一种OLED显示结构及显示屏制造技术

本实用新型专利技术提供了一种OLED显示结构，包括顺次层叠设置的玻璃基板、铟锡氧化物层、发光结构层、电极层、金属氧化物层、透明导电层和封盖层；所述透明导电层为铟锡氧化物层或铟锌氧化物层。电极层的表面形成金属氧化物层，金属氧化物层可以保证电极层的透光率，还可以起到保护电极层的作用。在金属氧化物层的外部还设置有高透光率、高导电率的透明导电层，可以减小电极层面内的电阻，减小压降(IR

【技术实现步骤摘要】
一种OLED显示结构及显示屏


[0001]本技术涉及液晶显示领域，尤其是指一种OLED显示结构及显示屏。

技术介绍

[0002]目前，在OLED显示屏的顶发光器件中，阴极常采用半透明半反射的结构层，大部分的阴极材料采用金属镁(Mg)和金属银(Ag)的合金制作而成。为了保证阴极材料具有一定的透过率，阴极层(Cathode)的厚度会极薄，一般只有10～20nm。电极层较薄会导致面内电阻较大，随着搭接区距离越来越远，线路上的压降降低较快，从而导致面内亮度不均一，这就是平时常见IR
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drop现象。
[0003]现有技术中，一般通过增加阴极厚度或者降低金属镁的比例来增加导电率，但是增加电极层的厚度会降低光透率，降低金属镁的比例不利于电子注入，将会导致器件电压升高。
[0004]因此迫切需要一种在保证光透率的情况下，还可以降低显示屏面内压降的显示结构及显示屏。

技术实现思路

[0005]本技术所要解决的技术问题是：提供一种在保证光透率的情况下，还可以降低显示屏面内压降的显示结构及显示屏。
[0006]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：提供一种OLED显示结构，包括顺次层叠设置的玻璃基板、铟锡氧化物层、发光结构层、电极层、金属氧化物层、透明导电层和封盖层；
[0007]所述透明导电层为铟锡氧化物层或铟锌氧化物层。
[0008]进一步地，所述发光结构层包括顺次层叠设置的电子传输层、空穴阻挡层、发光层、空穴传输层和空穴注入层。
[0009]进一步地，所述电极层为金层、银层或者铝层，所述金属氧化物层为所述电极层远离所述玻璃基板的一侧部分氧化而成。
[0010]进一步地，所述发光结构层包括顺次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层。
[0011]进一步地，所述电极层为金属镁和金属银的合金层。
[0012]进一步地，所述金属氧化物层为氧化钙层、氧化锂层或者氧化铝层。
[0013]进一步地，所述封盖层远离所述玻璃基板的一侧还设置有聚四氟乙烯层。
[0014]与此同时，本技术还提供了一种OLED显示屏，该显示屏包括上述任意一种OLED显示结构。
[0015]本技术的有益效果在于：电极层的表面形成金属氧化物层，金属氧化物层可以保证电极层的透光率，还可以起到保护电极层的作用。在金属氧化物层的外部还设置有高透光率、高导电率的透明导电层，可以减小电极层面内的电阻，减小压降(IR
‑
drop)现象，
使得OLED显示结构成像更加清晰均匀。
附图说明
[0016]下面结合附图详述本技术的具体结构：
[0017]图1为现有技术的中OLED显示结构的断面示意图；
[0018]图2为本技术OLED显示结构第一实施例的断面示意图；
[0019]图3为本技术OLED显示结构第二实施例的断面示意图。
[0020]图中：1
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玻璃基板，2
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铟锡氧化物层，3
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发光结构层，31
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电子传输层，32
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空穴阻挡层，33
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发光层，34
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空穴传输层，35
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空穴注入层，4
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电极层，5
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金属氧化物层，6
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透明导电层，7
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封盖层，8
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聚四氟乙烯层。
具体实施方式
[0021]为详细说明本技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
[0022]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0023]现有技术中，一般通过增加阴极厚度或者降低金属镁的比例来增加导电率，但是增加电极层的厚度会降低光透率，降低金属镁的比例不利于电子注入，将会导致器件电压升高。
[0024]本技术提供了一种OLED显示结构，包括玻璃基板1、铟锡氧化物层2、发光结构层3、电极层4、金属氧化物层5、透明导电层6和封盖层7，请参阅图1至图3。
[0025]具体的，玻璃基板1、铟锡氧化物层2、发光结构层3、电极层4、金属氧化物层5、透明导电层6和封盖层7按照次序依次层叠连接在一起。其中金属氧化物层5是由金属层经过通电氧化或者在等离子态下氧化形成金属氧化物层5，金属氧化物层5是致密的金属氧化物层，能够起到保护电极层4的作用。
[0026]透明导电层6具有高透光率和高导电率，当透明导电层6设置于金属氧化物层5外侧时，在不影响透光率的同时还作为辅助电极，可以极大地减小电极层4面内的电阻，减小压降(IR
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drop)现象，使得OLED显示结构成像更加清晰均匀。
[0027]本技术中，透明导电层6可以为铟锡氧化物层或铟锌氧化物层。铟锡氧化物层2和电极层4为OLED显示结构的阴极或者阳极。
[0028]OLED即有机发光二极管(organic light emission diode)，其发光的原理与LED类似，只不过与LED采用无机半导体作为发光材料不同，其采用的发光材料是有机材料。根据有机材料的不同，还可以进一步分为小分子有机材料和大分子有机材料。其中大分子有机材料一般采用喷墨打印的方式进行成膜，而小分子有机材料一般采用蒸镀的方式进行薄膜沉积。
[0029]最终制作的OLED器件其实是由多层叠在一起而成的，有阳极(Anode)、空穴注入层(HIL，Hole Injection Layer)，空穴传输层(HTL，Hole Tranport Layer)，发光层(EML，
Emission layer)，电子传输层(ETL，Electron Transport Layer)和阴极(Cathode)。更一般的还有空穴阻挡层(HBL，Hole Block Layer)，电子阻挡层(EBL，Electron Block Layer)和封盖层(CPL，Capping Layer)等等。
[0030]阴极层材料选择的最基本条件是——电子注入容易。因此，需要选择低功率的材料作为OLED的阴极。采用低功函数的材料作为阴极，不仅可以提高电子注入效率，还可以降低OLED工作时产生的焦耳热，提高器件的寿命。
[0031]对于阳极，因为需要将空穴注入到OLED中，因此需要其具有较高的功函数(work function)。通常选用的阳极材料有铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、金(Au)和铂(Pt)等等。
[0032]发光层的材料须需具备固态下有较强荧光、电子/空穴传输性能好、热稳定性和化学稳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示结构，其特征在于：包括顺次层叠设置的玻璃基板、铟锡氧化物层、发光结构层、电极层、金属氧化物层、透明导电层和封盖层；所述透明导电层为铟锡氧化物层或铟锌氧化物层。2.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于：所述发光结构层包括顺次层叠设置的电子传输层、空穴阻挡层、发光层、空穴传输层和空穴注入层。3.如权利要求2所述的OLED显示结构，其特征在于：所述电极层为金层、银层或者铝层，所述金属氧化物层为所述电极层远离所述玻璃基板的一侧部分氧化而成。4.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：舒鹏，陈龙，
申请(专利权)人：深圳柔宇显示技术有限公司，
类型：新型
国别省市：