【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，特别涉及一种降低喷嘴具有残余污染物的显影工艺 改善方法。
技术介绍
现有半导体工业的显影工艺是利用一显影液喷洒臂的成排的喷嘴加注显影液于芯片上， 故可以一次大面积的喷洒方式进行显影液覆盖芯片，如图1所示。然而，如图1所示，显示在显影工艺中，喷嘴10对第一片芯片12沿着Line-l的方向 喷洒显影液14，并推着显影液14前进，就可能会发生有反应产生的副产物溅到喷嘴10上， 且由于喷嘴IO在喷洒方向Line-l上的显影液面高度逐渐上升，故喷嘴10自身遭受的污染的 面积亦会增加。所以，假若受污染的喷嘴没有进行清洁而继续操作的话，则将会对第二片芯 片及之后的芯片造成影响。如图2A所示，利用已经遭受污染的喷嘴10对第二片芯片16喷洒显影液，第二片芯 片16的切口 18(notch)大约于八点钟方向，且喷嘴10的喷洒方向是沿着Line-1方向喷洒， 则发现完成后的产品会如图2B所示，具有沿着Line-l方向的污染物20;另外，如图3A所示， 当第二片芯片16的切口 18大约于六点钟方向，且喷嘴10的喷洒方向是沿着Line-2方向， 则发现完成后的产品会如...
【技术保护点】
一种显影工艺改善方法，其特征在于包括下列步骤：（ａ）提供一显影液喷洒臂，其上具至少一喷嘴以喷洒一显影液于一芯片上；（ｂ）随着该显影液的上升，控制该喷嘴上移以与该显影液的液面间的距离在１毫米至２毫米之间；（ｃ）利用一去离子水清洗该喷嘴。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：程蒙，陈进，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。