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半导体非易失性存储器装置制造方法及图纸
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文档序号:3085004
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在一种非易失性存储器装置中,其中包括例如数据“1”是带电电荷、数据“0”是非带电电荷并易受电荷损失的存储单元,当阵列(10)中的数据为“1”计数值大于“0”计数值时,转换写数据,由此使“1”转换为“0”并且使“0”转换为“1”,导致“1”的...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。
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