【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种带隙基准电压发生电路(bandgap reference voltage generating circuit )，更具体;也，涉及一种带隙基准电压发生 电路，该带隙基准电压发生电路适合于在将睡眠模式转换到工作模 式时实现快速启动(start-up)并获得稳定的带隙输出。
技术介绍
在半导体集成电路中，通过稳定地保持内部偏置基准电压 (internal biasing reference voltage )来才是高整个系统的可靠性。也就 是i兌，即"f吏夕卜部电源电压(external power supply voltage )、；显度或 工艺发生变化，集成电^各中的器件也可以工作，而不受外部电源电 压、温度或工艺中的变化的影响。为了这个目的，提供了基准电压 发生电路，该基准电压发生电路被设计用来提供稳定和恒定的基准 电压。然而，由于温度、工艺条件以及外部电源电压中的变化，可 能导致这些基准电压发生电路不稳定。在基准电压发生电路之中，带隙基准电压发生电路是这样一种 电^各，即该电赠4命出恒定电压而不考虑温度、电源电压或工艺的变 化。这种基准电...
【技术保护点】
一种带隙基准电压发生电路，包括： 至少两个双极晶体管，所述双极晶体管的集电极连接至下限电源电压并被构造用来利用发射极－基极电压的差异产生基准电压； 运算放大器，被构造用来根据来自所述至少两个双极晶体管的所述基准电压和反相基准电压 来输出基本上恒定的电压； 第一ＰＭＯＳ晶体管，所述第一ＰＭＯＳ晶体管的源极连接至上限电源电压，并被构造用来提供基准电流到所述至少两个双极晶体管； 第二ＰＭＯＳ晶体管，所述第二ＰＭＯＳ晶体管的源极连接至所述上限电源电压，并被构造用 来提供所述基准电流到所述至少两个双极晶体管，当所述带隙基准电压发生电路处于睡...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵殷相，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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