【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于静态随机存取存储器的
，尤指一种静态随机存取存储器的输出装置。
技术介绍
图1为一般静态随机存取存储器与其输出装置的详细电路图，为方便叙明起见，静态随机存取存储器的复数个存储胞仅显示一个存储胞100，其余的存储胞以虚线表示，其中，存储胞100是由复数个MOS晶体管所构成，存储胞100的输出处有一NMOS晶体管MR，晶体管MR的漏极连接至输出装置120的一端点E，其栅极连接至一控制信号RWL(Read Word Line)，以控制存储胞的资料是否输出至端点E；输出装置120是由PMOS晶体管101、103、105及107及NMOS晶体管102、104及106所构成。输出装置的工作时序图如图2所示，当欲读出存储胞100的资料时，必须先使输出装置120的端点E维持在高电压，即进行预先充电(Precharge)过程，所以于T1时段，先使控制信号PRE及RWL均为低电位，晶体管MR处于关闭状态，晶体管101为导通状态，使得晶体管101的源极所连接电压Vdd，来对端点E进行预先充电而维持在高电压。接着，在T2时段，控制信号PRE由低电压转成高电压，代...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种静态随机存取存储器的输出装置，该静态随机存取存储器有复数个存储胞以供储存资料，其特征在于，该输出装置包括一预充电电路，具有一共同输出点，耦合至该复数个存储细胞的输出端，当欲读取该复数个存储细胞其中之一时，对该共同输出点进行预先充电至一高电位；一充放电路径电路，连接该共同输出点，并以其内部一第一接地路径导通与否，控制该充放电路径电路的输出端电压；一电压保持电路，连接该充放电路径电路的输出端与该共同输出点，并以其内部一第二接地路径与该充放电路径电路的输出端电压，控制该共同输出点电压，若当该预充电电路进行预先充电时，使该第二接地路径关闭；以及一输出反相电路，依据该放电路径控制电路的输出端电压，产生一反相电压并输出之。2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器的输出装置，其特征在于，所述的预充电电路是由一第一PMOS晶体管所构成，以当欲读取该复数个存储细胞其中之一时，该第一PMOS晶体管是被导通，而将该共同输出点进行预先充电至一高电位。3.如权利要求1所述的静态随机存取存储器的输出装置，其特征在于，所述的充放电路径电路，包括一第二PMOS晶体管、一第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄超圣，
申请(专利权)人：威盛电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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