监视ＮＡＮＤ闪速存储器件中的擦除阈值电压分布的方法技术

一种监视ＮＡＮＤ闪速存储器件中的擦除阈值电压分布的方法。该方法通过对主单元施加第一编程电压来对主单元进行编程，然后测量主单元的阈值电压。该方法使用第二编程电压和第三编程电压对周边单元进行编程，然后测量周边单元的阈值电压。该方法测量由周边单元的所测量阈值电压所改变的主单元的阈值电压，然后通过使用主单元和周边单元的所测量阈值电压之间的干扰关联来预测周边单元的页的初始擦除阈值电压分布。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种监视ＮＡＮＤ闪速存储器件中的擦除阈值电压分布的方法，该方法包括：擦除存储块；通过对主单元施加第一编程电压来测量所述主单元的阈值电压；通过对周边单元施加第二编程电压来测量改变后的所述主单元的阈值电压和所述周边单元的阈值电压；通过对所述周边单元施加第三编程电压来测量所述主单元的阈值电压和所述周边单元的阈值电压；计算所述第二和第三编程电压与所述阈值电压之间的干扰关联；以及使用所述干扰关联来获得所述主单元和所述周边单元的擦除分布。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：沈根守，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[]