【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。现在技术铁系(铁硅合金(FeSi)、铁镍合金(FeNi)、铁氮(FeN)等)软磁材料(材料A)通常具有较高的饱和磁化强度及导磁率,较低的矫顽力及电阻率;陶瓷材料(氧化锆(ZrO2)、三氧化二铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)等)(材料B)通常具有较高的电阻率。如果将二者以纳米或微米多层的形式复合,并控制层间距及层界面形态,可获得具有高阻抗、低矫顽力的软磁材料。另一方面,由于陶瓷层的存在,将使体系的饱和磁化强度下降,因此,在某些特定的使用背景下,难以满足电子器件小型化、轻量化、超薄型化对饱和磁化强度的要求。专利技术目的本专利技术的目的是提供一种纳米多层高阻抗软磁材料。本专利技术的另一个目的是提供一种用电子束物理气相沉积制备纳米多层高阻抗软磁材料的方法。技术方案本专利技术的目的是这样实现的一种用电子束物理气相沉积制备纳米多层高阻抗软磁材料,它是在金属、非金属表面镀上一层或一层以上的纳米多层高阻抗软磁材料,其中,纳米多层高阻抗软磁材料由铁系软磁材料和陶瓷材料组成,其结构为一层铁系软磁材料层,一层陶瓷材料层交替沉积而成;或者结构为一层铁系软磁材料层, ...
【技术保护点】
一种用电子束物理气相沉积制备纳米多层高阻抗软磁材料,它是在金属、非金属表面镀上一层或一层以上的纳米多层高阻抗软磁材料,其特征在于:纳米多层高阻抗软磁材料由铁系软磁材料和陶瓷材料组成,其结构为一层铁系软磁材料层,一层陶瓷材料层交替沉积而成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:毕晓昉,宫声凯,徐惠彬,
申请(专利权)人:北京航空航天大学,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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