化学气相沉积成膜用组合物及生产低介电常数膜的方法技术

本发明专利技术提供一种包含由化学式１表示的环硼氮烷化合物的化学气相沉积成膜用组合物，其满足以下至少一个条件：所述组合物中各种卤素原子的含量为１００ｐｐｂ以下的条件，或所述组合物中各种金属元素的含量为１００ｐｐｂ以下的条件。在化学式１中，Ｒ↑［１］可以相同或不同，其为氢原子、烷基、烯基或炔基，其至少之一为氢原子；Ｒ↑［２］可以相同或不同，其为氢原子、烷基、烯基或炔基，其至少之一为烷基、烯基或炔基。通过使用该组合物，可改进由含环硼氮烷环的化合物生产的薄膜的物理性质如低介电常数性和机械强度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用作用于LSI等的层间绝缘膜、金属阻隔层、蚀 刻阻止层的低介电常数膜。更具体地说，本专利技术涉及化学气相 沉积成膜用组合物和使用该组合物的生产低介电常数膜的方 法。
技术介绍
随着信息技术设备性能的日益提高，LSI的设计规则正逐年 变得越来越精细。在具有精细设计规则的LSI生产中，作为LSI 组分的材料必须为具有高性能，并即使在精细LSI上也能充分实 现其功能的物质。例如，对于用作在LSI中的层间绝缘膜的材料，高介电常数 趋于导致信号延迟。在精细LSI中，所述信号延迟影响尤其大。 因此，需要开发一种可用作层间绝缘膜的新型低介电常数材料。 此外，为了用作层间绝缘膜，所述材料不但必须具有低介电常 数，而且还需要具有优异的性质如耐湿性、耐热性和机械强度。作为符合所述要求的材料，已经提出了分子内具有环硼氮 烷环骨架的环硼氮烷化合物(例如参见^-八-2000-340689)。由于 具有环硼氮烷环骨架的化合物具有较小的分子极化率，因此形 成的膜具有低介电常数。此外，该形成的膜耐热性优异。作为 所述环硼氮烷化合物，至今已经提出了多种化合物。例如使用 烷基在硼位点取代的环硼氮烷化合物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学气相沉积成膜用组合物，其包括由化学式１表示的环硼氮烷化合物，在该组合物中的各种卤素的含量为１００ｐｐｂ以下；［化学式１］＊＊＊其中，Ｒ↑［１］独立地表示氢原子、烷基、烯基或炔基，其至少之一为氢原子；Ｒ↑［２］独立地表示氢原子、烷基、烯基或炔基，其至少之一为烷基、烯基或炔基。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-11-17 333077/2005;JP 2005-11-18 334494/2001. 一种化学气相沉积成膜用组合物，其包括由化学式1表示的环硼氮烷化合物，在该组合物中的各种卤素的含量为100ppb以下；[化学式1]其中，R1独立地表示氢原子、烷基、烯基或炔基，其至少之一为氢原子；R2独立地表示氢原子、烷基、烯基或炔基，其至少之一为烷基、烯基或炔基。2. —种化学气相沉积成膜用组合物，其包括由化学式2表 示的环硼氮烷化合物，在该组合物中的各种囟素的含量...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊田辉彦，信时英治，保田直纪，山本哲也，中谷泰隆，神山卓也，
申请(专利权)人：株式会社日本触媒，
类型：发明
国别省市：JP[日本]