非接触集成电路卡制造技术

一种非接触集成电路（ＩＣ）卡（１，２，３０，５０）包括基片（１０），设置在基片上的线圈（１２，３２，５２，５７），及与线圈（１２，３２，５２，５７）电连接并具有主表面（１１ｃ，３１ｃ，５１ｅ）的ＩＣ芯片（１１，３１，５１）。ＩＣ芯片具有形成在主表面内的端子（１１ａ，１１ｂ３１ａ，３１ｂ，５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ）。线圈（１２，３２，５２，５７）具有与端子（１１ｂ，３１ｂ，５１ｂ，５１ｄ）电连接的线圈内端（１２ｂ，３２ｂ，５２ｂ，５７ｂ）和与端子（１１ａ，３１ａ，５１ａ，５７ｃ）电连接的线圈外端（１２ａ，３２ａ，５２ａ，５７ａ）。通过将ＩＣ芯片（１１，３１，５１）设置在线圈（１２，３２，５２，５７）之上而使得线圈内端（１２ｂ，３２ｂ，５２ｂ，５７ｂ）位于端子（１１ｂ，３１ｂ，５１ｂ，５１ｄ）的附近而线圈外端（１２ａ，３２ａ，５２ａ，５７ａ）位于端子（１１ａ，３１ａ，５１ａ，５１ｃ）的附近。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种非接触型IC卡。更具体的涉及一种无电源的用于通过将由自主天线圈接收的无线电波转换为电功率向/从外部数据处理装置传输/接收电信号的非接触型IC卡。已经产生并应用的非接触型IC卡，设置有半导体集成电路器件(IC)，用于存储信息(数据)和向/从外部数据处理装置发送/接收信息，外部数据处理装置提供或使用非接触状态中的信息。此种的非接触IC卡在信息管理系统中，被作为诸如ski lift通行证，用于火车或公共汽车的计算机通行证，用于物品管理的标签等。在使用非接触IC卡的信息管理系统中，通过电磁波(此后称为RF载波)传输信息。外部装置调制RF载波并传输命令或信息。IC卡提供有调谐电路，该电路包含一个作为天线的线圈，用于接收调制的RF载波和电容器。IC卡解调由外部装置传输的调制RF载波用于获得命令或信息，并通过信号改变调谐电路的阻抗，所述信号表示在RF载波未被调制期间将要返回的信息。阻抗的改变可调制RF载波。外部装置接收和解调调制的RF载波并从IC卡获得信息。最好的，IC卡可被半-永久的使用并薄。因此，IC卡在不用具有有限寿命的电源的情况下从RF载波接收电功率。可通过同一RF载波进行信息的传输和提供电功率。当通过同一RF载波进行信息的传输和电功率的提供时，在IC卡中设置一个调谐电路。当通过不同的RF载波进行信息的传输和电功率的提供时，在IC卡中设置两个调谐电路。图7和8为传统的IC卡的示意图。参考图7，IC卡100包含IC芯片111，一个调谐电路114，和用于存储通过RF载波获得的电功率的电容器115。调谐电路114与IC芯片111相连。调谐电路114具有作为天线的线圈112用于接收RF载波，及用于谐振与线圈并联的电容器113。电容器115同样与IC芯片111相连。在此IC芯片100中，发送信息并将电功率从外部装置提供到包含一个线圈112和电容器113的调谐电路114。将所提供的电功率通过IC芯片111存储到电容器115中。参考图8，IC卡200包含IC芯片221，两个调谐电路224和229及用于存储通过RF载波获得的电功率的电容器225。调谐电路224具有一个作为天线用于接收RF载波的线圈222，和一个与线圈222并联用于谐振的电容器223。调谐电路224通过接收载波而获得来自外部装置的电功率。调谐电路229具有作为天线用于接收RF载波的线圈227，和用于谐振与线圈227并联的电容器228。调谐电路229的线圈227接收RF载波用于对外部装置进行数据传输。调谐电路224和229及电容器225与IC芯片221相连。当向调谐电路224提供来自外部装置的电功率时，电功率被通过IC芯片221存储到电容器225中。图9为图7中的IC卡的平面示意图，附图说明图10为沿图9的线B-B的截面示意图。参考图9和图10，IC卡100包含基片110，线圈112，作为半导体器件的IC芯片111和电容器113和115。导线的线圈112形成在基片110上。线圈112具有线圈外端112a和线圈内端112b。将作为半导体器件的IC芯片111形成在基片110上。IC芯片111具有面对基片110的主表面。主表面111c具有端子111a和111b。端子111a与线圈外端112a电连接。端子111b与线圈内端112b电连接，其中线圈内端112b借助形成在基片110中的通孔151和152通过互连153形成在线圈的内侧112c。IC芯片111通过互连157与位于线圈外侧112上的电容器113和115相连。在基片110上形成树脂薄板(未示出)覆盖线圈112，IC芯片111，电容器113和115等。需注意的是，两个线圈222和227的内端和外端通过通孔与IC芯片221的端子相连，其中通孔形成在基片中和具有两个图8中所示的调谐电路224和229的基片的背面中。