非易失性半导体存储器件中的自动编程电路制造技术

在非易失性半导体存储器中的自动编程电压发生器，包括产生编程电压的高压发生器，用于检测每当所选择的存储器单元未被成功地编程时，在预定的电压范围内，顺序地增加编程电压的电平的微调电路，用于将所检测的电压电平与参考电平比较，然后产生比较信号的比较电路，和用于响应比较信号起动高压发生器的高压发生控制电路。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非易失性半导体存储器件，特别地涉及在非易失性半导体存储器件中的自动编程电路。带NAND结构化单元的存储器单元阵列有许多排列成行和列的矩阵的NAND单元组件。图9是表示普通的与非结构化单元的存储单元阵列的一部分的等效电路图。参看该图，从NU1至NUm的每一个与非单元组件有一其漏极与相应的位线连接的第一选择晶体管120和其源极与公共电源线CSL连接的第二选择晶体管121。存储单元晶体管(以下称为“存储器单元”)M1-M8的漏极——源极沟道串联在第一选择晶体管120的源极和第二选择晶体管121的漏极之间。第一选择晶体管120的栅极，存储器单元M1-M8的控制栅极和第二选择晶体管121的栅极分别地与第一选择线SL1，字线WL1-WL8和第二选择线SL2相连。第一和第二选择晶体管120和121和存储单元M1-M8等构造在在半导体基片的主平面上形成的P型阱中。在第一选择晶体管120的源极和存储单元M1的漏极之间的源极——漏极公共区域，存储单元M1-M8的源极——漏极公共区域，和在第二选择晶体管121的漏极和存储单元M8的源极之间的漏极——源极公共区域等形成在P型阱中。用多晶硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
在非易失性半导体存储器中的自动编程电压发生器，有许多浮动栅型存储器单元，用于对所选择的存储单元进行编程的编程装置，和用于检验所述的被选择的存储单元是否成功地被编程的程序验证装置，所述自动编程电压发生器包括： 高压发生器，用于产生编程电压； 微调电路，用于检测所述编程电压，以便每当所述的被选择的存储单元未成功地被编程时，在预定的电压范围内顺序地增加所述编程电压， 比较电路，用于把所述的被检测电压电平与参考电压进行比较，然后产生比较信号；和 高压发生控制电路，用于起动所述高压发生器，以响应所述比较信号。

【技术特征摘要】
KR 1995-1-24 1144/95;KR 1994-9-9 22769/941.在非易失性半导体存储器中的自动编程电压发生器，有许多浮动栅型存储器单元，用于对所选择的存储单元进行编程的编程装置，和用于检验所述的被选择的存储单元是否成功地被编程的程序验证装置，所述自动编程电压发生器包括高压发生器，用于产生编程电压；微调电路，用于检测所述编程电压，以便每当所述的被选择的存储单元未成功地被编程时，在预定的电压范围内顺序地增加所述编程电压，比较电路，用于把所述的被检测电压电平与参考电压进行比较，然后产生比较信号；和高压发生控制电路，用于起动所述高压发生器，以响应所述比较信号。2.按照权利要求1所述的自动编程电压发生器，其特征在于所述微调电路包括连在所述高压发生器的编程电压发生端和参考电压之间的许多电阻器，和用于分别旁路所述许多电阻器以便顺序地增加所述编程电压的许多晶体管。3.按照权利要求1所述的自动编程电压发生器，其特征在于所述微调电路包括许多旁路装置，以便顺序地增加所述编程电压。4.按照权利要求3所述自动编程电压发生器，其特征在于，进一步包括连接到所述许多旁路装置的微调信号发生器，用于顺序地增加所述编程电压。5.按照权利要求4所述自动编程电压发生器，其特征在于所述微调信号发生器包括锁存装置，用于在所述编程电压顺序地增加这后产生恒定电压。6.按照权利要求4所述自动编程电压发生器，其特征在于进一步包括连接到所述微调信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：金镇棋，林亨圭，李城秀，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]