一种场效应晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术实施例提供一种场效应晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，可降低短沟道效应的影响。一种场效应晶体管的制造方法，所述场效应晶体管具有源区、漏区、以及沟道区；所述场效应晶体管的制造方法包括：在半导体衬底上形成栅极氧化层；在所述沟道区，沿所述沟道长度的方向，所述栅极氧化层中靠近所述源区的部分为第一部分，所述栅极氧化层中靠近所述漏区的部分为第二部分，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。所述第二部分的厚度。所述第二部分的厚度。

【技术实现步骤摘要】
一种场效应晶体管及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种场效应晶体管及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体设计中元件的尺寸的减小，半导体在结构上有很多变化，以确保元件的性能。
[0003]然而，由于元件的尺寸减小，场效应晶体管的尺寸也减小，从而出现短沟道效应的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施例提供一种场效应晶体管及其制造方法，可降低短沟道效应的影响。
[0005]为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：
[0006]第一方面，提供一种场效应晶体管的制造方法，场效应晶体管具有源区、漏区、以及沟道区；场效应晶体管的制造方法包括：在半导体衬底上形成栅极氧化层；在沟道区，沿沟道长度的方向，栅极氧化层中靠近源区的部分为第一部分，栅极氧化层中靠近漏区的部分为第二部分，第一部分的厚度小于第二部分的厚度。
[0007]可选的，在形成栅极氧化层之后，场效应晶体管的制造方法还包括：在栅极氧化层上形成栅堆叠。
[0008]可选的，形成栅极氧化层和栅堆叠，包括：在半导体衬底上形成栅极氧化膜；对栅极氧化膜进行图案化处理，形成图案化栅极氧化膜，图案化栅极氧化膜的侧面具有坡度，沿沟道长度方向，图案化栅极氧化膜包括相对的第一侧面和第二侧面，第一侧面与待形成的栅堆叠层重叠，至少第二侧面与待形成的栅堆叠层无重叠；在图案化栅极氧化膜上形成栅堆叠层薄膜；对栅堆叠薄膜和图案化栅极氧化膜进行图案化处理，形成栅堆叠层和栅极氧化层，栅堆叠层位于栅极氧化层上；在栅堆叠层上形成绝缘薄膜；对绝缘薄膜进行刻蚀，形成间隔层，间隔层位于栅极氧化层和栅堆叠层侧面。
[0009]可选的，对栅极氧化膜进行图案化处理，形成图案化栅极氧化膜，包括：在栅极氧化膜上形成光刻胶，对光刻胶曝光、显影后形成图案化光刻胶；对栅极氧化膜进行湿法刻蚀，形成图案化栅极氧化膜；剥离光刻胶图案。
[0010]可选的，图案化栅极氧化层中除第一侧面的部分与待形成的栅堆叠层无重叠。
[0011]可选的，沿沟道长度方向，第一部分的宽度与第二部分的宽度的比值小于或等于7：3。
[0012]可选的，第二部分的平均厚度为第一部分的平均厚度的1.001～4倍。
[0013]可选的，场效应晶体管为鳍式场效应晶体管。
[0014]本专利技术实施例提供一种场效应晶体管的制造方法，场效应晶体管包括栅极氧化层，栅极氧化层包括第一部分和第二部分，第一部分的厚度小于第二部分的厚度。通过提高
第二部分的厚度，降低电荷的能量水平，从而降低短沟道效应的影响。
[0015]第二方面，提供一种场效应晶体管，具有源区、漏区、以及沟道区；场效应晶体管包括栅极氧化层，在沟道区，沿沟道长度的方向，栅极氧化层中靠近源区的部分为第一部分，栅极氧化层中靠近漏区的部分为第二部分，第一部分的厚度小于第二部分的厚度。
[0016]可选的，场效应晶体管还包括栅堆叠层和间隔层，栅堆叠层位于栅极氧化层上；间隔层位于栅堆叠层和栅极氧化层的侧面。
[0017]第二方面的有益效果与第一方面基本相同，在此不再赘述。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本专利技术实施例提供的一种场效应晶体管的结构示意图；
[0020]图2a为图1所示的场效应晶体管沿A-A1向的制造过程图；
