具有判定半导体微电流功能的半导体存储器制造技术

一种半导体存储器，包括：多条字线、多条位线、配置于所述多条字线和所述多条位线的交点的多个存储单元、用于读出所述存储单元的存储内容的读出放大器；该半导体存储器还包括：位线选择单元，从所述多条位线中选择任意的位线；开关单元，控制所述位线选择单元所选择的选择位线电流的导通或非导通；电流产生单元，产生判定电流；当所述选择位线电流的值大于所述判定电流的值时，提取所述选择位线电流和所述判定电流的差电流的单元；电压转换单元，将所述差电流转换为电压；判定单元，用所述电压转换单元的输出电压判定所述判定电流和所述选择位线电流的大小关系。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体微电流(例如闪存等半导体存储器中的位线漏电流) 的判定方法及装置。本专利技术要求如下优先权 申请号特願2007 - 007239 申请日2007年01月16曰 申请国曰本
技术介绍
近年来，闪存(Flash Memory )、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM ， Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory )等非易失性存储器具 有使用微细化存储单元的大容量存储阵列结构。随着存储阵列的大容量化而位线的漏电流增大的问题成为近年非易失 性存储器所面临的课题之一。这是因为除了微细化工艺造成每个存储单元的 漏电流(位线漏电流)增加之外，还因为每条位线的存储单元数增加所引起 的。位线漏电流增加则会影响存储单元的读出操作，使不损害存储单元的阈 值控制精度的数据保持特性等可靠性劣化。对非易失性存储单元的写入及擦除操作通过反复以下操作来控制，即通 过施加写入及擦除偏压使存储单元的阈值变化的操作以及进行阈值判定即 单元电流判定的校验操作。在校验操作中，位线漏电流导致误判单元电流相 当于漏电流的量，引起过写入、擦除不足本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器，包括：多条字线、多条位线、配置于所述多条字线和所述多条位线的交点的多个存储单元、用于读出所述存储单元的存储内容的读出放大器；其特征在于，该半导体存储器包括：　　　　位线选择单元，从所述多条位线中选择任意的位线；　　　　开关单元，控制所述位线选择单元所选择的选择位线电流的导通或非导通；　　　　电流产生单元，产生判定电流；　　　　当所述选择位线电流的值大于所述判定电流的值时，提取所述选择位线电流和所述判定电流的差电流的单元；　　　　电压转换单元，将所述差电流转换为电压；　　　　判定单元，用所述电压转换单元的输出电压判定所述判定电流和所述选择位线电流的大小关系。

【技术特征摘要】
JP 2007-1-16 2007-0072391、一种半导体存储器，包括多条字线、多条位线、配置于所述多条字线和所述多条位线的交点的多个存储单元、用于读出所述存储单元的存储内容的读出放大器；其特征在于，该半导体存储器包括位线选择单元，从所述多条位线中选择任意的位线；开关单元，控制所述位线选择单元所选择的选择位线电流的导通或非导通；电流产生单元，产生判定电流；当所述选择位线电流的值大于所述判定电流的值时，提取所述选择位线电流和所述判定电流的差电流的单元；电压转换单元，将所述差电流转换为电压；判定单元，用所述电压转换单元的输出电压判定所述判定电流和所述选择位线电流的大小关系。2、 根据权利要求所述的半导体存储器，其特征在于，所述位线选^^单元 包括第l位线选择单元，选择存储单元的漏极所连接的位线； 第2位线选择单元，选择存储单元的源极所连接的位线。3、 根据权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于，所述读出放大器与 所述第2位线选择单元的输出连接。4、 根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述电压转换单元 包括差电流流入的电阻单元。5、 根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述电压转换单元 包括对差电流进行积分的单元。6、 根据权利要求5所述的半导体存储器，其特征在于，所述积分单元包括 差电流流入的电容。7、 根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述电流产生单元 包括基于施加在外部端子上的电流产生判定电流的单元(a)。