基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件制造技术

一种基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件，属于传感器技术领域。本发明专利技术由带ＳｉＯ↓［２］层的硅衬底、引脚、曲折状三明治结构软磁多层膜和偏置永磁体组成，引脚从多层膜两端的铜层引出，并设置在衬底上，整个曲折状三明治结构软磁多层膜位于带ＳｉＯ↓［２］层的硅衬底上。偏置永磁体用微细加工技术制备，并用环氧胶水粘贴于磁敏器件的背面。本发明专利技术采用曲折状三明治结构多层膜可大大提高多层膜的巨磁阻抗效应；采用薄膜技术和ＭＥＭＳ技术可以实现其制备工艺与ＩＣ工艺兼容，可与配套的检测电路制作在一起，实现整个传感器的薄膜化、小型化，并具有高灵敏度、响应速度快，性能重复性好、温度稳定性好及易于大批量生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种磁敏器件，具体是一种基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件，属于传感器

技术介绍
随着微电子技术的迅速发展，在汽车电子、机器人技术、生物工程、自动化控制等需要一些新型的、小型化的、高性能的、高灵敏度的和响应速度快的新型磁敏传感器来监测环境周围的参数如磁场、速度、转速、位移、角度、扭矩等。目前市场上正在使用或开发的磁敏传感器有霍尔(Hall)效应传感器、各向异性磁阻(AMR)效应和巨磁电阻(GMR)效应传感器。霍尔效应传感器是目前应用最广泛的磁敏传感器，可用于汽车发动机转速的测量、点火装置、汽车刹车防抱死系统(ABS)、磁敏开关等，但霍尔器件由于输出信号很弱及温度稳定性很差，其灵敏度受到了极大的限制。新型的硅基磁敏传感器是基于AMR效应的磁敏传感器，是采用微机电系统(MEMS)技术研制的用于测量磁场大小和方向的一个固态器件，但AMR效应的大小只有2％～4％，其磁场灵敏度小于1％/Oe。GMR效应可达80％以上，GMR传感器可以获得更高的信号输出，但驱动磁场很高(300Oe以上)，其磁场灵敏度在1％～2％/Oe。近几年来研究发现，软磁材料在很小的直流磁场下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件，其特征在于，由衬底（３）、引脚（４）、纳米晶成份的曲折状三明治结构软磁多层膜（６）和偏置永磁体（５）组成，引脚（４）从磁敏器件两端的铜层（２）引出，并设置在带ＳｉＯ↓［２］层的硅衬底（３）上，曲折状三明治结构软磁多层膜（６）位于带ＳｉＯ↓［２］层的硅衬底（３）上，偏置永磁体（５）位于带ＳｉＯ↓［２］层的硅衬底（３）下面。

【技术特征摘要】
1.一种基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件，其特征在于，由衬底(3)、引脚(4)、纳米晶成份的曲折状三明治结构软磁多层膜(6)和偏置永磁体(5)组成，引脚(4)从磁敏器件两端的铜层(2)引出，并设置在带SiO2层的硅衬底(3)上，曲折状三明治结构软磁多层膜(6)位于带SiO2层的硅衬底(3)上，偏置永磁体(5)位于带SiO2层的硅衬底(3)下面。2.如权利要求1所述的基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件，其特征是，所述的纳米晶成份的曲折状三明治结构软磁多层膜(6)由中间的铜层(2)、铜层(2)外围包裹的纳米晶成份的软磁薄膜(1)构成的曲折状三明治结构，中间铜层(2)的宽度小于软磁薄膜(1)的宽度。3.如权利要求2所述的基于软...

【专利技术属性】
技术研发人员：周勇，丁文，曹莹，陈吉安，周志敏，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]