半导体非易失性存储器装置制造方法及图纸

在一种非易失性存储器装置中，其中包括例如数据“１”是带电电荷、数据“０”是非带电电荷并易受电荷损失的存储单元，当阵列（１０）中的数据为“１”计数值大于“０”计数值时，转换写数据，由此使“１”转换为“０”并且使“０”转换为“１”，导致“１”的数量小于“０”的数量，这样改善了阵列（１０）中数据的统计可靠性。当读出数据时，将已经转换和写入的数据转换成在进行转换之前的极性。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种非易失性存储器，具体涉及例如快闪电可擦可编程只读存储器(flash EEPROM)的半导体非易失性存储器装置。
技术介绍
Flash EEPROM的浮栅必须与硅衬底和控制栅电绝缘。另一方面，对于电子电荷，在写入/擦除时必须穿过浮栅之下的隧道氧化膜。因为需要隧道氧化膜来满足产生冲突的功能，因此就会因数据改写使隧道氧化膜退化而产生改写频率受限的问题，这样导致了退化的数据保持特性等。因此，已经致力于通过不同的努力改善数据保持特性。然而，近年来，因为要求在较低电压下工作，所以隧道氧化膜已经变得更薄。此外，因为半导体元件正按比例缩小，所以确定数据的存储电荷量已经降低。较薄的隧道氧化膜和数据保持特性相互抵触。目前正在研究为改善数据保持特性而设计的适合的技术。
技术实现思路
因此，本专利技术的主要目的在于提供一种尽管半导体元件按比例缩小，特别是隧道氧化膜制造得更薄，但在数据保持特性方面优越的半导体非易失性存储器装置。通过下述描述将更清楚本专利技术的其它目的、特征和优点。在根据本专利技术的非易失性存储器装置中，当写入数据时，对该数据进行位转换，这样数据具有在存储单元的数据保持特性方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器装置，包括：存储单元阵列；写入单元，用于在该阵列中写入数据；第一和第二计数器单元，用于对相对于该写入单元的写数据分别计数阈值增加数据和阈值减少数据；比较单元，用于比较该第一计数器单元的计数值 和该第二计数器单元的计数值；　存储器单元，用于存储该比较单元的比较结果；和数据转换单元，用于根据该存储器单元的信息确定是否转换该写数据的极性，并将该数据输出到该写入单元。

【技术特征摘要】
JP 2003-9-25 2003-3326911.一种非易失性存储器装置，包括存储单元阵列；写入单元，用于在该阵列中写入数据；第一和第二计数器单元，用于对相对于该写入单元的写数据分别计数阈值增加数据和阈值减少数据；比较单元，用于比较该第一计数器单元的计数值和该第二计数器单元的计数值；存储器单元，用于存储该比较单元的比较结果；和数据转换单元，用于根据该存储器单元的信息确定是否转换该写数据的极性，并将该数据输出到该写入单元。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中该阵列被划分为多个子阵列，和该存储器单元存储该比较单元的对应于每个子阵列的比较结果。3.一种非易失性存储器装置，包括存储单元阵列；写入单元，用于在该阵列中写入数据；计数器单元，用于在阈值增加数据的情况下相对于该写入单元递增(或递减)写数据，并在阈值减少数据的情况下递减(或递增)写数据；存储器单元，用于存储该计数器单元的计数结果；和数据转换单元，用于根据该存储器单元的信息确定是否转换该写数据的极性，并将该数据输出到该写入单元。4.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置，其中该阵列被划分为多个子阵列，和该存储器单元存储该计数器单元的对应于每个子阵列的计数结果。5.一种非易失性存储器装置，包括存储单元阵列；写入单元，用于在该阵列中写入数据；多个计数器单元，用于分别对多个多值数据进行计数，以将存储单元的电压设置为多个阈值电压；比较单元，用于比较多个计数器单元的各个计数值；存储器单元，用于存储该比较单元的比较结果；和数据转换单元，用于根据该存储器单元的信息确定是否转换该写数据的极性，并将该数据输出到该写入单元。6.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置，其中该阵列被划分为多个子阵列，和该存储器单元存储该比较单元的对应于每个子阵列的比较结果。7.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置，其中在该存储器单元的输入部分和输出部分中分别提供编码器和解码器。8.根据权利要求7所述的非易失性存储器装置，其中该阵列被划分为多个子阵列，和该存储器单元存储该比较单元的对应于每个子阵列的比较结果。9.一种非易失性存储器装置，包括存储单元阵列；写入单元，用于在该阵列中写入数据；第一和第二计数器单元，用于分别相对于存储单元计数MSB为1的写数据，以及相对于存储单元计数MSB为0的写数据；比较单元，用于比较第一和第二计数器单元的计数值；存储器单元，用于存储该比较单元的比较结果；和数据转换单元，用于基于该存储器单元的信息确定是否转换该写数据的极性，并将该数据输出到该写入单元。10.根据权利要求9所述的非易失性存储器装置，其中该阵列被划分为多个子阵列，和该存储器单元存储该比较单元的对应于每个子阵列的比较结果。11.一种非易失性存储器装置，包括存储单元阵列；写入单元，用于在该阵列中写入数据；计数器单元，用于计数用来将存储单元的电压设置为最大阈值电压的数据或用来将存储单元的电压设置为最小阈值电压的数据；比较单元，用于比较该计数器单元的计数值和该阵列中的存储单元的总数的半值；存储器单元，用于存储该比较单元的比较结果；和数据转换单元，用于根据该存储器单元的信息确定是否转换该写数据的极性，并将该数据输出到该写入单元。12.根据权利要求11所述的非易失性存储器装置，其中该阵列被划分为多个子阵列，和该存储器单元存储该...

【专利技术属性】
技术研发人员：立川尚久，藤原淳，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]