液晶薄膜的制造方法及光学元件用层合薄膜技术

技术编号:2725552 阅读:200 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种得到超薄型的光学薄膜,而且能够解决热冲击试验耐性或在再作用时的层间剥离的以往问题的液晶薄膜的制造方法,至少经过第1工序、第2工序和第3工序的各工序得到液晶薄膜,第1工序是通过粘合剂(1)使在取向基板上形成的液晶取向固定化的液晶物质层和再剥离性基板粘接后,剥离取向基板使液晶物质层转印在再剥离性基板上,然后通过粘合剂(2)和临时基板粘接,借此得到由再剥离性基板/粘合剂层(1)/液晶物质层/粘合剂层(2)/临时基板构成的层合体,第2工序是从上述层合体剥离再剥离性基板,第3工序是接着在液晶物质层/粘合剂层2之间通过剥离,得到由粘合剂层1/液晶物质层构成的液晶薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉^^Mt光学元件中有用的液晶薄膜的制it^法及将该液晶薄膜和偏ib^者相位差^^了的光学元件用M薄膜。
技术介绍
近年来,对于液晶显示装置中使用的光学薄膜,除了优良的光学的性能以 外,更要求高耐久性。尤其对于便携电话等的便携机器用的、车栽用的液晶显示装置,要^^设想了^HM^Ht的严格的环嫂^^中^^格。由液晶^^物的取向层构成的薄膜(薄膜),尤其由向列结构、扭曲向列结 构、或者向列混合结构被固定化的液晶物质构成的薄膜,作为液晶显示元件用 的波 、色4M尝或视角4hf尝用的元件,另夕卜作为^^性光学元件等具有优良 的性能,有助于M显示元件的高性能化、轻量化。作为这些薄膜的制造方法,光f生i^l上的方法(例如参照专利文献1 ~ 3 )。再有,作为为了耐液晶显示用元件要求的过严酷的耐久性 的对策,另 外为了更进一步的薄型化、轻量化,还提出了由不^^支持J^膜的液晶物 质构成的光学元件的制妙法(例如参照专利文献4 ~ 6 )。按照这样的制it^r法, 通it^^^一旦将由在取向性&^Ji取向形成了的液晶物质构成的层转印到再 剥离性IjfeljL^,通过剥离该再剥来制造由没有支持1^膜的液 晶物质层构成的光学元件 为可能。通常,这些薄膜和偏il^者再W目位差薄船給而^^。由液晶^r^ 的取向层制造的光学薄膜,例如在高温环境,和高温高湿环境 的长时间 的循环试验中,不能iW偏光板的,,有容易在液晶取向层J^裂紋(裂缝)、 变形等外观异常这样的问题。作为其解决办法,提出^J I 2层由皿了玻^f匕转变温度范围的固化丙烯酸树脂层构成的保护层的方法(参照专利文献7 )。但是,在使用了 2层由固化丙烯酸树脂层构成的保护层的上述形态的情况 下,在使高温 ^銜显微交替^的热冲击微中,存在固化丙烯酸树脂层引^^丈的M,或取向被固定化了的液晶物质层/固化丙烯酸系树脂层之间的 密合力不足引^该界面容易剥离等问题。专利文献1 特开平4-57017号/>净艮 专利文献2 特开平4-177216号公报 专利文献3 特开平6-242434号公报 专利文献4 特开平8-278491号公报 专利文献5 特开2004-117422号/^才艮 专利文献6 特开2004-138697号乂^报 专利文献7 特开2006-284735号7>才艮
技术实现思路
本专利技术的目的是提供,即^^像热冲击 ^样的严酷的环嫂试睑中,在 液晶取向层中也不^jtH^等的夕卜观异常,层间密合力也没有问题的贿型的液晶薄膜。本专利技术人等对于上述^1|进布仏细致,究的结果,&'〗了完^^专利技术。 即,本专利技术的第1涉及夜晶薄膜的制造方法,^##于,至少经过第1 工序、第2工序和第3工序的各工序得到液晶薄膜,第1工序是将^向M ^Ji形成的液晶取向固定化了的液晶物质层通it^^剂1和再剥离性ijfel^占 接后,剥离取向J^1,使液晶物质层转印在再剥离'tti^Ui,然后通ii^^'U 和临时1^1^接,由i^寻到由再剥离性^^^剂层1/液晶物质层/津給剂层 2/临时J^构成的^g^体(I),第2工序是AUiii^g^本(I)将再剥离性狄 剥离,接着第3工序是通錄液晶物质层M^'J层2间进#^离,得到由津蛤 剂层1/液晶物质层构成的液晶薄膜。本专利技术的第2涉膽晶薄膜的制妙法,^ft棘于,至少经鄉1工序、 第2工序和第3工序的各工序得到液晶薄膜,第1工序是^向^S^Ji形成的 液晶取向^A固定化的液晶物质层通it^^'J 1和临时1*^^后,剥离取向 基波,使液晶物质层转印在临时J^,然后通it^^剂2和再剥离'f生^L^占 接,由J^寻到由临时^l/津磁iJ层1/液晶物质层/净^'J层2/再剥离,M^J 成的絲体(II),第2工序是^Jiii^体(II)将再剥离性絲剥离,接着 第3工序是通錄津磁'j层1/液晶物质层间进#^离,得到由液晶物质层/举給 剂层2构成的液晶薄膜。