存储器制造技术

本发明专利技术提供可抑制干扰现象的存储器。该存储器包括：位线；字线，与位线交叉配置；以及连接在位线和字线之间的第一存储部件；其中，通过读取动作和再写入动作，至少在非选择字线上连接的所有第一存储部件上，将彼此相反方向的规定电压实质上施加相同的次数或实质上不施加电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器，特别涉及具有电容部件和电阻部件的存储器。
技术介绍
以往，提出了减轻由一晶体管方式的铁电存储器的非选择单元产生的干扰现象的方法。减轻这种干扰现象的方法例如公开于(日本)特开平10-64255号公报。在该特开平10-64255号公报的数据写入工序中，首先，作为第一步骤，在选择单元的字线上施加+V，在除此以外的字线上施加1/3V，在选择单元的位线上施加0V，在除此以外的位线上施加2/3V的电压。接着，作为第二步骤，在选择单元的字线上施加0V，在除此以外的字线上施加1/3V，在选择单元的位线上施加1/3V，在除此以外的位线上施加0V的电压。此外，在上述第一步骤中，在选择单元的字线上施加-V，在除此以外的字线上施加-1/3V，在选择单元的位线上施加0V，在除此以外的位线上施加-2/3V的情况下，在继续该步骤进行的第二步骤中，在选择单元的字线上施加0V，在除此以外的字线上施加-1/3V，在选择单元的位线上施加-1/3V，在除此以外的位线上施加0V。由此，在非选择单元的大部分单元中，通过第一步骤和第二步骤，因为每次施加极性不同的1/3V的电压，所以可以大幅度降低数据写入时的干扰现象。但是，在上述特开平10-64255号公报中公开的技术中，在非选择单元中，有关将选择单元和字线及位线共用的存储单元，在第二步骤中不施加电压，所以存在不能避免这些单元的干扰现象的问题。此外，在上述特开平10-64255号公报中，完全没有记载有关降低读取时的干扰现象的方法。
技术实现思路
本专利技术是用于解决上述课题的专利技术，本专利技术的一个目的在于，提供可抑制干扰现象的存储器。为了实现上述目的，本专利技术第一方案的存储器包括位线；字线，与位线交叉配置；以及第一存储部件，连接在位线和字线之间，保持第一数据或第二数据；其中，通过对选择的字线上连接的选择第一存储部件进行的读取动作和多个动作组成的再写入动作，至少在选择第一存储部件以外的作为第一存储部件的非选择第一存储部件上，将提供第一方向电场的电压脉冲和提供与第一方向相反方向电场的电压脉冲分别实质上施加相同的次数，或实质上不施加电压脉冲。在第1方案的存储器中，如上述那样，通过读取动作和再写入动作，至少在选择字线以外的字线上连接的所有第一存储部件上，将提供第一方向电场的电压脉冲和提供与第一方向相反方向电场的电压脉冲分别实质上施加相同的次数，或实质上不施加电压脉冲，所以可以抑制至少在选择字线以外的字线上连接的所有非选择第一存储部件的读取动作时的极化恶化。由此，可以抑制第一存储部件的读取动作时的干扰现象。在上述第1方案的存储器中，优选为，对选择第一存储部件进行的读取动作和多个动作组成的再写入动作可以包括读取动作；在读取动作中，对读取出第二数据的选择第一存储部件写入第一数据的动作；然后，在读取动作中对读取出第二数据的选择第一存储部件写入第二数据的动作；通过写入第一数据的动作和写入第二数据的动作，在读取动作中读取了第一数据的选择第一存储部件上，将提供第一方向电场的电压脉冲和提供与第一方向相反方向的电场的电压脉冲分别实质上施加相同的次数，或实质上不施加电压脉冲。根据这样的结构，在选择的字线上连接的第一存储部件中，在读取了第一数据的第一存储部件上将提供第一方向电场的电压脉冲和提供与第一方向相反方向电场的电压脉冲分别实质上施加相同的次数，或实质上不施加电压脉冲，所以在选择的字线上连接的存储单元中，即使对于读取了第一数据的第一存储部件，也可以抑制极化恶化。由此，不仅非选择的第一存储部件，而且对于选择的字线上连接的第一存储部件中的读取了第一数据的第一存储部件，也可以抑制读取动作时的干扰现象。在上述第1方案的存储器中，优选为可通过读取动作和再写入动作，至少实质上在所有的非选择第一存储部件上，将提供第一方向电场的电压脉冲和提供与第一方向相反方向电场的电压脉冲各施加一次。根据这样的结构，实质上至少在所有的非选择第一存储部件中，可以容易地抑制读取动作时的极化恶化。这种情况下，优选为可通过读取动作和再写入动作，除了非选择第一存储部件以外，还在存储了第一数据的选择第一存储部件上，将提供第一方向电场的电压脉冲和提供与第一方向相反方向的电场的电压脉冲各施加一次。