发光二极管装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种发光二极管装置，其包括外延叠层、微纳米粗化结构层以及抗反射层。外延叠层依序具有第一半导体层、发光层及第二半导体层。微纳米粗化结构层设置于外延叠层的第一半导体层上。抗反射层设置于微纳米粗化结构层上。另外，本发明专利技术亦披露一种发光二极管装置的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种具有微纳米结构的电流扩散层的发光二极管装置及其 制造方法。
技术介绍
发光二极管(light-emitting diode, LED)装置是一种由半导体材料制作 而成的发光元件。由于发光二极管装置属冷发光，具有耗电量低、元件寿命 长、反应速度快等优点，再加上体积小容易制成极小或阵列式的元件，因此， 近年来随着技术不断地进步，其应用范围涵盖了电脑或家电产品的指示灯、 液晶显示装置的背光源乃至交通号志或是车用指示灯。然而，目前的发光二极管装置仍存在有发光效率不佳以及亮度偏低的问 题。其中造成发光效率不佳的原因，乃是因由发光二极管所发射的光线为全 方向性，而并非单一对焦于某处的光束。另外，发光二极管所发射的光线仅 有部分可以被射出，其余的光线则会因为反射而被吸收，如此一来，除了降 低发光二极管装置的亮度的外，也增加了其所产生的热能。一般而言，发光二极管装置可为倒装片式、垂直式或正面式等不同的态 样。为了解决因为反射而降低出光效率的问题。请参照图1，以垂直式发光 二极管装置为例，发光二极管装置1在基板11的表面上依序形成n型半导 体掺杂层121、发光层(active la本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管装置，包括：外延叠层，依序具有第一半导体层、发光层及第二半导体层；以及微纳米粗化结构层，设置于该外延叠层的该第一半导体层上；其中该微纳米粗化结构层的折射率介于该外延叠层的折射率与空气的折射率之间。

【技术特征摘要】
1、一种发光二极管装置，包括外延叠层，依序具有第一半导体层、发光层及第二半导体层；以及微纳米粗化结构层，设置于该外延叠层的该第一半导体层上；其中该微纳米粗化结构层的折射率介于该外延叠层的折射率与空气的折射率之间。2、 如权利要求1所述的发光二极管装置，还包括抗反射层，其设置于折射率与空气的折射率之间。3、 如权利要求2所述的发光二极管装置，其中该抗反射层包括多个微 纳米粒子，其中每该微纳米粒子的粒径介于50纳米至50微米；或者，该抗 反射层可为单层或多层的介电质薄膜形成的结构。4、 如权利要求2所述的发光二极管装置，其中该第一半导体层为P型 外延层或N型外延层，且该第二半导体层为N型外延层或P型外延层。5、 如权利要求2所述的发光二极管装置，其中该微纳米粗化结构层与 该第一半导体层为一体成型，或互为相异的二层。6、 如权利要求2所述的发光二极管装置，其中该微纳米粗化结构层至 少包括纳米5求、纳米柱、纳米孔洞、纳米点、纳米线或纳米凹凸结构，或者 该微纳米粗化结构层的材料选自三氧化二铝、氮化硅、二氧化锡、二氧化硅、 树脂、聚碳酸酯、铟锡氧化物、掺铝氧化锌、氧化锌及其组合所构成的组。7、 如权利要求2所述的发光二极管装置，还包括 导热基板，与该第二半导体层相对而设； 导热粘贴层，设置于该导热基板与该第二半导体之间； 反射层，设置于该导热粘贴层与该第二半导体层之间；以及 电流扩散层，设置于该反射层与该第二半导体层之间。8、 如权利要求7所述的发光二极管装置，其中部分的该第一半导体层 暴露于该微纳米粗化结构层及该抗反射层，且该发光二极管装置还包括第一电极，与暴露于该微纳米粗化结构层及该抗反射层的该第一半导体 层电性连接；以及第二电极，与该导热基板电性连接。9、 如权利要求7所述的发光二极管装置，还包括导热绝缘层，其设置 于该导热粘贴层与该反射层之间，其中部分的该第一半导体层暴露于该微纳 米粗化结构层及该抗反射层，或部分的该第二半导体层暴露于该发光层、该 第一半导体层、该微纳米粗化结构层及该抗反射层且该发光二极管装置，还包括第一电极，与暴露于该微纳米粗化结构层及该抗反射层的该第一半导体 层电性连接；以及第二电极，与暴露于该发光层、该第一半导体层、该微纳米粗化结构层 及该抗反射层的该第二半导体层电性连接。10、 如权利要求9所述的发光二极管装置，其中该导热绝缘层的材料为 热传导系数大于或等于150瓦特/米.凯氏温度的绝缘材料，如氮化铝或碳化 硅。11、 一种发光二极管装置的制造方法，包括 在外延基板上形成第一半导体层；在该第 一半导体层上形成发光层；在该发...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈世鹏，薛清全，陈朝旻，王宏洲，陈煌坤，
申请(专利权)人：台达电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]