半导体芯片及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体芯片及其制造方法。该半导体芯片形成有对应于焊盘电极的凸点。该焊盘电极覆盖有镍层。该凸点具有铟层和在铟层与镍层之间设置的中间金属化合物层，并且中间金属化合物层通过合金化铟层和铜层而形成，铜层包含的铜原子相对于铟层中的铟原子具有不低于０．５原子百分比且不高于５原子百分比。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。特别是，本专利技术涉及其中对应于焊盘电极形成有凸点(bump)的。
技术介绍
取4戈引线4建合方法(wire bonding method )，倒装方法(face down method ) 应用于密集安装半导体芯片。在倒装方法中，对应于半导体芯片的焊盘电极 形成的凸点热压在配线板的端子上(例如，参照专利文件1 ，日本专利2697116 号，以及专利文件2，日本未审查专利申请7>开2000-349123号)。具体地讲，凸点形成在半导体芯片的基板表面上，从而该凸点对应于在 基板表面上提供的焊盘电极。其上形成有凸点的基板表面面朝下地由结合设 备的结合头支撑。然后，配线板支撑在结合设备上，从而提供有端子的表面的凸点和配线板的端子对准，以便它们彼此对应，然后凸点热结合(thermally bond )到端子。例如，在焊料凸点在溶化状态时，二者通过无焊剂连接(fluxless connection)彼此结合，在该连接中，结合头在面对的方向上垂直运动或者 在平面方向上4黄向运动。
技术实现思路
图14示意性地展示了半导体芯片101的一部分，其中凸点121形成在 焊盘电极11本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体芯片，形成有凸点以使该凸点对应于焊盘电极，其中　　　　该焊盘电极覆盖有镍层；　　　　该凸点具有铟层和设置在该铟层与该镍层之间的中间金属化合物层；以及　　　　该中间金属化合物层通过合金化该铟层和铜层而形成，该铜层包含的铜原子相对于该铟层中的铟原子具有不低于０．５原子百分比且不高于５原子百分比。

【技术特征摘要】
JP 2007-5-7 122156/071、一种半导体芯片，形成有凸点以使该凸点对应于焊盘电极，其中该焊盘电极覆盖有镍层；该凸点具有铟层和设置在该铟层与该镍层之间的中间金属化合物层；以及该中间金属化合物层通过合金化该铟层和铜层而形成，该铜层包含的铜原子相对于该铟层中的铟原子具有不低于0.5原子百分比且不高于5原子百分比。2、 根据权利要求1所述的半导体芯片，其中在该焊盘电极上，该镍层 形成的厚度为0.5(am或者之下。3、 一种制造半导体芯片的方法，在该半导体芯片中对应于焊盘电极形 成凸点，该方法包括镍层形成步骤，形成镍层以覆盖该焊盘电极；以及 凸点形成步骤，对应于覆盖有该镍层的焊盘电极形成该凸点，.其中 该凸点形成步骤包括铜层形成步骤，在该镍层上形成铜层；铟层形成步骤，在该铜层上形成铟层；以及热处理步骤，通过进行热处理使该铜层和该铟层合金化以生成中间 金属化合物层而形成该凸点，其中在该铜层形成步骤中，形成该铜层使得该铜层中的铜原子相对于在 该铟层形成步骤中形成的铟层中的铟原子的比率不小于0.5原子百分比 且不大于5原子百分比。4、 根据权利要求3所述的形成半导体芯片的方法，其中在该镍层形成 步骤中，在该焊盘电极上形成的镍层的厚度为0.5pm或者之下。5、 根据权利要求4所述的形成半导体芯片的方法，其中在该镍层形成 步骤中，该镍层通过由溅...

【专利技术属性】
技术研发人员：尾崎裕司，胁山悟，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]