电子设备、显示屏、薄膜晶体管及其制备方法技术

本申请提供一种电子设备、显示屏、薄膜晶体管及其制备方法，所述制备方法包括：提供基板；在所述基板的一侧形成源极和漏极，所述源极和所述漏极间隔设置形成容纳空间；在所述容纳空间内形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层背离所述基板的一侧形成连接于所述源极和所述漏极的有源层。本申请提供的制备方法可以克服或者改善有源层变薄甚至断线的问题。或者改善有源层变薄甚至断线的问题。或者改善有源层变薄甚至断线的问题。

【技术实现步骤摘要】
电子设备、显示屏、薄膜晶体管及其制备方法


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种电子设备、显示屏、薄膜晶体管及其制备方法。

技术介绍

[0002]背沟道蚀刻型薄膜晶体具有制作工艺简单，沟道长度小，容易实现小型化等优势，因此得到广泛应用。相关技术中，背沟道蚀刻型薄膜晶体有两种结构形式，一种是源漏极覆盖在有源层上，但是在蚀刻形成源漏极的过程中会造成有源层蚀刻损伤；另一种是有源层覆盖在源漏极上，但是有源层在爬坡处的覆盖不佳，导致产生有源层变薄甚至断线的问题。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种电子设备、显示屏、薄膜晶体管及其制备方法，该制备方法可以克服或者改善有源层变薄甚至断线的问题。
[0004]本申请提供一种薄膜晶体管的制备方法，所述制备方法包括：提供基板；在所述基板的一侧形成源极和漏极，所述源极和所述漏极间隔设置形成容纳空间；在所述容纳空间内形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层背离所述基板的一侧形成连接于所述源极和所述漏极的有源层。
[0005]本申请提供的薄膜晶体管的制备方法，通过将第一绝缘层填充在源极和漏极间隔形成的容纳空间内，然后在第一绝缘层背离基板的一侧形成有源层，可以理解的是，一方面，在源极和漏极形成之后再形成有源层，从而可以避免在形成源极和漏极过程中对有源层造成损伤；另一方面，容纳空间内已填充第一绝缘层，从而可以使得有源层连接于源极和漏极的位置处不会出现爬坡现象，或者减弱爬坡程度，进而克服或改善有源层变薄甚至断线的问题。
[0006]本申请还提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括基板、源极、漏极、第一绝缘层、及有源层，所述源极和所述漏极设置于基板的一侧，且所述源极和所述漏极间隔设置形成有容纳空间，所述第一绝缘层设置于所述容纳空间内，所述有源层设置于所述第一绝缘层背离所述基板的一侧，且两端分别连接于所述源极和所述漏极。
[0007]本申请还提供一种显示屏，所述显示屏包括薄膜晶体管。
[0008]本申请还提供一种电子设备，所述电子设备包括显示屏。
附图说明
[0009]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0010]图1为本申请一实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图。
[0011]图2为图1所示的制备方法流程中对应的结构图。
[0012]图3为图1所示的制备方法流程中对应的结构图。
[0013]图4为图1所示的制备方法流程中对应的结构图。
[0014]图5为图1所示的制备方法流程中对应的结构图。
[0015]图6为图5所示的薄膜晶体管形成钝化层之后的结构示意图。
[0016]图7为另一种不同于图5所示的薄膜晶体管的结构示意图。
[0017]图8为本申请另一实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图。
[0018]图9为图8所示的制备方法流程中对应的结构图。
[0019]图10为图8所示的制备方法流程中对应的结构图。
[0020]图11为本申请又一实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图。
[0021]图12为本申请又一实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图。
[0022]图13为图12所示的制备方法流程中对应的结构图。
[0023]图14为图12所示的制备方法流程中对应的结构图。
[0024]图15为图12所示的制备方法流程中对应的结构图。
[0025]图16为图12所示的制备方法流程中对应的结构图。
[0026]图17为本申请又一实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图。
[0027]图18为图17所示的制备方法流程中对应的结构图。
[0028]图19为本申请又一实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图。
[0029]图20为图19所示的制备方法流程中对应的结构图。
[0030]图21为图19所示的制备方法流程中对应的结构图。
[0031]图22为图19所示的制备方法流程中对应的结构图。
[0032]图23为图19所示的制备方法流程中对应的结构图。
[0033]图24为本申请实施例提供的薄膜晶体管的示意图。
[0034]图25为本申请实施例提供的显示屏的示意图。
[0035]图26为本申请实施例提供的电子设备的示意图。
具体实施方式
[0036]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0037]本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
[0038]在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，在至少两个实施例结合在一起不存在矛盾的情况下，本文所描述的实施
例可以与其它实施例相结合。
[0039]请参照图1至图5。图1为本申请一实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图。图2为图1所示的制备方法流程中对应的结构图。图3为图1所示的制备方法流程中对应的结构图。图4为图1所示的制备方法流程中对应的结构图。图5为图1所示的制备方法流程中对应的结构图。
[0040]本申请提供一种薄膜晶体管100的制备方法，所述制备方法可以但不仅限于包括步骤S100、S200、S300、S400，关于步骤S100、S200、S300、S400的详细介绍如下。
[0041]S100：提供基板110。请参照图2。
[0042]S200：在所述基板110的一侧形成源极120和漏极130，所述源极120和所述漏极130间隔设置形成容纳空间K1。请参照图3。
[0043]S300：在所述容纳空间K1内形成第一绝缘层140。请参照图4。
[0044]S400：在所述第一绝缘层140背离所述基板110的一侧形成连接于所述源极120和所述漏极130的有源层150。请参照图5。
[0045]请进一步参照图6，图6为图5所示的薄膜晶体管形成钝化层之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供基板；在所述基板的一侧形成源极和漏极，所述源极和所述漏极间隔设置形成容纳空间；在所述容纳空间内形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层背离所述基板的一侧形成连接于所述源极和所述漏极的有源层。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层齐平于所述源极和所述漏极的背离所述基板的表面。3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述“在所述容纳空间内形成第一绝缘层”，包括：形成覆盖所述源极、所述漏极以及所述容纳空间的绝缘材料；去除部分绝缘材料以露出所述源极及所述漏极，保留容纳空间内的至少部分绝缘材料，以形成第一绝缘层。4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述“去除部分绝缘材料以露出所述源极及所述漏极，保留容纳空间内的至少部分绝缘材料，以形成第一绝缘层”，包括：采用化学抛光方法去除部分的绝缘材料，以使得所述第一绝缘层齐平于所述源极和所述漏极的背离所述基板的表面。5.如权利要求1-4任意一项所述的制备方法，其特征在于，在“提供基板”和“在所述基板的一侧形成源极和漏极”之间，...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢忠伟，金敏澈，林俊仪，
申请(专利权)人：深圳柔宇显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：