8、 根据权利要求7所述的半导体存储器，其特征在于，所述单元(a)包括将施加在外部端子上的电流系数倍增的单元。9、 根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述判定单元包括比较器，比较所述电压转换单元的输出电压和判定电压。10、 根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述位线电流是 所述多条字线全部为未选中状态时流过位线的漏电流。11、 一种半导体存储器，包括多条字线、多条位线、配置于所述多条字 线和所述多条位线的交点的多个存储单元、用于读出所述存储单元的存储内容 的读出放大 器；其特征在于，该半导体存储器包括位线选择单元，从所述多条位线中选择任意的位线；开关单元，控制所述位线选择单元所选择的选择位线电流的导通或非导通；电流产生单元，产生判定电流；当所述选择位线电流的值大于所述判定电流的值时，提取所述选择位线电流和所述判定电流的差电流的单元；第1电压转换单元，将所述差电流转换为电压；第2电压转换单元，转换所述第1电压转换单元的输出；判定单元，用所述第2电压转换单元的输出电压判定所述判定电流和所述选择位线电流的大小关系。12、 根据权利要求11所述的半导体存储器，其特征在于，所述判定单元包 括比较器，比较所述电压转换单元的输出电压和判定电压。13、 根据权利要求11所述的半导体存储器，其特征在于，所述位线选择单 元包括第l位线选择单元，选择存储单元的漏极所连接的位线； 第2位线选择单元，选择存储单元的源极所连接的位线。14、 根据权利要求13所述的半导体存储器，其特征在于，所述读出放大器 与所述第2位线选择单元的输出连接。15、 根据权利要求11所述的半导体存储器，其特征在于，所述第1电压转换单元包括通过第1电容对差电流进行积分的单元；所述第2电压转换单元包括重新分配第2电容储存的电荷和所述第1电容的电荷的单元。16、 根据权利要求11所述的半导体存储器，其特征在于，所述电流产生单 元包括基于施加在外部端子上的电流产生判定电流的单元(a )。17、 根据权利要求16所述的半导体存储器，其特征在于，所述单元(a) 包括将施加在外部端子上的电流系数倍增的单元。18、 根据权利要求11所述的半导体存储器，其特征在于，所述位线电流是 所述多条字线全部为未选中状态时流过位线的漏电流。19、 一种半导体存储器，包括多条字线、多条位线、配置于所述多条字 线和所述多条位线的交点的多个存储单元、用于读出所述存储单元的存储内容 的读出放大器；其特征在于，该半导体存储器包括位线选择单元，从所述多条位线中选择任意的位线；开关单元，控制所述位线选择单元所选择的选择位线电流的导通或非导通；电流产生单元，产生判定电流；当所述选择位线电流的值大于所述判定电流的值时，提取所述选择位线电 流和所述判定电流的差电流的单元；第1电压转换单元，将所述差电流转换为电压；第2电压转换单元，转换所述第1电压转换单元的输出；切换单元，切换所述读出放大器的比较电压；判定单元，用所述第2电压转换单元的输出电压判定所述判定电流和所述 选择位线电流的大小关系。20、 根据权利要求19所述的半导体存储器，其特征在于，所述位线选择单 元包括第l位线选择单元，选择存储单元的漏极所连接的位线； 第2位线选择单元，选择存储单元的源极所连接的位线。21、 根据权利要求20所述的半导体存储器，其特征在于，所述读出放大器与所述第2位线选择单元的输出连接。22、 根据权利要求19所述的半导体存储器，其特征在于，所述第1电压转换单元包括通过第1电容对差电流进行积分的单元； 所述第2电压转换单元包括重新分配第2电容储存的电荷和所述第1电容 的电^^的单元。23、 根据权利要求19所述的半导体存储器，其特征在于，所述电流产生单 元包括基于施加在外部端子上的电流产生判定电流的单元(a )。24、 根据权利要求23所述的半导体存储器，其特征在于，所述单元(a) 包括将施加在外部端子上的电流系数倍增的单元。25、 根据权利要求19所述的半导体存储器，其特征在于，所述切换单元包括偏压施加单元；将来自于所述偏压施加单元的偏压或读出参考选择性地作为所述读出放大 器的比较电压而提供的单元。26、 根据权利要求19所述的半导体存储器，其特征在于，所述位线电流是27、 一种判定半导体存储器的位线电流的方法，其特征在于，所述半导体 存储器包括多条字线； 多条位线；虛地阵列结构的存储单元阵列，具有配置于所述多条字线和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：森俊树，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]