电子设备、显示屏、薄膜晶体管及其制备方法技术

本申请提供一种电子设备、显示屏、薄膜晶体管及其制备方法，所述制备方法包括：提供基板；在所述基板的一侧形成源极和漏极，所述源极和所述漏极间隔设置形成容纳空间；在所述容纳空间内形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层背离所述基板的一侧形成连接于所述源极和所述漏极的有源层。本申请提供的制备方法可以克服或者改善有源层变薄甚至断线的问题。或者改善有源层变薄甚至断线的问题。或者改善有源层变薄甚至断线的问题。

【技术实现步骤摘要】
电子设备、显示屏、薄膜晶体管及其制备方法


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种电子设备、显示屏、薄膜晶体管及其制备方法。

技术介绍

[0002]背沟道蚀刻型薄膜晶体具有制作工艺简单，沟道长度小，容易实现小型化等优势，因此得到广泛应用。相关技术中，背沟道蚀刻型薄膜晶体有两种结构形式，一种是源漏极覆盖在有源层上，但是在蚀刻形成源漏极的过程中会造成有源层蚀刻损伤；另一种是有源层覆盖在源漏极上，但是有源层在爬坡处的覆盖不佳，导致产生有源层变薄甚至断线的问题。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种电子设备、显示屏、薄膜晶体管及其制备方法，该制备方法可以克服或者改善有源层变薄甚至断线的问题。
[0004]本申请提供一种薄膜晶体管的制备方法，所述制备方法包括：提供基板；在所述基板的一侧形成源极和漏极，所述源极和所述漏极间隔设置形成容纳空间；在所述容纳空间内形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层背离所述基板的一侧形成连接于所述源极和所述漏极的有源层。
[0005]本申请提供的薄膜晶体管的制备方法，通过将第一绝缘层填充在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供基板；在所述基板的一侧形成源极和漏极，所述源极和所述漏极间隔设置形成容纳空间；在所述容纳空间内形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层背离所述基板的一侧形成连接于所述源极和所述漏极的有源层。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层齐平于所述源极和所述漏极的背离所述基板的表面。3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述“在所述容纳空间内形成第一绝缘层”，包括：形成覆盖所述源极、所述漏极以及所述容纳空间的绝缘材料；去除部分绝缘材料以露出所述源极及所述漏极，保留容纳空间内的至少部分绝缘材料，以形成第一绝缘层。4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述“去除部分绝缘材料以露出所述源极及所述漏极，保留容纳空间内的至少部分绝缘材料，以形成第一绝缘层”，包括：采用化学抛光方法去除部分的绝缘材料，以使得所述第一绝缘层齐平于所述源极和所述漏极的背离所述基板的表面。5.如权利要求1-4任意一项所述的制备方法，其特征在于，在“提供基板”和“在所述基板的一侧形成源极和漏极”之间，...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢忠伟，金敏澈，林俊仪，
申请(专利权)人：深圳柔宇显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：