本专利技术的第3涉;s^ 1或第2中记栽的液晶薄膜的制妙法,^#棘于, 液晶取向被固定化的液晶物质层包括在液晶转变点以上的温M生液晶取向、 在液晶转变点以下的温M为玻璃状态的高w液晶物质。本专利技术的第4涉及在第1或第2中记栽的液晶薄膜的制造方法,其特# 于,液晶取向被固定化的液晶物质层是^^生液晶取向了的低分子液晶物质进 行光交联或者热交联的液晶物质层。本专利技术的第5涉及在第1或第2中记载的液晶薄膜的制造方法,其特* 于,临时J^者再剥离'lti^具有光学的各向同性。本专利技术的第6涉絲第1或第2中记载的液晶薄膜的制妙法,^#絲于,和临时I4^战的^NP'J含有有才;L^系或者氟系的表面改性剂而成。 再有,本专利技术的第7涉;sjt学元件用^^薄膜,该M薄自本专利技术的第i ~第6的<—个中记载的方法制成的液晶薄膜通it^給剂或粘^^和偏i^il者相位差^i^而构成。再者,在上述的记载中,;l^示各层的界面,以下^Mr作同样g示。 按照本专利技术,得到超薄型的光学薄膜,而且能够解;^A以往问题的热冲击 #1^再作用时的层间剥离的问题,因此工业的价值极高。具体实施方式 以下,详细地^兌明^L专利技术。本专利技术中4M的液晶的取向被固定化的液晶物质层,是通过^fM将处于取 向状态的液晶物质固定化的手段而固定化的层。作为使液晶的取向固定化的手 段,在高衬液晶物质的场合,可举出^向状态进行急辆^c^f微态而 固定的方法,使具有反应性官育逸的低分子液晶物质或者高分子液晶物质取向 后,HJi迷官育^Ji (固化、交联等)而固定化的方法等。作为上ii^性官f逸,可举出乙烯基、(甲基)丙烯絲、乙烯錄、环 氧基、氧杂环丁烷基、羧基、羟基、氨基、异氰酸酯基、酸酐等,以适用于各 自的基的方法进行AJi。能够在液晶物质层中使用的液晶物质,才娥液晶薄膜作为目的的用途或制 it^法,不管低衬液晶物质、高衬液晶物质,可以从广泛的范围i^:,但 是优先选择高衬液晶物质。再有,液晶物质的衬形状,不管是#^£是圆i:;Mir5r以。例如显示盘状向列液晶性的盘状液晶^^b也能^f^J。作为固定化前的液晶物质层的液晶相,可举出向列相、扭曲向列相、胆甾 醇相、混合向列相、混合扭曲向列相、盘状向列相、近晶相等。另夕卜,作为取 向状态,也例示出4^向^面水平取向的均匀取向或垂直取向的垂面取向等。作为上述高分子液晶物质,可以^U各种的主链型高分子液晶物质、侧链 型高M液晶物质、或者其濕3。作为主链型高衬液晶物质,可举出聚酯系、^t^系、聚碳酸酯系、聚 te胺系、聚氨酯系、絲并咪峻系、絲并鳴哇系、絲并噢哇系、多偶氮 甲碱系、聚酯酰胺系、聚酯碳酸酯系、聚酯酰亚胺系等高分子液晶物质,或者 其混合物等。另外,作为侗胜型高^f液晶物质,可举出在具有聚丙烯酸酯系、聚甲基丙烯酸酯系、聚乙烯系、^Hi^系、m系、聚丙二酸酯系、聚酯系等直链 状或者环状结构的骨架的物质上作为侧,合液晶原基的高分子液晶物质或者 其〉'^4勿。尤其这些高衬液晶物质中,从合成或取向的容易禾級絲虑,优先选择 主链型高M液晶物质的聚酉旨系。作为低M液晶物质,可举出在#苯甲酸类、不*苯甲酸类、g甲 酸类、芳香羟U^类、希弗碱型类、双偶氮曱碱^^物类、偶氮^^物类、氧 化偶t/f^物类、环己本文档来自技高网
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【技术保护点】
液晶薄膜的制造方法,其特征在于,至少经过第1工序、第2工序和第3工序的各工序而得到, 第1工序:通过粘合剂(1)使在取向基板上形成的、液晶取向被固定化的液晶物质层与再剥离性基板粘接后,剥离取向基板而使液晶物质层转印在再剥离性基板上,然 后通过粘合剂(2)和临时基板粘接,由此得到由再剥离性基板/粘合剂层(1)/液晶物质层/粘合剂层(2)/临时基极构成的层合体(1), 第2工序:从上述层合体(1)剥离再剥离性基扳, 第3工序:接着,使液晶物质层/粘合剂层(2)之间 剥离,得到由粘合剂层(1)/液晶物质层构成的液晶薄膜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:穗崎宪二山梨辉昭佐藤晴义小玉和史
申请(专利权)人:新日本石油株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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