用于非易失性半导体存储单元的检测方案制造技术

本发明专利技术提供一种检测非易失性半导体存储单元的状态的方法。当改变单元的栅极电压时，将存储单元电流以及从至少一个基准单元产生的比较电流与预定基准电流进行比较。检测放大器检测所述电流中的哪一个首先达到预定基准电流。达到基准电流的顺序指示存储单元的状态。在本发明专利技术的一个优选实施方案中，比较电流作为已擦除基准单元电流和已编程基准单元电流的平均值而产生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非易失性半导体存储器件、例如闪速存储器件。更加具体而言，本专利技术涉及一种用于检测单个非易失性存储单元的状态的检测装置，以及涉及一种检测非易失性半导体存储单元的状态的方法。
技术介绍
近来，尤其是在便携式通信设备领域中，闪速存储器已经变得越来越流行。闪速存储器的基本结构类似于包括栅极、漏极和源极的MOSFET的基本结构。通常，闪速存储器包括浮动栅极和控制栅极，如同MOSFET的栅极。另外，存在几种不具有浮动栅极的闪速存储器、例如氮化物只读存储器(NROM)。不同于使用导电多晶硅或者金属浮动栅极的其他类型的闪速存储器，氮化物只读存储器使用氧化物-氮化物-氧化物(ONO)层作为电荷俘获介质。由于氮化硅层的高度紧密特性，从MOS晶体管隧穿到氮化硅中的热电子被俘获，以形成不均匀的浓度分布。一般，闪速存储器具有读、编程和擦除的功能。当将电子注入到存储单元的浮动栅极或者将电子注入到存储单元的ONO层时，存储单元的最初处于低电压的阈值电压相对增加，并且导致从漏极到源极的电流降低。这是存储单元的已编程状态。当将负电压连接到控制栅极上时，从浮动栅极或者氮化物层中除去在浮动栅极中所俘获本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测非易失性半导体存储单元的状态的方法，该非易失性半导体存储单元由具有栅极、漏极和源极的晶体管来表示，所述方法包括：ａ）设置预定基准电流；ｂ）设置至少一个由具有栅极、漏极和源极的晶体管来表示的基准单元；ｃ）设置由 至少一个基准单元的单元电流组成的比较电流；ｄ）改变施加到所述存储单元和所述至少一个基准单元的栅极上的电压；ｅ）比较所述存储单元的存储单元电流与预定基准电流，并且同时比较所述基准单元的基准单元电流与预定基准电流；以及ｆ ）检测当改变所述栅极电压时所述存储单元电流和所述基准单元电流中的哪一个首...

【技术特征摘要】
US 2005-6-3 11/1455511.一种检测非易失性半导体存储单元的状态的方法，该非易失性半导体存储单元由具有栅极、漏极和源极的晶体管来表示，所述方法包括a)设置预定基准电流；b)设置至少一个由具有栅极、漏极和源极的晶体管来表示的基准单元；c)设置由至少一个基准单元的单元电流组成的比较电流；d)改变施加到所述存储单元和所述至少一个基准单元的栅极上的电压；e)比较所述存储单元的存储单元电流与预定基准电流，并且同时比较所述基准单元的基准单元电流与预定基准电流；以及f)检测当改变所述栅极电压时所述存储单元电流和所述基准单元电流中的哪一个首先达到所述预定基准电流，达到预定基准电流的顺序指示存储单元的状态。2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤e)包括使用第一检测放大器来比较所述存储单元电流与所述预定基准电流，所述第一检测放大器产生指示存储单元电流何时已达到由基准电流所定义的阈值的信号，以及使用第二检测放大器来比较所述基准单元电流与所述预定基准电流，所述第二检测放大器产生指示基准单元电流何时已达到由基准电流所定义的阈值的信号；以及其中步骤f)包括检测第一和第二检测放大器的信号中的哪一个信号首先指示达到由基准电流所定义的阈值。3.根据权利要求1所述的方法，其中根据已擦除基准单元和已编程基准单元的单元电流来产生比较电流。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述比较电流位于在已擦除基准单元和已编程基准单元的电流之差的30％和70％之间的范围内。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述预定基准电流位于在大约5μA和大约20μA之间的范围内。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述预定基准电流大约为10μA。7.根据权利要求1所述的方法，其中改变施加到栅极上的电压包括单调地改变电压。8.根据权利要求1所述的方法，其中改变施加到栅极上的电压包括线性地改变电压。9.一种用于半导体存储单元的电路，该电路包括基准电流源，用于提供预定基准电流；第一检测放大器，用于比较存储单元电流与所述基准电流，所述第一检测放大器输出指示存储单元电流何时已达到由基准电流所定义的阈值的第一信号；第二检测放大器，用于将比较电流与所述基准电流相比较，所述第二检测放大器输出指示...

【专利技术属性】
技术研发人员：M雷代利，L德阿姆布洛吉，
申请(专利权)人：秦蒙达股份公司，秦蒙达闪存有限责任两合公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]