薄膜晶体管、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种薄膜晶体管，包括有源层、源极及漏极，源极与漏极间隔设置并与有源层电性连接，有源层包括设置于源极与漏极之间的第一沟道结构，第一沟道结构包括第一侧及与第一侧相对设置的第二侧，自源极朝向漏极延伸的第一方向垂直于自第一侧朝向第二侧延伸的第二方向，第一沟道结构在第一侧与第二侧之间的延伸长度大于第一侧与第二侧之间的直线距离。如此，增加了沟道宽度，显示装置能够获得更大的驱动电流。并且，减少薄膜晶体管在显示装置中所占的尺寸，提升显示性能。本申请还提供一种包括上述薄膜晶体管的阵列基板及显示装置。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
本技术涉及显示
，特别涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(0rganicLight-EmittingDiode，OLED)具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、电视等。在TFT-OLED的显示器件中，OLED依靠电流驱动，为了获得足够大的驱动电流，通常采用增大薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)尺寸的办法，但是如此，会降低显示器的分辨率。
技术实现思路
为了解决前述问题，本技术提供一种能够提升显示性能的薄膜晶体管、阵列基板及显示装置。第一方面，本申请提供了一种薄膜晶体管，包括有源层、源极及漏极，所述源极与所述漏极间隔设置并与所述有源层电性连接，所述有源层包括设置于所述源极与所述漏极之间的第一沟道结构，所述第一沟道结构包括第一侧及与所述第一侧相对设置的第二侧，自所述源极朝向所述漏极延伸的第一方向垂直于自所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括有源层、源极及漏极，所述源极与所述漏极间隔设置并与所述有源层电性连接，所述有源层包括设置于所述源极与所述漏极之间的第一沟道结构，所述第一沟道结构包括第一侧及与所述第一侧相对设置的第二侧，自所述源极朝向所述漏极延伸的第一方向垂直于自所述第一侧朝向所述第二侧延伸的第二方向，所述第一沟道结构在所述第一侧与所述第二侧之间的延伸长度大于所述第一侧与所述第二侧之间的直线距离。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括有源层、源极及漏极，所述源极与所述漏极间隔设置并与所述有源层电性连接，所述有源层包括设置于所述源极与所述漏极之间的第一沟道结构，所述第一沟道结构包括第一侧及与所述第一侧相对设置的第二侧，自所述源极朝向所述漏极延伸的第一方向垂直于自所述第一侧朝向所述第二侧延伸的第二方向，所述第一沟道结构在所述第一侧与所述第二侧之间的延伸长度大于所述第一侧与所述第二侧之间的直线距离。


2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一沟道结构在所述第一侧与所述第二侧之间包括曲面，所述第一沟道结构在所述第一侧与所述第二侧之间的延伸长度包括曲面的弧长。


3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二方向垂直于所述薄膜晶体管的厚度方向。


4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一沟道结构沿所述薄膜晶体管的厚度方向延伸。


5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层还包括连接所述第一沟道结构的第二沟道结构，所述第二沟道结构将所述第一沟道结构连接于所述源极及所述漏极。


6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二沟道结构垂直于所述第一沟道结构。


7.如权利要求1至6的任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括缓冲层，所述有源层覆盖于所述缓冲层，所述缓冲层上开设一凹槽，所述第一沟道结构容纳于所述凹槽内。


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【专利技术属性】
技术研发人员：陈宋郊，晏国文，胡锐钦，
申请(专利权)人：深圳柔宇显示技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44