半导体结构制造技术

半导体结构包含基材、第一鳍片结构、半导体层、栅极结构以及源极/漏极结构。第一鳍片结构属于一介电质材料，且位于基材上方。第一鳍片结构具有沿着一第一方向延伸的一第一侧壁以及一第二侧壁，且具有相接于第一侧壁与第二侧壁之间的一上表面。半导体层属于一二维材料，且沿着第一方向而至少位于第一鳍片结构的第一侧壁以及第二侧壁上方。栅极结构，邻近于半导体层的一第一部位。源极/漏极结构，邻近于半导体层的一第二部位。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本揭示案大体而言是关于半导体结构，特别是关于半导体结构的制造方法，且在一些实施例中，是关于用于形成包括二维材料的半导体结构的过程。
技术介绍
二维(two-dimensional；2D)材料已为用以在半导体技术中利用多个二维材料的新颖电子性质及大电位的最近研究工作的焦点，多个最近研究工作通过石墨烯的成功制造促进。尽管石墨烯包括高载子移动率值，但石墨烯的零能隙性质，亦即，半金属性质，限制石墨烯以半导体元件中的应用。黑磷的2D同素异形体，磷烯(phosphorene)，为另一广泛研究的2D材料，预期该广泛研究的2D材料具有高移动率值及可见能隙。磷烯的一个缺点为其在大气条件下的快速降解。
技术实现思路
于一些实施方式中，半导体结构包含基材、第一鳍片结构、半导体层、栅极结构以及源极/漏极结构。第一鳍片结构属于一介电质材料，且位于基材上方。第一鳍片结构具有沿着一第一方向延伸的一第一侧壁以及一第二侧壁，且具有相接于第一侧壁与第二侧壁之间的一上表面。半导体层属于一二维材料，且沿着第一方向而至少位于第一鳍片结构的第一侧壁以及第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：/n一基材；/n一第一鳍片结构，属于一介电质材料，且位于该基材上方，该第一鳍片结构具有沿着一第一方向延伸的一第一侧壁以及一第二侧壁，且具有相接于该第一侧壁与该第二侧壁之间的一上表面；/n一半导体层，属于一二维材料，且沿着该第一方向而至少位于该第一鳍片结构的该第一侧壁以及该第二侧壁上方；/n一栅极结构，邻近于该半导体层的一第一部位；以及/n一源极/漏极结构，邻近于该半导体层的一第二部位。/n

【技术特征摘要】
20190917 US 16/573,8921.一种半导体结构，其特征在于，包含：
一基材；
一第一鳍片结构，属于一介电质材料，且位于该基材上方，该第一鳍片结构具有沿着一第一方向延伸的一第一侧壁以及一第二侧壁，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑兆钦，江宏礼，吕俊颉，李明洋，陈自强，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71