用于检验非易失性存储器件的初始状态的方法和单元技术

一种检验非易失性存储器件的初始状态的方法，从存储控制器接收检验单位的初始状态的命令和与单位相应的单位地址。响应于所述命令，检验与单位地址相应的存储单元的初始状态。将单位的检验结果传送到存储控制器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例一般涉及非易失性存储器件。更为具体地，本专利技术的实施例涉及检验非易失性存储器件的初始状态的方法和单元(unit)。
技术介绍
目前，电可写入和电可擦除的非易失性存储(NVM)器件用于将数据存储在便携式器件中。NVM器件通常分为NOR型和NAND型结构。NVM可以包括具有浮动栅和控制栅的存储单元晶体管。NOR型NVM器件可以包括一行并行地耦合于位线的存储单元，两个相邻的存储单元共享位线接点和公共电源线。NOR型NVM器件可以使用沟道热电子注入(CHEI)机理来对存储单元执行编程操作，并且可以使用Fowler-Nordheim(F-N)隧道效应来执行擦除操作。NOR型结构可以提供具有更快访问速度、但具有比NAND器件更小的存储密度和/或更大的单元电流的器件。NAND器件可以具有在位线和电源线之间串联连接的单元，而且其单元大小可以比NOR器件小。在NAND器件中，可以通过从沟道到浮栅的电子的F-N隧道效应来实现编程，而且可以通过从浮栅到沟道的电子的F-N隧道效应来实现擦除。NAND型结构可以提供比NOR器件具有器件较慢的访问速度、但具有较高存储密度和/或较小单元电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检验非易失性存储器件的初始状态的方法，包含：　　　　从存储控制器接收检验单位的初始状态的命令和与单位相应的单位地址；　　　　响应于所述命令，检验与单位地址相应的存储单元的初始状态；以及　　　　将检验结果传送到存储控制器。

【技术特征摘要】
KR 2004-8-24 66664/041.一种检验非易失性存储器件的初始状态的方法，包含从存储控制器接收检验单位的初始状态的命令和与单位相应的单位地址；响应于所述命令，检验与单位地址相应的存储单元的初始状态；以及将检验结果传送到存储控制器。2.如权利要求1所述的方法，其中所述单位是块，并且所述单位地址是块地址。3.如权利要求1所述的方法，其中所述单位是页，并且所述单位地址是页地址。4.如权利要求1所述的方法，进一步包括将检验结果存储至状态寄存器。5.如权利要求1所述的方法，其中检验初始状态进一步包括响应于该命令，解码单位地址；并且确定存储单元的数据是否处于初始状态。6.如权利要求5所述的方法，其中当存储单元的阈值电压小于或等于第一电压电平时，存储单元被确定为处于初始状态。7.如权利要求6所述的方法，进一步包括将检验结果存储至状态寄存器。8.如权利要求1所述的方法，其中响应于来自存储控制器对检验结果的请求，将检验结果传送到存储控制器。9.如权利要求3所述的方法，其中检验初始状态进一步包括响应于所述命令解码页地址；读出来自存储单元的数据；以及确定存储单元的数据是否处于初始状态。10.如权利要求9所述的方法，其中确定进一步包括将所读出的数据加载到页寄存器。11.如权利要求10所述的方法，其中当页寄存器的所有数据都具有逻辑电平“1”时确定存储单元处于初始状态，以及当页寄存器的所有数据不都具有逻辑电平“1”时确定存储单元不处于初始状态。12.一种检验非易失性存储器件的初始状态的方法，包含从存储控制器接收检验单位的初始状态的命令和与单位相应的单位地址响应于该命令解码单位地址；确定与单位地...

【专利技术属性】
技术研发人员：安世镇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]