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本发明提供一种显影工艺改善方法，主要是在喷嘴喷洒显影液于芯片上时，要控制喷嘴与显影液的液面间的距离随时保持在１毫米至２毫米之间，之后并利用去离子水清洗喷嘴，且清洗时间需长达至少５秒，如此即可降低喷嘴遭受显影液污染的机率，进而避免后续的芯片具...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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