薄膜晶体管、像素电路及显示面板制造技术

本申请公开了一种薄膜晶体管、像素电路及显示面板，薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、栅极层、金属层以及第二有源层；通过在薄膜晶体管中设置含有氧化物的第一有源层和第二有源层，既保持了其漏电流较小的良好性能，同时提高了其电子迁移率；进而降低了像素电路的漏电流及功耗。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、像素电路及显示面板
本申请涉及显示
，尤其涉及薄膜晶体管
，具体涉及一种薄膜晶体管、像素电路及显示面板。
技术介绍
对于OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光半导体)器件而言，LTPS(LowTemperaturePoly-Silicon，低温多晶硅)驱动是必不可少的。OLED作为电流器件，必须由高迁移率的TFT器件才能更好的驱动。也正是因为它的电流驱动特性，使得每一个OLED的像素需要进行内部补偿，才能避免因为LTPS器件的均匀性问题导致的发光不一致性。所以每一个OLED的像素内部，必须要有6-7个TFT器件做补偿电路设计。作为自发光器件D1，OLED的全白模式必须让所有的像素全部开启，这也就增加了逻辑功耗和因亮度而引起的功耗。而LTPS的漏电问题，也使得正常工作的LTPS器件要不断充电，才能维持住电容中的电位，避免面板的画质不良。这就意味着LTPS无法实现低频驱动，这对面板功耗的节省也是大大不利的，特别是对于OLED所倡导的AlwaysonDisplay(息屏显示)的友好交互模式。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：/n第一有源层；/n第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层形成于所述第一有源层的一侧；/n第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层形成于所述第一栅极绝缘层的一侧，且远离所述第一有源层；/n栅极层，所述栅极层位于所述第一栅极绝缘层与所述第二栅极绝缘层之间；/n金属层，所述金属层形成于所述第二栅极绝缘层的一侧，且远离所述第一栅极绝缘层；以及/n第二有源层，所述第二有源层位于所述第二栅极绝缘层与所述金属层之间，且与所述第一有源层部分连接；/n其中，所述第一有源层、所述第二有源层的材料相同且均含有氧化物。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
第一有源层；
第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层形成于所述第一有源层的一侧；
第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层形成于所述第一栅极绝缘层的一侧，且远离所述第一有源层；
栅极层，所述栅极层位于所述第一栅极绝缘层与所述第二栅极绝缘层之间；
金属层，所述金属层形成于所述第二栅极绝缘层的一侧，且远离所述第一栅极绝缘层；以及
第二有源层，所述第二有源层位于所述第二栅极绝缘层与所述金属层之间，且与所述第一有源层部分连接；
其中，所述第一有源层、所述第二有源层的材料相同且均含有氧化物。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一有源层与所述第二有源层内包形成梯形结构，所述栅极层位于所述梯形结构的中心。


3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一有源层与所述栅极层相平行，且均为平面状结构。


4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属层包括源极和漏极；所述源极与所述第二有源层的一侧连接，所述漏极与所述第二有源层的另一侧连接。


5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二有源层为类梯形结构，所述类梯形结构的下底边未形成封口且向外侧延伸形成有第一下底子边和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫宇，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42