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本发明公开了一种半导体芯片及其制造方法。该半导体芯片形成有对应于焊盘电极的凸点。该焊盘电极覆盖有镍层。该凸点具有铟层和在铟层与镍层之间设置的中间金属化合物层，并且中间金属化合物层通过合金化铟层和铜层而形成，铜层包含的铜原子相对于铟层中的铟原...
该专利属于索尼株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过索尼株式会社授权不得商用。

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