半导体发光元件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体发光元件１００及其形成方法，所述半导体发光元件１００包括在蓝宝石衬底上依次层叠的缓冲层１０２、ｎ－型ＧａＮ层１０３、发光层１０４和ｐ－型层１０５，并且具有由ＩＴＯ针状晶体制成的透光电极１０６。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过层叠第III族氮化物化合物半导体形成的半导体发光元件。本专利技术具体地涉及在其表面上形成有由氧化铟锡(ITO)针状晶体制成的薄膜的半导体发光元件。
技术介绍
目前，在具有非导电性蓝宝石衬底的第III族氮化物化合物半导体元件中，通常在半导体元件层的侧面上形成n-电极和p-电极。此处，在所谓的面向上型第III族氮化物化合物半导体元件中，通过在p-型层表面上使用由例如合金化的金(Au)和钴(Co)制成的薄膜透光电极，从形成电极的侧面提取光。然而，Au/Co薄膜透光电极具有基本为60％的透光率；因此，光提取效率并不足。 另一方面，提出使用氧化铟锡(ITO)作为第III族氮化物化合物半导体发光元件的透光电极(专利文献1)。然而，即使使用ITO作为透光电极，但是由于在ITO表面上的总反射，光提取效率仍不足。而且，从第III族氮化物化合物半导体发光元件的p-电极以外的部分例如n-电极的周边、没有形成第III族氮化物化合物半导体的侧表面和衬底侧的光提取由于总反射也是不够的。 此外，在专利文献2中，公开了涂敷ITO微细针状颗粒并加热以形成ITO膜的方法。 专利文献1日本专利N本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过在衬底上层叠第Ⅲ族氮化物化合物半导体形成的半导体发光元件，其中在所述半导体发光元件的表面上形成薄膜，所述薄膜由在膜形成过程中形成的氧化铟锡（ＩＴＯ）针状晶体制成。

【技术特征摘要】
JP 2007-5-24 2007-1376281.一种通过在衬底上层叠第III族氮化物化合物半导体形成的半导体发光元件，其中在所述半导体发光元件的表面上形成薄膜，所述薄膜由在膜形成过程中形成的氧化铟锡(ITO)针状晶体制成。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中所述薄膜是所述半导体发光元件的电极。3.根据权利要求1所述的半导体发光元件...

【专利技术属性】
技术研发人员：神谷真央，长谷川恭孝，户谷真悟，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]