[0021]图2b为图1所示的场效应晶体管沿B-B1向的制造过程图；
[0022]图3a为图1所示的场效应晶体管沿A-A1向的制造过程图；
[0023]图3b为图1所示的场效应晶体管沿B-B1向的制造过程图；
[0024]图4a为图1所示的场效应晶体管沿A-A1向的制造过程图；
[0025]图4b为图1所示的场效应晶体管沿B-B1向的制造过程图；
[0026]图5a为图1所示的场效应晶体管沿A-A1向的制造过程图；
[0027]图5b为图1所示的场效应晶体管沿B-B1向的制造过程图；
[0028]图6a为图1所示的场效应晶体管沿A-A1向的制造过程图；
[0029]图6b为图1所示的场效应晶体管沿B-B1向的制造过程图；
[0030]图7a为图1所示的场效应晶体管沿A-A1向的制造过程图；
[0031]图7b为图1所示的场效应晶体管沿B-B1向的制造过程图；
[0032]图8a为图1所示的场效应晶体管沿A-A1向的制造过程图；
[0033]图8b为图1所示的场效应晶体管沿B-B1向的制造过程图；
[0034]图9a为图1所示的场效应晶体管沿A-A1向的制造过程图；
[0035]图9b为图1所示的场效应晶体管沿B-B1向的制造过程图；
[0036]图10a为图1所示的场效应晶体管沿A-A1向的制造过程图；
[0037]图10b为图1所示的场效应晶体管沿B-B1向的制造过程图；
[0038]图11a为图1所示的场效应晶体管沿A-A1向的制造过程图；
[0039]图11b为图1所示的场效应晶体管沿B-B1向的制造过程图；
[0040]图12a为图1所示的场效应晶体管沿A-A1向的制造过程图；
[0041]图12b为图1所示的场效应晶体管沿B-B1向的制造过程图。
[0042]附图标记：
[0043]10-半导体衬底；11-栅极氧化层；111-第一部分；112-第二部分；12-源极；13-漏极；141-栅堆叠层；142-间隔层；15-氧化层；21-栅极氧化膜；22-图案化栅极氧化膜；23-栅
堆叠薄膜；24-绝缘薄膜；31-第一光刻胶图案；32-第二光刻胶图案。
具体实施方式
[0044]以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
[0045]在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
[0046]在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述场效应晶体管具有源区、漏区、以及沟道区；所述场效应晶体管的制造方法包括：在半导体衬底上形成栅极氧化层；在所述沟道区，沿所述沟道长度的方向，所述栅极氧化层中靠近所述源区的部分为第一部分，所述栅极氧化层中靠近所述漏区的部分为第二部分，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。2.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，在形成所述栅极氧化层之后，所述场效应晶体管的制造方法还包括：在所述栅极氧化层上形成栅堆叠。3.根据权利要求2所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，形成所述栅极氧化层和所述栅堆叠，包括：在所述半导体衬底上形成栅极氧化膜；对所述栅极氧化膜进行图案化处理，形成图案化栅极氧化膜，所述图案化栅极氧化膜的侧面具有坡度，沿所述沟道长度方向，所述图案化栅极氧化膜包括相对的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面与待形成的栅堆叠层重叠，至少所述第二侧面与待形成的所述栅堆叠层无重叠；在所述图案化栅极氧化膜上形成栅堆叠薄膜；对所述栅堆叠薄膜和图案化栅极氧化膜进行图案化处理，形成栅堆叠层和所述栅极氧化层，所述栅堆叠层位于所述栅极氧化层上；在所述栅堆叠层上形成绝缘薄膜；对所述绝缘薄膜进行刻蚀，形成间隔层，所述间隔层位于所述栅极氧化层和所述栅堆叠层侧面。4.根据权利要求3所述的场效应晶体管的制造方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：金志勋，高建峰，刘卫兵，李俊杰，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：