三维存储器件及其制作方法技术

提供了一种三维(3D)存储器件，其包括衬底、交替堆叠层和沟道结构。交替堆叠层设置在衬底上，并且，交替堆叠层包括交替堆叠的多个导电层和多个气隙层。沟道结构设置在衬底上，并且垂直延伸穿过导电层和气隙层。交替堆叠层更一步地包括在气隙层和沟道结构之间的多个刻蚀停止块。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】三维存储器件及其制作方法
技术介绍
1、专利
本专利技术涉及三维(3D)存储器件及其制作方法。2、现有技术描述通过改进工艺技术，电路设计，编程算法以及制造工艺，可以将平面存储单元缩减小到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性并且成本高昂。因此，平面存储单元的存储密度接近上限。3D存储器结架构可以解决平面存储单元中的密度限制。3D存储架构包括存储器阵列和用于控制进出存储器阵列的信号的外部器件。如本领域中已知，3DNAND是一种闪存技术，其垂直地堆叠存储单元以增加容量，从而获得更高的存储密度和更低的每千兆字节成本。随着3DNAND技术向着高密度和大容量发展，存储单元的数量需要增加，尤其是对从64层到128层的方案来说。为了更好地刻蚀沟道孔，并且控制工艺成本，应当减小每一个存储单元的厚度。然而，随着每个存储单元的厚度的不断变薄，相邻存储单元的控制栅之间的耦合会更严重，从而导致存储器件中更大的RC延迟及编程操作期间存储单元之间的干扰。
技术实现思路
因此，本文公开了三维(3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维(3D)存储器件，包括：/n衬底；/n设置在所述衬底上的交替堆叠层，其中，所述交替堆叠层包括交替堆叠的多个导电层和多个气隙层；以及，/n设置在所述衬底上的沟道结构，并且所述沟道结构垂直延伸穿过所述导电层和所述气隙层，其中，所述交替堆叠层进一步地包括在所述气隙层和所述沟道结构之间的多个刻蚀停止块。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种三维(3D)存储器件，包括：
衬底；
设置在所述衬底上的交替堆叠层，其中，所述交替堆叠层包括交替堆叠的多个导电层和多个气隙层；以及，
设置在所述衬底上的沟道结构，并且所述沟道结构垂直延伸穿过所述导电层和所述气隙层，其中，所述交替堆叠层进一步地包括在所述气隙层和所述沟道结构之间的多个刻蚀停止块。


2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述交替堆叠层包括垂直延伸穿过所述交替堆叠层的沟道孔，并且，所述沟道结构包括依次设置在所述沟道孔的侧壁上的阻挡层、存储层、隧穿层以及沟道层。


3.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中，所述沟道结构进一步地包括设置在所述沟道孔中的填充层。


4.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中，所述刻蚀停止块和所述阻挡层包含不同的材料。


5.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中，所述阻挡层直接地接触所述刻蚀停止块。


6.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述刻蚀停止块包括多晶硅。


7.根据权利要求1所述的3D存储器件，进一步地包括：垂直延伸穿过所述交替堆叠层的狭缝结构，其中，所述沟道结构、所述导电层以及所述狭缝结构将所述气隙层密封。


8.根据权利要求7所述的3D存储器件，其中，所述狭缝结构包括绝缘层和触点，并且所述绝缘层设置在所述触点和所述交替堆叠层之间。


9.一种3D存储器件的制作方法，包括：
在衬底上形成交替电介质堆叠层，其中，所述交替电介质堆叠层包括交替堆叠在所述衬底上的多个第一电介质层和多个第二电介质层，并且，所述多个第一电介质层与所述多个第二电介质层包含不同的材料；
形成垂直穿过所述交替电介质堆叠层的沟道孔，并且，在所述沟道孔的侧壁上横向地形成多个凹槽；
在所述凹槽里形成多个刻蚀停止块；
在所述沟道孔中形成沟道结构，并且所述沟道结构垂直穿过所述交替电介质堆叠层；
将所述第二电介质层替换为多个导电层；并且
形成多个气隙层，从而形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄开谨，闾锦，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42