一种ＬＥＤ封装结构制造技术

一种ＬＥＤ封装结构，包括绝缘陶瓷基板、封装壳体、至少一ＬＥＤ晶片、散热机构以及至少一导电回路，绝缘陶瓷基板包括第一表面和第二表面，封装壳体安装于绝缘陶瓷基板的第一表面上，其包括一穿孔，导电回路收容于封装壳体，其包括第一电连接端和第二电连接端，第一电连接端通过穿孔与第二电连接端连接，ＬＥＤ晶片与第二电连接端电连接，散热机构通过第二表面与绝缘基板连接。本发明专利技术通过将导电回路由封装基座内部穿设，不仅解决了两导电回路容易发生短路、电接触不良或散热不利影响通电质量等问题，而且，使得绝缘基板能够直接连接散热机构，大大增加了散热面积，提高了散热速度，从而提高了ＬＥＤ晶片的散热效率，进而提高ＬＥＤ晶片的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED封装结构，尤指一种具有良好散热效果的LED封装结构。
技术介绍
近年来，发光二极管(LED)被应用的领域相当广泛，如液晶屏幕上的光 源、投射灯、交通等以及汽车的刹车灯等等，日渐取代传统的灯丝灯泡。然而， 现有的LED灯泡，虽然具有体积小、能耗低的特性，但就单颗晶片灯泡而言， 光源能量较小，在诸多领域的应用都受到限制。为了增加发光源的整体亮度， 则有必要提高光源的发光功率或增加LED发光源的数目和密度，但若大幅增加 LED晶片的数目和密度，则将必然增加LED晶片的产出热量。参照图1所示，传统LED封装结构包括绝缘基板10'、 LED晶片20'、连接 导线40，以及两个导电回路50，， LED晶片20，通过连接导线40，分别与导电回路 50'连接，其中，所述LED晶片20'固定于所述绝缘基板10'的第一表面101'， 所述任一导电回路50，一端设于绝缘基板IO，的第一表面IOI，上，另一端设于其 第二表面102'，使其环绕于绝缘基板10'的两侧端部，导电回路50'由高散热的 金属材料制成，除了具有导电的功能外，还起到对LED晶片20'进行散热的作 用在这种LED封装结构中，由于两导电回路50'的极性相反，因此两者不能过 于接近，以避免因绝缘基板10'等其他元件发生漏电，而致使两导电回路50'之 间发生短路现象。但是，由于两导电回路50'之间存在一定间隙，因此所提供的 散热面积也相对较小，因发光效率与散热效果的优劣程度成正比，如果大量的 热量无法尽快散出，必将严重影响到LED的发光亮度，同时，由于长期的散热 效率不高，也进而加速了 LED的损耗。因此，提供一种具有良好散热效果的LED封装结构以解决上述问题实为必要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种具有良好散热效果的LED封装结构，通过散热机构与绝缘陶瓷基板之间的紧密贴合，且提高有效散热面积，从而助于LED 晶片的快速散热，以提高其发光效率。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种LED封装结构，其包括绝缘陶瓷基 板、封装壳体、至少一LED晶片、散热机构以及至少一导电回路，所述绝缘陶 瓷基板包括第一表面和第二表面，所述封装壳体安装于所述绝缘陶瓷基板的第 一表面上，其包括一穿孔，所述导电回路收容于所述封装壳体，其包括第一电 连接端和第二电连接端，所述第一电连接端通过所述穿孔与第二电连接端连接， 所述LED晶片与第二电连接端电连接，所述散热机构与所述绝缘陶瓷基板的第 二表面连接。本专利技术LED封装结构还可进一步包括以下附加技术特征在本专利技术的一个优选实施例中，所述LED封装结构进一步包括连接导线， 所述LED晶片通过连接导线与所述导电回路电连接。所述LED晶片与所述绝缘陶瓷基板之间进一步包括连接层，所述连接层优 选为固晶胶层。在本专利技术中，LED晶片亦可旌过其他方式与绝缘陶瓷基板相连 接，例如通过裸晶片贴装技术、倒焊芯片技术、胶粘技术或共晶焊接技术中 任选一种方式安装于所述绝缘陶瓷基板上。所述散热机构为散热器或金属导热层，优选为金属导热层，所述金属导热 层通过迴焊的方式成型于所述绝缘陶瓷基板上，所述金属为银、铜、铝或其合 金中任选一种。在本专利技术的另一个优选实施例中，所述LED晶片为复数个，其通过串联或 并联的方式相互电连接。共用复数个导电回路，组成多晶片的封装结构，既简 化了封装结构的整体结构，同时可显著提高整体的发光效率。与现有技术相比，本专利技术LED封装结构一方面利用陶瓷散热性能优良的特 性，采用陶瓷作为绝缘基板的材质，以提高LED晶片工作过程中的散热速度。 另一方面，通过将导电回路由封装壳体内部穿设，而非环绕于绝缘陶瓷基板的 外周，不仅解决了两导电回路容易发生短路、电接触不良或散热不利影响通电 质量等问题，而且，使得绝缘陶瓷基板能够直接连接散热机构，通过散热机构 与绝缘陶瓷基板之间直接接触，提高了散热速度，另外，由于不受极性所限， 该表面可全部布设散热机构，大大增加了散热面积，从而显著地提高了LED晶片的散热效率，进而提高LED晶片的发光效率。为使本专利技术更加容易理解，下面将结合附图进一步阐述本专利技术不同的具体 实施例。