根据这样的结构，在存储了第一数据的选择第一存储部件中，也可以容易地抑制读取动作时的极化恶化。在上述第1方案的存储器中，优选为可以在第一期间施加提供第一方向电场的电压脉冲；在第二期间施加提供与第一方向相反方向电场的电压脉冲；第一期间和第二期间实质上相等。根据这样的结构，实质上至少对于所有非选择第一存储部件，可以使通过提供第一方向电场的电压脉冲产生的极化量的变化量和通过提供与第一方向相反方向电场的电压脉冲产生的极化量的变化量实质上相等。在上述第1方案的存储器中，可在读取动作和再写入动作时，在选择第一存储部件上施加规定的电压，在非选择第一存储部件上施加规定电压的m/n(m、n为正整数)的电压。这种情况下，可在非选择第一存储部件上施加规定电压的实质上1/3的电压和1/2的电压的其中之一。在上述第1方案的存储器中，可在使字线和位线实质上为同电位的状态后，开始读取动作。在上述第1方案的存储器中，优选为可在读取动作中将位线浮置后，使位线为固定电位。根据这样的结构，通过使该位线的固定电位与选择字线以外的字线电位相同，从而在读取动作中选择字线以外的字线上连接的所有非选择的第一存储部件上不施加电压。因此，在读取时，可以抑制选择字线以外的字线上连接的所有非选择的第一存储部件的干扰现象。这种情况下，优选为可将读取动作中浮置位线的期间设定为短期间，以该期间中的非选择第一存储部件的极化量的变化量与再写入动作中的非选择第一存储部件的极化量的变化量相比足够小。根据这样的结构，可容易地将在将读取动作的位线浮置的期间中非选择第一存储部件中产生的极化量的变化量减小至实质上可忽略再写入动作中非选择第一存储部件上产生的极化量的变化量的程度。在上述第1方案的存储器中，优选为可还包括读取数据判别电路，该读取数据判别电路在读取动作中放大位线上产生的电压后，通过比较该放大的电压和基准电压，来判别从选择第一存储部件读取的数据是第一数据还是第二数据。根据这样的结构，可在读取基准电压的动作中设定为放大了位线上产生的第一数据读取电压的电压和放大了第二数据读取电压的电压之间的值，所以与在读取动作中比较基准电压而不放大位线上产生的电压的情况相比，应作为基准电压设定的电压范围扩大。由此，可以容易地生成基准电压。在上述第1方案的存储器中，可还包括第二存储部件，该第二存储部件与第一存储部件分开设置，存储与对应的第一存储部件相反极性的数据；通过在读取动作中比较位线上产生的电压和从第二存储部件读取数据而生成的基准电压，判别从选择第一存储部件读取的数据是第一数据还是第二数据。在上述第1方案的存储器中，优选为第一存储部件可包含铁电薄膜。根据这样的结构，在包含铁电薄膜的第一存储部件中，可以抑制读取动作时的干扰现象。在上述第1方案的存储器中，优选为第一存储部件可包含电阻元件。根据这样的结构，在包含电阻元件的第一存储部件中，可以抑制读取动作时的干扰现象。本专利技术第2方案的存储器包括位线；字线，与位线交叉配置；以及第一存储部件，连接在位线和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器，其特征在于，包括：位线；字线，与所述位线交叉配置；以及第一存储部件，连接在所述位线和所述字线之间，保持第一数据或第二数据；通过对选择的所述字线上连接的选择第一存储部件进行的读取动作和多个动作组成的再写入动作，至少在所述选择第一存储部件以外的作为第一存储部件的非选择第一存储部件上，将提供第一方向电场的电压脉冲和提供与所述第一方向相反方向电场的电压脉冲分别实质上施加相同的次数，或实质上不施加电压脉冲。

【技术特征摘要】
JP 2003-3-7 2003-061448;JP 2003-7-2 2003-1904471.一种存储器，其特征在于，包括位线；字线，与所述位线交叉配置；以及第一存储部件，连接在所述位线和所述字线之间，保持第一数据或第二数据；通过对选择的所述字线上连接的选择第一存储部件进行的读取动作和多个动作组成的再写入动作，至少在所述选择第一存储部件以外的作为第一存储部件的非选择第一存储部件上，将提供第一方向电场的电压脉冲和提供与所述第一方向相反方向电场的电压脉冲分别实质上施加相同的次数，或实质上不施加电压脉冲。