粘贴有Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体层的衬底和半导体器件制造技术

技术编号:3170122 阅读:138 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了粘贴有Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体层的衬底,由其可生产性能提高的半导体器件,和包含所述粘贴有Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体层的衬底的半导体器件。在所述粘贴有Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体层的衬底中,Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体层和基础衬底被粘贴到一起,其特征在于所述Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体层和基础衬底之间的热膨胀系数之差为4.5×10↑[-6]K↑[-1]或更小,且所述基础衬底的导热系数为50W.m↑[-1].K↑[-1]或更大。

【技术实现步骤摘要】
粘贴有iii-v族氮化物半导体层的衬底和半导体器件
技术介绍
本专利技术涉及粘贴有m-v族氮化物半导体层的衬底,其中m-v族氮化物半导体层和基础衬底(base substrate)被粘贴到一起,本专利技术还 涉及包含这种粘贴衬底的半导体器件。
技术介绍
以不同方式形成使用m-v族氮化物半导体的半导体器件。在一种方法中,例如,通过金属有机化学气相沉积(mocvd)或通过分子束 外延(mbe),在化学组成不同于所述iii-v族氮化物半导体但热膨胀系数相差不大的外来衬底上,如si、 sic或蓝宝石衬底上,形成ni-v族氮化物半导体外延层。在另一种方法中,例如通过mocvd或mbe在m-v族氮化物半导体衬底上形成ni-v族氮化物半导体外延层。然而,利用所述外来衬底作为用于形成iii-v族氮化物半导体外延 层的衬底在外来衬底中产生应力,这主要是由于所述外来衬底和m-v 族氮化物半导体外延层之间热膨胀系数的不同和晶格失配。在所述衬 底中产生的应力可导致衬底和半导体器件的翘曲,这会引起如下问题, 如所述m-v族氮化物半导体外延层中的位错密度增大,出现外延层脱 落,和半导体器件性能的劣化。同时,尽管利用ni-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种粘贴有Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体层的衬底,其中Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体层和基础衬底被粘贴在一起,其特征在于:所述Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体层和基础衬底之间的热膨胀系数之差为4.5×10↑[-6]K↑[-1]或更小,且所述基础衬底的导热系数为50W.m↑[-1].K↑[-1]或更大。

【技术特征摘要】
JP 2007-5-30 2007-1439221.一种粘贴有III-V族氮化物半导体层的衬底,其中III-V族氮化物半导体层和基础衬底被粘贴在一起,其特征在于所述III-V族氮化物半导体层和基础衬底之间的热膨胀系数之差为4.5×10-6K-1或更小,且所述基础衬底的导热系数为50W·m-1·K-1或更大。2. 如权利要求1中所述的粘贴有III-V族氮化物半导体层的衬底, 其中所述III-V族氮化物半导体层是GaN层。3. 如权利要求1或2中所述的粘贴有ni-v族氮化物半导体层的 衬底,其中所述基础衬底的电阻率为10Qxm或更小。4. 如权利要求1或2中所述的粘贴有III-V族氮化物半导体层的 衬底,其中所述基础衬底的主要组分是包括Mo、 W或Ir中至少任一 种的金属...

【专利技术属性】
技术研发人员:八乡昭广
申请(专利权)人:住友电气工业株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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