附图说明图1为现有LED封装结构的示意图2为本专利技术LED封装结构的实施例一的示意图3为本专利技术LED封装结构的实施例二的示意图4为本专利技术复数个LED封装结构导电回路实施例一的示意图，以及图5为本专利技术复数个LED封装结构导电回路实施例二的示意图。鼎錢放参照图2所示，在本专利技术的实施例一中，提供了一种LED封装结构，其包 括绝缘陶瓷基板10、 LED晶片20，封装壳体30、连接导线40、散热机构50以 及两个导电回路60。所述绝缘陶瓷基板10包括第一表面101和第二表面102; 所述封装壳体30安装于所述绝缘陶瓷基板10的第一表面101上，其包括一穿 孔301，所述LED晶片20装设于所述绝缘陶瓷基板10的第一表面101上，所 述导电回路60收容于所述封装壳体30，其包括第一电连接端601和第二电连接 端602,所述第一电连接端601通过所述穿孔301与第二电连接端602连接，所 述LED晶片20与第二电连接端602电连接，所述散热机构50通过第二表面102 与所述绝缘陶瓷基板10连接。由于散热机构50与绝缘陶瓷基板10间紧密贴合， 通过散热机构50可将LED晶片20产生的热量迅速地传导出去，提高LED晶片 20的散热效率，从而提高其发光效率。其中，所述绝缘陶瓷基板10的热导系数大于30 420W/mK，更好地，可达 到50 420W/mK，例如绝缘陶瓷基板可为氮化铝(A1N)，其热导系数为 170W/mK。在本实施例中，所述封装壳体30位于所述绝缘陶瓷基板周围区域， 用于收容所述两个电性相反的导电回路60，其包括两个封装单元30a和30b， 其分别地竖立于所述导电回路60的左右两侧，其可由一体成型或分别成型制成。 所述导电回路60由金属导体制成，如银或铜等，其包括相互连接的第一电连接端601、第二电连接端602以及导电主体603，所述第一电连接端601延伸至所 述封装壳体30外，用于与外接电源电性连接，所述第二电连接端602设置于绝 缘陶瓷基板10的第一表面101上，即绝缘陶瓷基板10与封裝壳体30之间，所 述导电主体603收容于穿孔301中，导电回路60通过连接导线40与所述LED 晶片20电性连接，从而实现LED晶片20与外部电源的电性连接。所述连接导 线40可选用导电性能良好的材料制成，如金等，其布设于所述绝缘陶瓷基板10 的第一表面101上。在本实施例中，所述穿孔301的形状不受限制，只要其贯穿于封装壳体30 的内部即可，使得导电回路60的第一电连接端601能够通过穿孔301与第二电 连接端602电性连接，如此以来，LED晶片20即可不必通过在封装壳体外布设 导电回路与外部电源电性连接，使其整体结构更为简单，同时，解决了现有技 术中，由于导电回路外包裹于绝缘基板外，电接触点暴露在外，使得两电极之 间容易发生短路或电接触不良等的问题，并且，通过将导电回路60封装并隔离 起来，减小了LED晶片的发热对其造成的影响，避免了由于散热不利而影响导 电回路60的导电效果。在本实施例中，参照图2所示，所述LED晶片与所述绝缘陶瓷基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＬＥＤ封装结构，其包括：绝缘陶瓷基板、封装壳体、至少一ＬＥＤ晶片、散热机构以及至少一导电回路，其特征在于：所述绝缘陶瓷基板包括第一表面和第二表面，所述封装壳体安装于所述绝缘陶瓷基板的第一表面上，其包括一穿孔，所述导电回路收容于所述封装壳体中，其包括第一电连接端和第二电连接端，所述第一电连接端通过所述穿孔与第二电连接端连接，所述ＬＥＤ晶片与第二电连接端电连接，所述散热机构与所述绝缘陶瓷基板的第二表面连接。

【技术特征摘要】
1.一种LED封装结构，其包括绝缘陶瓷基板、封装壳体、至少一LED晶片、散热机构以及至少一导电回路，其特征在于所述绝缘陶瓷基板包括第一表面和第二表面，所述封装壳体安装于所述绝缘陶瓷基板的第一表面上，其包括一穿孔，所述导电回路收容于所述封装壳体中，其包括第一电连接端和第二电连接端，所述第一电连接端通过所述穿孔与第二电连接端连接，所述LED晶片与第二电连接端电连接，所述散热机构与所述绝缘陶瓷基板的第二表面连接。2. 根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于进一步包括连接导线， 所述LED晶片通过连接导线与所述导电回路电连接。3. 根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于进一步包括连接层， 所述LED晶片通过连接层固定于所述绝缘陶瓷基板之上。4. 根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于所述导电回路为两 个，所述两导电回路极性相反。5. 根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪世豪，
申请(专利权)人：旭丽电子广州有限公司，光宝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]