2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，对所述选择第一存储部件进行的所述读取动作和多个动作组成的再写入动作包括读取动作；在所述读取动作中，对读取出第二数据的所述选择第一存储部件写入第一数据的动作；然后，在所述读取动作中对读取出所述第二数据的所述选择第一存储部件写入所述第二数据的动作；通过写入所述第一数据的动作和写入所述第二数据的动作，在所述读取动作中读取了第一数据的所述选择第一存储部件上，将提供所述第一方向电场的电压脉冲和提供与所述第一方向相反方向的电场的电压脉冲分别实质上施加相同的次数，或实质上不施加电压脉冲。3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，通过所述读取动作和所述再写入动作，至少实质上在所有的所述非选择第一存储部件上，将提供所述第一方向电场的电压脉冲和提供与所述第一方向相反方向电场的电压脉冲各施加一次。4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，通过所述读取动作和所述再写入动作，除了所述非选择第一存储部件以外，还在存储了所述第一数据的所述选择第一存储部件上，将提供所述第一方向电场的电压脉冲和提供与所述第一方向相反方向的电场的电压脉冲各施加一次。5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，在第一期间施加提供所述第一方向电场的电压脉冲；在第二期间施加提供与所述第一方向相反方向电场的电压脉冲；所述第一期间和所述第二期间实质上相等。6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，在所述读取动作和所述再写入动作时，在所述选择第一存储部件上施加规定的电压，在所述非选择第一存储部件上施加所述规定电压的m/n(m、n为正整数)的电压。7.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，在所述非选择第一存储部件上施加所述规定电压的实质上1/3的电压和1/2的电压的其中之一。8.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，在使所述字线和所述位线实质上为同电位的状态后，开始所述读取动作。9.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，在所述读取动作中将所述位线浮置后，使所述位线为固定电位。10.如权利要求9所述的存储器，其特征在于，将所述读取动作中浮置所述位线的期间设定为短期间，以使所述期间中的所述非选择第一存储部件的极化量的变化量与所述再写入动作中的所述非选择第一存储部件的极化量的变化量相比足够小。11.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括读取数据判别电路，该取数据判别电路在所述读取动作中放大所述位线上产生的电压后，通过比较该放大的电压和基准电压，来判别从所述选择第一存储部件读取的数据是第一数据还是第二数据。12.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括第二存储部件，该第二存储部件与所述第一存储部件分开设置，存储与对应的所述第一存储部件相反极性的数据；通过在所述读取动作中比较所述位线上产生的电压和从所述第二存储部件读取数据而生成的基准电压，判别从所述选择第一存储部件读取的数据是第一数据还是第二数据。13.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一存储部件包含铁电薄膜。14.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一存储部件包含电阻元件。15.一种存储器，其特征在于，包括位线；字线，与所述位线交叉配置；以及第一存储部件，连接在所述位线和所述字线之间，保持第一数据或第二数据；在对选择的所述字线上连接的选择第一存储部件进行的读取动作中读取的数据与所述读取动作后所述选择第一存储部件中保持的数据相同时，不进行再写入动作。16.如权利要求15所述的存储器，其特征在于，在使所述字线和所述位线实质上为相同电位的状态后，开始所述读取动作。17.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：境直史，高野洋，
申请(专利权)人：帕特尼拉资本有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]