在具有上述的结构的IC卡100中，端子111b和线圈内端112b通过互连153借助通孔151和152进行电连接。因此，互连153不会与线圈112接触，除了线圈外端112b以外，同时互连153不会与电容器113和115接触。因此，可防止与短路相关的问题。然而，这样的IC卡需要形成通孔151和152的步骤和在与形成线圈112和IC芯片111的表面的相对的表面上形成互连153的步骤。另外，需要通过气相沉积方法用金属填充通孔151用于互连的的步骤。这使得生产过程复杂且效率降低和成本增加。由于IC卡100薄且易弯曲，通孔151和152中的互连153容易断开，从而造成工作故障。需注意的是，IC芯片111设置在图9中所示的IC卡100中的线圈的外侧112d上，IC芯片111可设置在线圈的内侧112c上。然而，同样在此情况下，必须形成一个通孔以电连接线圈外端112a和IC芯片111的端子111a。其结果，会产生与复杂的生产过程和生产故障相关的问题。为了解决这些问题，IC芯片111的带有端子111a和111b的主表面111c可形成为图10中的上侧，其中端子111a和111b通过焊线分别与线圈外端和内端相连。此种的结构可不必使用通孔并且生产过程不复杂。然而，电连接端子111b和线圈内端112b的焊线饶过线圈112，因此焊线可能会与线圈112接触并造成故障。另外，由于连接端子111b和线圈内端1 12b的焊线的长度较长，外力可能会使线断开造成故障。因此，本专利技术的目的是解决上述的问题。本专利技术的一个目的是提供一种非接触IC卡，其可容易制造并可防止出现故障。根据本专利技术的非接触IC卡包含一个基片，形成在基片上的导电层以形成线圈，和与导电层电连接并具有主表面的半导体器件。半导体器件具有第一和第二形成在主表面中的端子。导电层具有与第一端子电连接的内端和与第二端子电连接的外端。通过将半导体器件形成在导电层上，从而线圈内端位于第一端子的周围而线圈外端位于第二端子的周围。在具有上述结构的非接触IC卡中，当线圈内端位于第一端子的周围而线圈外端位于第二端子的周围时，不象传统的方式一样在将线圈的端与半导体器件的端相连时需要一个接孔。因此，便于进行生产，并可防止线的断开。另外，当线圈内端位于第一端的周围而线圈外端位于第二端的周围时，即使当通过焊线将端子与端点相连，焊线的长度也很小。其结果，可防止线和线圈之间的接触的断开。因此，所提供到非接触IC卡可防止产生故障。最好将半导体器件设置在导电层上，这样第一端子位于线圈内端之上而第二端子位于线圈外端之上。最好半导体器件的所处的位置可覆盖导电层的一部分。半导体器件的主表面最好具有第一和第二角，其中第一和第二端子分别形成在第一和第二角。在此情况下，线圈的导电层形成在第一和第二角之间。然后，线圈的圈数增多，并且在即使当RF载波的强度低时，通过RF载波也可获得信号或电功率。第一和第二角之间的距离最好等于主表面上的虚对角线的长度。在此情况下，第一和第二角之间的距离增大，从而线圈的圈数增多。带有第一和第二端子的半导体器件的主表面可与导电层相对。第一端子和线圈内端最好通过焊线进行电连接，第二端子和线圈外部最好通过焊线进行电连接。在此情况下，可保证通过焊线将第一端子和线圈内部电连接，第二端子和线圈外端电连接。其结果，可避免产生与线断开或短路等类似的问题，从而可防止故障的产生。与带有第一和第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非接触ＩＣ卡，包含：一个基片（１０）；形成在基片上的导电层（１２，３２，５２，５７）以形成线圈；和与所述导电层（１２，３２，５２，５７）电连接并具有主表面（１１ｃ，３１ｃ，５１ｅ）的半导体器件（１１，３１，５１）；所述半 导体器件（１２，３２，５２，５７）具有第一端子（１１ｂ，３１ｂ，５１ｂ，５１ｄ）和第二端子（１１ａ，３１ａ，５１ａ，５１ｃ），二者形成在所述主表面（１１ｃ，３１ｃ，５１ｅ）中；所述导电层（１２，３２，５２，５７）具有与所述第一端子（１１ ｂ，３１ｂ，５１ｂ，５１ｄ）电连接的线圈内端（１２ｂ，３２ｂ，５２ｂ，５７ｂ）和与所述第二端子（１１ａ，３１ａ，５１ａ，５１ｃ）电连接的线圈外端（１２ａ，３２ａ，５２ａ，５７ａ）；及通过将所述半导体器件（１１，３１，５１）形成在所述导电 层（１２，３２，５２，５７）上，从而所述线圈内端（１２ｂ，３２ｂ，５２，５７ｂ）位于所述第一端子（１１ｂ，３１ｂ，５１ｂ，５１ｄ）的周围而所述线圈外端（１２ａ，３２ａ，５２ｂ，５７ａ）位于所述第二端子（１１ａ，３１ａ，５１ａ，５１ｃ）的周围。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：生藤义弘，冈田浩治，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]