高亮度发光二极管制造技术

一种高亮度发光二极管，其包括：一基底，一第一电极、一半导体发光结构、一第二电极、以及第三电极、粘着材料层及第四电极。所述第一电极位于所述基底的一第一侧；一所述半导体发光结构位于所述基底的一与第一侧相对的第二侧；所述第二电极位于所述半导体发光结构的远离所述基底的一侧；所述第三电极、粘着材料层及第四电极位于所述基底与所述半导体发光结构之间，所述粘着材料层位于第三电极与第四电极之间，所述第三电极与第四电极分别邻近基底与半导体发光结构设置。该高亮度发光二极管在制作过程中采用粘着材料层贴合晶片，避免了长时间高温处理对发光二极管磊晶结构造成的不良影响，其制程良率较佳。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光元件，.尤其是一种制作方法简单、制程良率 较佳的高亮度发光二极管。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode, LED)作为 一种半导体光源，由于其具 有寿命长、功耗低、稳定性强等特点被广泛应用于各种产品，如科学仪器、 医疗仪器及消费性产品等。发光二极管中往往不可避免地存在电阻较高的材 料，这使得由电极注入的电流不易在发光二极管元件中有效地扩散，导致电 流拥塞(Current Crowding)现象的发生，造成仅在靠近电才及的四周产生亮光， 发光二极管发光效率不佳。参见图1,美国第5,869,849号专利中的发光二极管结构由如下方法制成。 首先在n型砷化镓基底上成长一磷化铝镓铟双异质磊晶层500，该双异质磊晶 层依次包括一n型磷化铝镓铟束缚层550, —磷化铝镓铟活性层540，及一p型 磷化铝镓铟束缚层530。然后以晶片贴合的技术将上述磷化铝镓铟双异质蟲 晶层500移植到一n型磷化镓基底560并除去原吸光的砷化镓基底。接着再在P 型磷化铝镓铟束縛层530上成长一层p型砷化镓欧姆接触层520，紧接着在其 上方镀上一层氧化铟锡(ITO)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高亮度发光二极管，其包括：一基底，一第一电极、一半导体发光结构、及一第二电极；所述第一电极位于所述基底的一第一侧；所述半导体发光结构位于所述基底的一与第一侧相对的第二侧；所述第二电极位于所述半导体发光结构的远离所述基底的一侧；其特征在于，该高亮度发光二极管还包括：位于所述基底与所述半导体发光结构之间的第三电极、粘着材料层及第四电极，所述第三电极与第四电极分别邻近基底与半导体发光结构设置，所述粘着材料层位于第三电极与第四电极之间。

【技术特征摘要】
1.一种高亮度发光二极管，其包括一基底，一第一电极、一半导体发光结构、及一第二电极；所述第一电极位于所述基底的一第一侧；所述半导体发光结构位于所述基底的一与第一侧相对的第二侧；所述第二电极位于所述半导体发光结构的远离所述基底的一侧；其特征在于，该高亮度发光二极管还包括位于所述基底与所述半导体发光结构之间的第三电极、粘着材料层及第四电极，所述第三电极与第四电极分别邻近基底与半导体发光结构设置，所述粘着材料层位于第三电极与第四电极之间。2.如权利要求1所述的高亮度发光二极管，其特征在于，所述半导体发光结 构包括 一第一半导体层、 一与所述第一半导体层电性相反的第三半导体 层、及位于所述第一半导体层与所述第三半导体层之间的第二半导体层， 所述第三半导体层邻近所述第二电极设置。3. 如权利要求2所述的高亮度发光二极管，其特征在于，还包括一透光导电 层，所述透光导电层位于所述第三半导体层与所述第二电极之间。4. 如权利要求3所述的高亮度发光二极管，其特征在于，所述的第三半导体 层为n型半导体层且与所述透光导电层形成欧姆接触。5. 如权利要求3所述的高亮度发光二极管，其特征在于，所述透光导电层为 一氧化锡、铟掺杂一氧化锡、锑掺杂二氧化锡、锌掺杂三氧化二铟、锡掺 杂银铟氧化物、氧化铟锡、 一氧化锌、铝掺杂氧化锌、锌镓氧化物、锡掺 杂三氧化二镓之一。6. 如权利要求1所述的高亮度发光二极管，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱源发，
申请(专利权)人：富士迈半导体精密工业上海有限公司，沛鑫半导体工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]