一种超低电压参考源电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低电压参考源电路。该电路包括ＰＴＡＴ电流产生电路、启动电路和低压基准产生电路；ＰＴＡＴ电流产生电路用于产生一个正比于绝对温度电流，该电流为ＰＮ结的热电压与其中电阻的比值；该电流镜像到低压基准产生电路；启动电路用于简并零电流的工作点，上电后为低压基准产生电路提供非零初始电流，引导其进入稳定状态，实现电路的正常启动；低压基准产生电路镜像出一个正比于温度的电流，并通过电阻产生低压降，提供低压参考电压。本电压参考源电路基于双极结型晶体管的热电压，产生与该电压成一定比例的参考电压。本实用新型专利技术参考电压源电路简单，实现成本低，能在不同温度下和不同电源电压下给集成电路提供稳定的、可低至１０ｍＶ级的参考电压。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种超低电压参考源电路，其特征在于：该电路包括正比于绝对温度电流产生电路（１）、启动电路（２）和低压基准产生电路（３）；其中，正比于绝对温度电流产生电路（１）用于产生一个正比于绝对温度电流，该电流为ＰＮ结的热电压与其中电阻的比值；该电流镜像到低压基准产生电路（３）；启动电路（２）用于简并零电流的工作点，上电后为低压基准产生电路（３）提供非零初始电流，引导其进入稳定状态，实现电路的正常启动；低压基准产生电路（３）镜像出一个正比于温度的电流，并通过电阻产生低压降，提供低压参考电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邹志革，邹雪城，雷鑑铭，刘政林，张科峰，郑朝霞，陈继明，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：实用新型
国别省市：83[中国|武汉]