电力半导体装置及其制造方法、电子设备及引线架部件制造方法及图纸

技术编号:3170719 阅读:173 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及电力半导体装置、电子设备和引线架部件、以及电力半导体装置的制造方法。本发明专利技术提供一种电力半导体装置,其具备:电力元件、将所述电力元件树脂密封的封装、装配所述电力元件的电力元件装配部、以及从包含自所述电力元件装配部导出的电力元件用引线端子的多个所述封装导出的引线端子。该电力半导体装置具备散热部件,该散热部件具有:以与所述电力元件用引线端子邻接的状态与所述电力元件用引线端子一体连接的散热用引线端子、和与所述散热用引线端子一体连接的散热部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具备三端双向开关元件、晶闸管元件等电力元件的固体继电 器等的电力半导体装置、及具备该电力半导体装置的电子设备和? 1线架部件、 以及电力半导体装置的制造方法。
技术介绍
作为具备三端双向开关元件或晶闸管元件等电力元件的现有的电力半导体装置,例如可举出具备如下元件的固体继电器,其具备将电信号转换为 光信号的发光元件、将来自所述发光元件的光信号转换为电信号的受光元件、 与所述受光元件连接的电力元件、按照将所述发光元件及所述受光元件光耦 合的方式将所述发光元件及所述受光元件与所述电力元件一起进行树脂密封 的封装。这种现有的电力半导体装置,由于伴随对电力元件的通电的温度上升, 而导致其特性恶化及可靠性降低等不良情况。因此,为提高散热效果而进行 了各种研究。下面,以DIP (Dual Inline Package)型固体继电器为例来说明 其一例。图14a及图14b是表示现有的DIP型固体继电器的内部结构一例的图, 图14a是从侧面看到的该固体继电器的概略透视图,图14b是从平面看该固 体继电器的概略透视图。如图14a及图14b所示,固体继电器A具有如下内部结构,在输入侧引 线架本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电力半导体装置,具备:电力元件、将所述电力元件树脂密封的封装、装配所述电力元件的电力元件装配部、从包含自所述电力元件装配部导出的电力元件用引线端子的多个所述封装导出的引线端子,其特征在于,具备散热部件,所述散热部件具有:以与所述电力元件用引线端子邻接的状态与所述电力元件用引线端子一体连接的散热用引线端子、以及与所述散热用引线端子一体连接的散热部。

【技术特征摘要】
JP 2007-5-8 123660/071、一种电力半导体装置,具备电力元件、将所述电力元件树脂密封的封装、装配所述电力元件的电力元件装配部、从包含自所述电力元件装配部导出的电力元件用引线端子的多个所述封装导出的引线端子,其特征在于,具备散热部件,所述散热部件具有以与所述电力元件用引线端子邻接的状态与所述电力元件用引线端子一体连接的散热用引线端子、以及与所述散热用引线端子一体连接的散热部。2、 如权利要求1所述的电力半导体装置,其特征在于,所述封装的引 线端子结构为DIP型结构,通过使所述电力元件用引线端子的前端部侧相对部件相对于该上面配置成大致垂直姿态。3、 如权利要求2所述的电力半导体装置,其特征在于,所述散热部件 配置成所述大致垂直姿态,且向所述封装上面的相反侧弯曲。4、 如权利要求2所述的电力半导体装置,其特征在于,所述散热部件 配置成所述大致垂直姿态,且向与所述封装的电力元件用引线端子导出侧面 邻接的该封装的电力元件用引线端子侧端面的相反侧弯曲。5、 如权利要求2所述的电力半导体装置,其特征在于,通过使从所述 封装的电力元件用引线端子导出侧面的引线端子的导出位置在所述封装的 高度方向上比中央位置更靠该封装的上面侧配置,而使所述散热用引线端子 与所述电力元件用引线端子的连接部在该封装的高度方向上增大。6、 如权利要求3所述的电力半导体装置,其特征在于,通过使从所述 封装的电力元件用引线端子导出侧面的引线端子的导出位置在所述封装的 高度方向上比中央位置更靠该封装的上面侧配置,而使所述散热用引线端子 与所述电力元件用引线端子的连接部在该封装的高度方向上增大。7、 如权利要求4所述的电力半导体装置,其特征在于,通过使从所述 封装的电力元件用引线端子导出侧面的引线端子的导出位置在所述封装的 高度方向上比中央位置更靠该封装的上面侧配置,而使所述散热用引线端子 与所述电力元件用引线端子的连接部在该封装的高度方向上增大。8、 如权利要求1所述的电力半导体装置,其特征在于,在所述散热部设有用于插入固定部件的贯通孔。9、 如权利要求1所述的电力半导体装置,其特征在于,在所述散热部 设有在厚度方向上凹陷的凹部。10、 如权利要求1所述的电力半导体装置,其特征在于,在所述散热部设有多个沿规定方向延伸的剖面v字状的切口。11、 如权利要求1所述的电力半导体装置,其特征在于,所述散热部件 按照以沿规定方向延伸的折曲线重合的方式折曲。12、 如权利要求11所述的电力半导体装置,其特征在于,在所述散热 部件上,以所述折...

【专利技术属性】
技术研发人员:长谷川也寸志
申请(专利权)人:夏普株式会社
类型:发明
国别省市:JP[]

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