各处出现的这些词语并不一定都指同一 个实施例。此外，当结合任一实施例来描述特定的特征、结构、或特性时， 则认为其落入本领域技术人员可以结合其它的实施例来实施这些特征、结构或特性的范围内。虽然以上参考本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：微透镜主图案，位于衬底上；以及微透镜虚设图案，位于所述衬底上，处在所述微透镜主图案的一侧。

【技术特征摘要】
KR 2007-5-10 10-2007-00456241. 一种半导体器件，包括微透镜主图案，位于衬底上；以及微透镜虚设图案，位于所述衬底上，处在所述微透镜主图案的一侧。2. 如权利要求1所述的半导体器件，还包括滤色镜虚设图案，设置 在所述衬底上，位于所述微透镜虚设图案之下。3. 如权利要求1所述的半导体器件，其中所述微透镜虚设图案具有大 体圆形形状。4. 如权利要求1所述的半导体器件，其中所述微透镜虚设图案具有八 边形形状。5. —种半导体器件的制造方法，包括 在衬底上形成微透镜主图案；以及在所述衬底上所述微透镜主图案的一侧形成微透镜虚设图案。6. 如权利要求5所述的方法，还包括在形成所述微透镜主图案以及 所述微透镜虚设图案之前，形成滤色镜虚设图案。7. 如权利要求5所述的方法，其中将所述微透镜虚设图案形成为大体 圆形形状。8. 如权利要求7所述的方法，其中将所述微透镜虚设图案形成为八边 形形状。9. 如权利要求5所述的方法，其中形成所述微透镜主图案与形成所述 微透镜虚设图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：李相熙，曹甲焕，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]